Investigation of hydridosilsesquioxane-based silicon oxide deposition on Si(111)-7 × 7

Langmuir

Volumn 18, Issue 16, 2002, Pages 6233-6241

  Schneider, Kevin S ^a   Owens, Thomas M ^a   Nicholson, Kenneth T ^a   Ludwig, Bonnie J ^a   Greeley, J Neil ^a   Orr, Bradford G ^a   Banaszak Holl, Mark M ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DECOMPOSITION; DEPOSITION; INFRARED SPECTROSCOPY; LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SILICA; SURFACE PHENOMENA; X RAY SPECTROSCOPY;

REFLECTION-ABSORPTION INFRARED SPECTROSCOPY (RAIRS);

ULTRATHIN FILMS;

EID: 0037031428     PISSN: 07437463     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/la025615j     Document Type: Article

References (77)

1. 2 Interface-3; The Electrochemical Society: Pennington, NJ, 1996.
2. Ibach, H.; Bruchmann, H.D.; Wagner, II. Appl. Phys. A 1982, 29, 113.
3. Hollinger, G.; Himpsel, F. J. Phys. Rev. B 1983, 28, 3651.
4. Höfer, U.; Morgen, P.; Wurth, W.; Umbach, E. Phys. Rev. Lett. 1985, 55, 2979.
5. Schell-Sorokin, A.J.; Demuth, J.E. Surf. Sci. 1985, 157, 273.
6. Hollinger, G.; Morar, J.F.; Himpsel, F.J.; Hughes, G.; Jordan, J.L. Surf. Sci. 1986, 168, 609.
7. D'Evelyn, M.P.; Nelson, M.M.; Engel, T. J. Vac. Sci. Technol., A 1987, 5, 642.
8. Koch, R.H.; Hamers, R.J. Surf. Sci. 1987, 181, 333.
9. Himpsel, F.J.; McFeely, F.R.; Taleb-Ibrahimi, A.; Yarmoff, J.A.; Hollinger, G. Phys. Rev. B 1988, 38, 6084.
10. 2 Interface; Helms, C.R., Deal, B.E., Eds.; Plenum: New York, 1988; p 201.
11. Leibsle, F.M.; Samsavar, A.; Chiang, T.-C. Phys. Rev. B 1988, 38, 5780.
12. Engstrom, J.R.; Nelson, M.M.; Engel, T. J. Vac. Sci. Technol., A 1989, 7, 1837.
13. Höfer, U.; Pushmann, A.; Coulman, D.; Umbach, E. Surf. Sci. 1989, 211, 948.
14. Morgen, P.; Hofer, U.; Wurth, W.; Umbach, E. Phys. Rev. B 1989, 39, 3720.
15. Gupta, P.; Mak, C.H.; Coon, P.A.; George, S.M. Phys. Rev. B 1989, 40, 7739.
16. Höfer, U.; Morgen, P.; Wurth, W.; Umbach, E. Phys. Rev. B 1989, 40, 1130.
17. Himpsel, F.J.; Meyerson, B.S.; McFeely, F.R.; Morar, J.F.; Taleb-Ibrahimi, A.; Yarmoff, J.A. Core Level Spectroscopy at Silicon Surfaces and Interfaces; Campagna, M., Rosei, R., Eds.; North Holland: New York, 1990; p 203.
18. Engstrom, J.R.; Engel, T. Phys. Rev. B 1990, 41, 1038.
19. Pelz, J.P.; Koch, R.H. Phys. Rev. B 1990, 42, 3761.
20. Lyo, I.-W.; Avouris, P.; Schubert, B.; Hoffmann, R. J. Phys. Chem. 1990, 94, 4400.
21. Tokumuto, H.; Miki, K.; Murakami, H.; Bando, H.; Oho, M.; Kajimura, K. J. Vac. Sci. Technol, A 1990, 8, 255.
22. Engstrom, J.R.; Bonser, D.J.; Nelson, M.M.; Engel, T. Surf. Sci. 1991, 256, 317.
23. Sakurai, T.; Hasegawa, Y.; Hashizume, T.; Kamiya, I.; Ide, T.; Sumita, I.; Picketing, H.W.; Hyodo, S. J. Vac. Sci. Technol., A 1990, 8, 259.
24. Avouris, P.; Lyo, I.-W. Surf Sci. 1991, 242, 1.
25. Avouris, P.; Lyo, I.-W.; Bozso, F. J. Vac. Sci. Technol., B 1991, 9, 424.
26. Pelz, J.P.; Koch, R.H. J. Vac. Sci. Technol., B 1991, 9, 775.
27. Boszo, F.; Avouris, P. Phys. Rev. B 1991, 44, 9129.
28. Mortensen, K.; Chen, D.M.; Bedrossian, P.J.; Golovchenko, J.A.; Besenbacher, F. Phys. Rev. B 1991, 43, 1816.
29. Engstrom, J.R.; Bonser, D.J.; Engel, T. Surf. Sci. 1992, 268, 238.
30. Seiple, J.; Pecquet, J.; Meng, Z.; Pelz, J.P. J. Vac. Sci. Technol., A 1993, 11, 1649.
31. Engel, T. Surf. Sci. Rep. 1993, 18, 91.
32. Hamers, R.J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261.
33. Goddard, W.A.; Redondo, A.; McGill, T.C. Solid State Commun. 1976, 18, 981.
34. Chen, M.; Batra, I.P.; Brundle, C.R. J. Vac. Sci. Technol. 1979, 16, 1216.
35. Ciraci, S.; Ellialtioglu, S.; Erkoc, S. Phys. Rev. B 1982, 26, 5716.
36. Batra, I.P.; Bagus, P.S.; Hermann, K. Phys. Rev. Lett. 1984, 52, 384.
37. Schubert, B.; Avouris, P.; Hoffmann, R. J. Chem. Phys. 1993, 98, 7593.
38. Schubert, B.; Avouris, P.; Hoffmann, R. J. Chem. Phys. 1993, 98, 7606.
39. Grunthaner, F.J.; Grunthaner, P. J. Mater. Sci. Rep. 1986, 1, 65.
