Lasing mechanism of InGaN/GaN/AlGaN multiquantum well laser diode

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 11, 1998, Pages 1359-1361

  Domen, K ^a   Kuramata, A ^a   Tanahashi, T ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000482352     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121436     Document Type: Article

References (14)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
2. I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, and H. Amano, Electron. Lett. 32, 1105 (1996).
3. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1315 (1996).
4. G. E. Bullman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, M. Leonard, H. S. Kong, H. Dieringer, C. Carter, and J. Edmond, Dev. Res. Conf. IV-B-8 (1997).
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).
6. R. Singh and T. D. Moustakas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 163 (1996).
7. J. S. Im, V. Härle, F. Scholz, and A. Hangleiter, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 37 (1996).
8. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
9. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
10. K. Osamura et al., J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975).
11. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, and T. Tanahashi.
12. G. Lasher and F. Stern, Phys. Rev. 133, A553 (1964).
13. K. Domen, M. Kondo, and T. Tanahashi, Inst. Phys. Conf. Ser. 129, 447 (1992).
14. K. Domen, K. Kondo, A. Kuramata, and T. Tanahashi, Appl. Phys. Lett. 69, 94 (1996).