Real-time investigation of in surface segregation in chemical beam epitaxy of In0.5Ga0.5P on GaAs (001)

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 25, 1996, Pages 3579-3581

  Mesrine, M ^a   Massies, J ^a   Deparis, C ^a   Grandjean, N ^a   Vanelle, E ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000259813     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116643     Document Type: Article

References (24)

1. J. Massies, F. Turco, A. Salètes, and J. P. Contour, J. Cryst. Growth INS 80, 307 (1987).
2. J. Massies, F. Turco, and J. P. Contour, Semicond. Sci. Technol. INS 2, 179 (1987).
3. J. M. Moison, C. Guille, F. Houzay, F. Barthe, and M. Van Rompay, Phys. Rev. B AIP 40, 6149 (1989).
4. M. Larive, J. Nagle, J. P. Landesman, X. Marcadet, C. Mottet, and P. Bois, J. Vac. Sci. Technol. B AIP 11, 1413 (1993).
5. J. M. Gérard, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 2096 (1992).
6. R. Kaspi and K. R. Evans, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 819 (1995).
7. J. F. Zheng, J. D. Walker, M. B. Salmeron, and E. R. Weber, Phys. Rev. Lett. AIP 72, 2414 (1994).
8. M. Sauvage-Simkin, Y. Garreau, R. Pinchaux, M. B. Véron, J. P. Landesman, and J. Nagle, Phys. Rev. Lett. AIP 75, 3485 (1995).
9. J. M. Gérard and J. Y. Marzin, Phys. Rev. B AIP 45, 6313 (1992).
10. H. Yu, C. Roberts, and R. Murray, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 2253 (1995).
11. N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Phys. Rev. B AIP 53, 998 (1996).
12. R. Arès, C. A. Tran, and S. P. Watkins, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 1576 (1995).
13. H. S. Hansen, A. Bensaoula, S. Tougaard, J. Zborowski, and A. Ignatiev, J. Cryst. Growth INS 116, 271 (1992).
14. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 557 (1992).
15. B. Jusserand and F. Mollot, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 423 (1992).
16. B. Etienne and F. Laruelle, J. Cryst. Growth INS 127, 1056 (1993).
17. W. Braun and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. AIP 75, 1993 (1994).
18. J. P. Landesman, J. C. Garcia, J. Massies, G. Jezequel, P. Maurel, J. P. Hirtz, and P. Alnot, J. Vac. Sci. Technol. B AIP 10, 1761 (1992).
19. Y. Imura, K. Nagata, Y. Aoyagi, and S. Namba, J. Cryst. Growth INS 105, 230 (1990).
20. B. Courboulès, J. Massies, C. Deparis, N. Grandjean, J. Leymarie, C. Monier, A. M. Vasson, and A. Vasson, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 1523 (1994).
21. A. Freundlich, A. Bensaoula, A. H. Bensaoula, and V. Rossignol, J. Vac. Sci. Technol. B AIP 11, 843 (1993).
22. N. Kobayashi, J. L. Benchimol, F. Alexandre, and Y. Gao, Appl. Phys. Lett. AIP 51, 1907 (1987).
23. J. E. Cunningham, R. N. Pathak, and W. Y. Jan, Appl. Phys. Lett. AIP 68, 394 (1996).
24. M. Leroux, N. Grandjean, C. Deparis, J. Massies, C. Lopez, R. Mayoral, and F. Meseguer, Jpn. J. Appl. Phys. INS 34, 3437 (1995).