40. Hattori, T. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 1995, 20, 339.
41. Iwata, S.; Ishizaka, A. J. Appl. Phys. 1996, 79, 6653.
42. Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R. Phys. Rev. Lett. 1993, 71, 2441.
43. Lee, S.; Makan, S.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R. J. Am. Chem. Soc. 1994, 116, 11819.
44. Banaszak Holl, M.M.; Lee, S.; McFeely, F.R. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 1097.
45. Zhang, K.Z.; Banaszak Holl, M.M.; Bender IV, J.E.; Lee, S.; McFeely, F.R. Phys. Rev. B 1996, 54, 7686.
46. Zhang, K.Z.; Meeuwenberg, L.M.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 1622.
47. Greeley, J.N.; Banaszak Holl, M.M. Inorg. Chem. 1998, 37, 6014.
48. Greeley, J.N.; Meeuwenberg, L.M.; Banaszak Holl, M.M. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 7776.
49. Schneider, K.S.; Zhang, Z.; Banaszak Holl, M.M.; Orr, B.G.; Pernisz, U.C. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 602.
50. Agaskar, P.A. Inorg. Chem. 1991, 30, 2707.
51. Agaskar, P.A.; Klemperer, W.G. Inorg. Chim. Acta 1995, 229, 355.
52. Eng, J.J.; Raghavachari, K.; Struck, L.M.; Chabal, Y.J.; Bent, B.E.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R.; Michaels, A.M.; Flynn, G.W.; Christman, S.B.; Chaban, E.E.; Williams, G.P.; Radermacher, K.; Mantl, S. J. Chem. Phys. 1998, 108, 8680.
53. Nicholson, K.T.; Banaszak Holl, M.M. Phys. Rev. B 2001, 64, 155-317.
54. The buried-metal-layer Si(111) and Si(100) samples were purchased from S. Mantl, Institute für Schicht- und Ionenteehnik, Forschungszentrum Julich GmbH, P. O. Box 1913, 5170 Julich, Germany.
55. Ehrley, W.; Butz, R.; Mantl, S. Surf. Sci. 1991, 248, 193.
56. Himpsel, F.J.; McFeely, F.R.; Morar, J.F.; Taleb-Ibrahimi, A.; Yarnoff, J.A. Proceedings of the 1988 Enrico Fermi School on Photoemission and Absorption Spectroscopy of Solids and Interfaces with Synchrotron Radiation; North Holland: Varenna, 1988.
57. 2 Interface; Helms, C.R., Deal, B.E., Eds.; Plenum: New York, 1988; p 251.
58. Zhang, K.Z.; Greeley, J.N.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R. J. Appl. Phys. 1997, 82, 2298.
59. Zhang, K.Z.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 3930.
60. Zhang, K.Z.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1997, 446, 241.
61. Greeley, J.N.; Lee, S.; Banaszak Holl, M.M. Appl. Organomet. Chem. 1999, 13, 279.
62. Schlier, R.E.; Farnsworth, H.E. J. Chem. Phys. 1959, 30, 917.
63. Tong, S.Y.; Huang, H.; Wei, C.M.; Packard, W.E.; Men, F.K.; Glander, G.; Webb, M.B. J. Vac. Sci. Technol., A 1988, 6, 615.
64. Bärtsch, M.; Bornhauser, P.; Calzaferri, G.; Imhof, R. J. Phys. Chem. 1994, 98, 2817.
65. Calzaferri, G.; Imhof, R.; Tornroos, K.W. J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1994, 3123.
66. Marcolli, C.; Calzaferri, G. Appl. Organomet. Chem. 1999, 13, 213.
67. Nicholson, K.T.; Zhang, K.Z.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R.; Pernisz, U.C. Langmuir 2600, 16, 8396.
68. Nicholson, K.T.; Zhang, K.Z.; Banaszak Holl, M.M.; McFeely, F.R.; Calzaferri, G.; Pernisz, U.C. Langmuir 2991, 17, 7879.
69. Takayanagi, K.; Tanishiro, Y.; Takahashi, M.; Takahashi, S. J. Vac. Sci. Technol., A 1985, 3, 1502.
70. Binnig, G.; Rohrer, H.; Gerber, C.; Weibel, E. Phys. Rev. Lett. 1983, 50, 120.
71. Tromp, R.M.; Hamers, R.J.; Demuth, J.E. Phys. Rev. B 1986, 34, 1388.
72. Tersoff, J.; Hamann, D.R. Phys. Rev. B 1985, 31, 805.
73. Avouris, P. J. Phys. Chem. 1990, 94, 2246.
74. Dujardin, G.; Mayne, A.; Comtet, G.; Hellner, L.; Jamet, M.; Le Goff, E.; Millet, P. Phys. Rev. Lett. 1996, 76, 3782.
75. Raghavachari, K.; Eng, J. J. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 935.
76. Raghavachari, K.; Pasquarello, A.; Eng, J.J.; Hybertson, M.S. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3873.
77. McFeely, F.R.; Zhang, K.Z.; Banaszak Holl, M.M.; Lee, S.; Bender, J.E., IV. J. Vac. Sci. Technol., B 1996, 14, 2824.