Surface structure of hexagonal SiC surfaces: Key to crystal growth and interface formation?

Applied Surface Science

Volumn 162, Issue , 2000, Pages 9-18

  Heinz, K ^a   Starke, U ^a   Bernhardt, J ^a   Schardt, J ^a  

^a UNIVERSITY OF ERLANGEN NUREMBERG   (Germany)

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AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CHEMICAL BONDS; CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; CRYSTAL GROWTH; INTERFACES (MATERIALS); LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; MOLECULAR STRUCTURE; MONOLAYERS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SURFACE STRUCTURE;

ADATOMS; SURFACE RECONSTRUCTION;

SILICON CARBIDE;

EID: 0034249808     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00163-X     Document Type: Article

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