InGaAs/InP quantum well intermixing studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 9, 2001, Pages 4815-4823

  Chen, Huajie ^a   McKay, H A ^a   Feenstra, R M ^a   Aers, G C ^b   Poole, P J ^b   Williams, R L ^b   Charbonneau, S ^b   Piva, P G ^c   Simpson, T W ^c   Mitchell, I V ^c  

^a CARNEGIE MELLON UNIVERSITY   (United States)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

^c UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035340247     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1361237     Document Type: Article

References (27)

1. See for example, D. G. Deppe and N. Holonyak, Jr., J. Appl. Phys. 64, R93 (1988).
2. S. Charbonneau et al., J. Appl. Phys. 78, 3697 (1995).
3. For a review, see R. M. Feenstra, Semicond. Sci. Technol. 9, 2157 (1994).
4. H. Chen, R. M. Feenstra, R. S. Goldman, C. Silfvenius, and G. Landgren. Appl. Phys. Lett. 72, 1727 (1998).
5. H. Chen, R. M. Feenstra, P. G. Piva, R. D. Goldberg, I. V. Mitchell, G. C. Aers, P. J. Poole, and S. Charbonneau, Appl. Phys. Lett. 75, 79 (1999).
6. R. M. Feenstra, Physica B 273-274, 796 (1999).
7. S.-W. Ryu, B.-D. Choe, and W. G. Jeong, Appl. Phys. Lett. 71, 1670 (1997).
8. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Solids (Pergamon, New York, 1985).
9. J. Cibert and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 36, 3243 (1987).
10. J. Micallef, E. H. Li, and B. L. Weiss, J. Appl. Phys. 73, 7524 (1993).
11. J. Z. Wan, J. G. Simmons, and D. A. Thompson, J. Appl. Phys. 81, 765 (1997).
12. J. E. Haysom, G. C. Aers, S. Raymond, and P. J. Poole, J. Appl. Phys. 88, 3090 (2000).
13. P. G. Piva et al. (unpublished).
14. M. D. Giles, J. Electrochem. Soc. 138, 1160 (1991).
15. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994); L. Pelaz, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, S. B. Herner, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, G. Hobler, C. S. Rafferty, and J. Barbolla, ibid. 73, 1421 (1998).
16. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994); L. Pelaz, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, S. B. Herner, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, G. Hobler, C. S. Rafferty, and J. Barbolla, ibid. 73, 1421 (1998).
17. J. E. Haysom, G. C. Aers, S. Raymond, and P. J. Poole, Solid State Commun. 116, 187 (2000).
18. R. T. Rongen, A. J. C. van Rijswijk, M. R. Leys, C. M. van Es, H. Vonk, and J. H. Wolter, Semicond. Sci. Technol. 12, 974 (1997); G-J. Shiau, C-P. Chao, P. E. Burrows, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 77, 201 (1995); R. Benzaquen, A. P. Roth, and R. Leonelli, ibid. 79, 2640 (1996).
19. R. T. Rongen, A. J. C. van Rijswijk, M. R. Leys, C. M. van Es, H. Vonk, and J. H. Wolter, Semicond. Sci. Technol. 12, 974 (1997); G-J. Shiau, C-P. Chao, P. E. Burrows, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 77, 201 (1995); R. Benzaquen, A. P. Roth, and R. Leonelli, ibid. 79, 2640 (1996).
20. R. T. Rongen, A. J. C. van Rijswijk, M. R. Leys, C. M. van Es, H. Vonk, and J. H. Wolter, Semicond. Sci. Technol. 12, 974 (1997); G-J. Shiau, C-P. Chao, P. E. Burrows, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 77, 201 (1995); R. Benzaquen, A. P. Roth, and R. Leonelli, ibid. 79, 2640 (1996).
21. A. Antolini et al., J. Electron. Mater. 21, 233 (1992); X. S. Jiang, A. R. Clawson, and P. K. L. Yu, J. Cryst. Growth 147, 8 (1995); J. Wagner, M. Peter, K. Winkler, and K.-H. Bachem, J. Appl. Phys. 83, 4299 (1998).
22. A. Antolini et al., J. Electron. Mater. 21, 233 (1992); X. S. Jiang, A. R. Clawson, and P. K. L. Yu, J. Cryst. Growth 147, 8 (1995); J. Wagner, M. Peter, K. Winkler, and K.-H. Bachem, J. Appl. Phys. 83, 4299 (1998).
23. A. Antolini et al., J. Electron. Mater. 21, 233 (1992); X. S. Jiang, A. R. Clawson, and P. K. L. Yu, J. Cryst. Growth 147, 8 (1995); J. Wagner, M. Peter, K. Winkler, and K.-H. Bachem, J. Appl. Phys. 83, 4299 (1998).
24. M. Mesrine, J. Massies, C. Deparis, N. Grandjean, and E. Vanelle. Appl. Phys. Lett. 68, 3579 (1996); M. Mesrine, J. Massies, C. Deparis, N. Grandjean, E. Vanelle, and M. Leroux, J. Cryst. Growth 175, 1242 (1997).
25. M. Mesrine, J. Massies, C. Deparis, N. Grandjean, and E. Vanelle. Appl. Phys. Lett. 68, 3579 (1996); M. Mesrine, J. Massies, C. Deparis, N. Grandjean, E. Vanelle, and M. Leroux, J. Cryst. Growth 175, 1242 (1997).
26. G-J. Shiau, C-P. Chao, P. E. Burrows, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 77, 201 (1995); A. P. Roth, P. Levesque, R. W. G. Syme, D. J. Lockwood, G. C. Aers, T. S. Rao, and C. Lacelle, ibid. 80, 4033 (1996).
27. G-J. Shiau, C-P. Chao, P. E. Burrows, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 77, 201 (1995); A. P. Roth, P. Levesque, R. W. G. Syme, D. J. Lockwood, G. C. Aers, T. S. Rao, and C. Lacelle, ibid. 80, 4033 (1996).