Structural defects and microstrain in GaN induced by Mg ion implantation

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 11, 1998, Pages 5992-5996

  Pong, B J ^a   Pan, C J ^a   Teng, Y C ^a   Chi, G C ^a   Li, W H ^a   Lee, K C ^a   Lee, Chih Hao ^b  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343419620     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.367465     Document Type: Article

References (35)

1. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L139 (1992).
2. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 1258 (1992).
3. J. W. Huang, T. F. Kuech, H. Lu, and I. Bhat, Appl. Phys. Lett. 68, 2392 (1996).
4. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2112 (1989).
5. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1998 (1991); S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, ibid. 30, L1708 (1991).
6. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1998 (1991); S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, ibid. 30, L1708 (1991).
7. B. Goldenberg, J. D. Zock, and R. J. Ulmer, Appl. Phys. Lett. 62, 381 (1993).
8. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, and J. T. Ross, Appl. Phys. Lett. 64, 64 (1994).
9. S. J. Pearton, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).
10. J. C. Zolper, M. Hagerott Crawford, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, C. Yuan, and R. A. Stall, J. Electron. Mater. 25, 839 (1996).
11. J. S. Chan, N. W. Cheung, L. Schloss, E. Jones, W. S. Wong, N. Newman, X. Liu, E. R. Weber, A. Gassman, and M. D. Rubin, Appl. Phys. Lett. 68, 2702 (1996).
12. E. Solkowski, G. S. Pomrenke, Y. K. Yeo, and R. L. Hengehold, Phys. Scr. T69, 276 (1997).
13. E. Solkowski, Y. K. Yeo, R. L. Hengehold, M. A. Khan, T. Lei, K. Evans, and C. Cerny (unpublished).
14. J. I. Pankove and J. A. Hutchby, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976).
15. M. Ilegems and R. Dingle, J. Appl. Phys. 44, 4134 (1973).
16. J. Menniger, U. Jahn, O Brandt, H. Yang, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 69, 836 (1996).
17. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
18. W. Götz, N. M. Johnson, R. A. Street, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 66, 1340 (1995).
19. T. A. Kennedy, E. R. Glaser, J. A. Freitas, Jr., W. E. Carias, M. A. Khan, and D. K. Wickenden, J. Electron. Mater. 24, 219 (1995).
20. D. M. Hoffman, et al., Phys. Rev. B 52, 16 702 (1995); A. Hoffman, et al., Solid-State Electron. 41, 275 (1997).
21. D. M. Hoffman, et al., Phys. Rev. B 52, 16 702 (1995); A. Hoffman, et al., Solid-State Electron. 41, 275 (1997).
22. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971), Chaps. 1 and 2; J. B. Jeon, B. C. Lee, Yu. M. Sirenko, K. W. Kim, and M. A. Littlejohn, J. Appl. Phys. 82, 386 (1997).
23. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971), Chaps. 1 and 2; J. B. Jeon, B. C. Lee, Yu. M. Sirenko, K. W. Kim, and M. A. Littlejohn, J. Appl. Phys. 82, 386 (1997).
24. C. F. Lin, G. C. Chi, M. S. Feng, J. D. Guo, J. S. Tsang, and J. M. Hong, Appl. Phys. Lett. 68, 3758 (1996).
25. C.-H. Lee, G. C. Chi, C. F. Lin, M. S. Feng, and J. D. Guo, Appl. Phys. Lett. 68, 3440 (1996).
26. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, and P. L. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
27. J. I. Pankove, in Ref. 20, Chap. 7.
28. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).
29. -1 in RTA treated Mg ion implanted GaN and undoped GaN samples. The corresponding PL spectra show that the LO phonon replica has an energy of 84±8 meV. This result is close to 91 meV in Ref. 17.
30. T. L. Tensley and R. J. Egan, Phys. Rev. B 45, 10 942 (1992).
31. S. Strife and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
32. G. C. Jiang, Y. Chang, L. B. Chang, Y. D. Juang, W. L. Lu, L. S. Lu, and K. H. Chang, J. Appl. Phys. 78, 1 (1995).
33. J. K. Hsu, C. Juang, B. J. Lee, and G. C. Chi, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1416 (1994).
34. V. Swaminthan, V. M. Donnelly, and J. Long, J. Appl. Phys. 58, 4565 (1985).
35. B. M. Paine and V. S. Speriosu, J. Appl. Phys. 62, 1704 (1987).