Depth profile analysis of ultrathin silicon oxynitride films by ToF-SIMS

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 147, Issue 5, 2000, Pages 1893-1902

  Douglas, Monte A ^a   Hattangady, Sunil ^a   Eason, Kwame ^a  

^a TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; NITROGEN; OXYGEN; POSITIVE IONS; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SILICON; ULTRATHIN FILMS;

DEPTH PROFILE ANALYSIS; ISOBARIC MASS INTERFERENCE; TIME OF FLIGHT SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; ULTRATHIN SILICON OXYNITRIDE FILMS;

SILICON COMPOUNDS;

EID: 0033729565     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1393454     Document Type: Article

References (66)

1. B. S. Doyle and K. R. Mistry, IEEE Electron Device Lett., EDL-14, 536 (1993).
2. B. S. Doyle and K. R. Mistry, IEEE Electron Device Lett., EDL-12, 492 (1991).
3. J. M. Sung, C. Y. Lu, M. L. Chen, and S. J. Hillenius. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 447 (1989).
4. J. R. Pfiester, F. K. Baker, T. C. Mele, H. H. Tseng, P. J. Tobin, J. D. Hayden, J. W. Miller, C. D. Gunderson, and L. C. Parrillo, IEEE Trans. Electron Devices, ED-27, 1842 (1990).
5. G. Y. Yoon and Y. Epstein, J. Electrochem. Soc., 145, 1679 (1998).
6. K. S. Krisch, L. Manchanda, F. H. Baumann, M. L. Green, D. Brasen, L. C. Feldman, and A. Ourmazd, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 325 (1994).
7. T. Ito, H. Arakawa, T. Nozaki, and H. Ishikawa, J. Electrochem. Soc., 127, 2248 (1980).
8. T. Aoyama, K. Suzuki, H. Tashiro, Y. Toda, T. Yamazaki, Y. Arimoto, and T. Ito, J. Electrochem. Soc., 140, 3624 (1993).
9. H. S. Momose, T. Morimoto, Y. Ozawa, K. Yamabe, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices, ED-41, 456 (1994).
10. A. Uchiyama, H. Fukuda, T. Hayashi, T Iwabuchi, and S. Ohno, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 425 (1990).
11. T. Hori, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 147 (1989).
12. H. Frag, K. S. Krisch, B. J. Gross, C. G. Sodini, J. Chung, and D. A. Antoniadis, IEEE Electron Device Lett., 13, 217 (1992).
13. T. Aoyama, K. Suzuki, H. Tashiro, Y. Toda, T. Yamzaki, K. Takasaki, and T. Ido, J. Appl. Phys., 77, 417 (1995).
14. S. Nedelec, D. Mathiot, M. Gauneau, and A. Straboni, Non-Cryst. Solids, 187, 106 (1995).
15. D. Mathiot, A. Straboni, E. Andre, and P. Debenest, J. Appl. Phys., 73, 8215 (1993).
16. M. Y. Hao, W. M. Chen, K. Lai, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 66, 1126 (1995).
17. S. B. Kang, S. Kim, J. Byun, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 65, 2448 (1994).
18. Z. Ma, Z. H. Liu, J. T. Krick, H. J. Huang, Y. C. Cheng, C. Hu, and P. K. Ko, IEEE Electron Device Lett., EDL-41, 1394 (1994).
19. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett., 63, 54 (1993).
20. Z. Q. Yao, H. B. Harrison, S. Dimitrijev, D. Sweatman, and Y. T. Yeow, Appl. Phys. Lett., 64, 3584 (1994).
21. M. Bhat, H. H. Jai, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys., 78, 2767 (1995).
22. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys., 70, 1072 (1991).
23. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett., 67, 2836 (1995).
24. S. R. Kaluri and D. W. Hess, J Electrochem. Soc., 145, 662 (1998).
25. M. A. Schmidt, F. L. Terrty, B. P. Mathur, and S. D. Senturia, IEEE Trans. Electron Devices, ED-35, 1627 (1988).
26. R. B. Fair, J. Electrochem. Soc., 144, 708 (1997).
27. J. M. Hill, D. G. Royce, C. S. Fadley, L. F. Wagner, and F. J. Grunthaner, Chem. Phys. Lett., 44, 225 (1976).
28. J. L. Bischoff, F. Lutz, D. Bolmont, and L. Kuber, Surf. Sci., 251/252, 170 (1991).
29. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kin, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett., 64, 1168 (1994).
30. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. T. Tang, L. Manchanda, and M. T. Tang, Appl. Phys. Lett., 65, 848 (1994).
