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Volumn 76, Issue 26, 2000, Pages 3902-3904

Effects of thermal annealing on the luminescence and structural properties of high indium-content InGaN/GaN quantum wells

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EID: 0041727710     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126815     Document Type: Article
Times cited : (54)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.