31. R. I. Hegde, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett., 66, 2882 (1995).
32. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 69, 2713 (1996).
33. R. I. Hedge, B. Maiti, R. S. Rai, K. G. Reid, and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc., 145, L13 (1998).
34. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 70, 2007 (1997).
35. Y. Saito, Appl. Phys. Lett., 68, 800 (1996).
36. P. Chen, K. Y. Hsu, J. Lin, and H. Hwang, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 973 (1995).
37. 2 Interface-3, H. Z. Massound, E. H. Poindexter, and C. R. Helms, Editors, PV 96-1, p. 441, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1996).
38. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett., 66, 3495 (1995).
39. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol., A. 14, 3017.
40. S. R. Kaluri and D. W. Hess, Appl. Phys. Lett., 69, 1053 (1996).
41. D. Kapila, S. Hattangady, M. A. Douglas, R. Kraft, and M. Gribelyuk, J. Electrochem. Soc., 146, 1111 (1999).
42. R. Kraft, T. P. Schneider, W. W. Dostalik, and S. V. Hattangady, J. Vac. Sci. Technol., B, 15, 967 (1997).
43. R. J. Hussey, T. L. Hoffman, Y. Tao, and M. J. Graham, J. Electrochem. Soc., 143, 221 (1996).
44. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett., 66, 1492 (1995).
45. P. Lang, H. Bernt, E. Hartmannsgruber, and F. Naumann, J. Electrochem. Soc., 141, 259 (1994).
46. T. Hori, H. Iwasaki, and K. Tsuji, IEEE Trans. Electron Devices, ED-36, 340 (1989).
47. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuria, V. Lakhotia, W. A. Feil, and R. I. Hegde, J. Appl. Phys., 75, 1811 (1994).
48. Y. Okada, P. J. Tobin, V. Likhotia, W. A. Feil, and R. I. Hegde, Appl. Phys. Lett., 63, 194 (1993).
49. K. Kruger, R. Kurps, and G. Weidner, Semicond. Sci. Technol., 8, 1706 (1993).
50. G. Weidner and D. Kruger, Appl. Phys. Lett., 62, 294 (1993).
51. Y. Okada, P. J. Tobin, V. Likhotia, W. A. Feil, R. I. Hegde, J. L. Liao, P. P. Rushbrook, and L. J. Arias, Jr., J. Electrochem. Sci. 140, L87 (1993).
52. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 57, 2808 (1990).
53. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kim, D. L. Kwong, M. Arendt, and M. J. White, Appl. Phys. Lett., 64, 2116 (1994).
54. J. Ahn, W. Ting, T. Chu, S.N. Lin, and D. L. Kwong, J. Electrochem. Soc., 138, L39 (1991).
55. H. A. Storms, K. F. Brown, and J. D. Stein, Anal. Chem., 49, 2023 (1977).
56. Y. Gao, J. Appl. Phys., 64, 3760 (1988).
57. T. Hoshi, Li Zhanping, M. Tozu, and R. Oiwa, in Secondary Ion Mass Spectrometry Sims XI, G. Gillen, R. Lareau, J. Bennet, and F. Stevie, Editors, p. 269, John Wiley & Sons, Chichester, U.K. (1998).
58. J. Vlekken, T. D. Wu, M. D'Olieslaeger, G. Knuyt, W. Vandervorst, and Luc De Schepper, in Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS XI, G. Gillen, R. Lareau, J. Bennet, and F. Stevie, Editors, p. 895, John Wiley & Sons, Chichester, U.K. (1998).
59. K. Snowdon, Nucl. Instrum. Methods, B9, 132 (1985).
60. J. Vlekken, T. D. Wu, M. D'Olieslaeger, G. Knuyt, L. De Schepper, and L. M. Stals, Int. J. Mass Spectrom. Ion Processes, 156, 61 (1996).
61. S. V. Hattangady, R. Kraft, D. T. Grider, M. A. Douglas, G. A. Brown, P. A. Tiner, J. W. Kuehne, P. E. Nicollian, and M. F. Pas, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 495 (1996).
62. D. T. Grider, S. V. Hattangady, R. Kraft, P. E. Nicollian, J. Kuehne, G. Brown, S. Aur, R. H. Eklund, M. F. Pas, W. R. Hunter, and M. A. Douglas, Digest of Technical Papers of the Symposium on VLSI Technology, 47 (1997).
63. D. Kapila, S. Hattangady, M. Douglas, R. Kraft, and M. Gribelyuk, J. Electrochem. Soc., 145, 1111 (1999).
64. R. G. Wilson, F. A. Stevie, and C. W. Magee, Secondary Ion Mass Spectrometry, John Wiley & Sons, New York (1989).
65. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett., 64, 3473 (1994).
66. G. D. Wilk and B. Brar, IEEE Electron Device Lett., 20, 132 (1999).