Effects of reactor pressure on epitaxial lateral overgrowth of GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 38, Issue 9 A/B, 1999, Pages

  Miyake, Hideto ^a   Motogaito, Atsushi ^a   Hiramatsu, Kazumasa ^a  

^a MIE UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL ORIENTATION; DIFFUSION IN SOLIDS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PRESSURE EFFECTS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICA;

DIFFUSION-LIMITED PROCESSES; EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH (ELO); REACTOR PRESSURE; SELECTIVE AREA GROWTH (SAG);

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0033322901     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.38.l1000     Document Type: Article

References (23)

1. T. Nishinaga, T. Nakano and S. Zhang: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L964.
2. Y. Ujiie and T. Nishinaga: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L327.
3. Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 144 (1994) 133.
4. S. Kitamura, K. Hiramatsu and N. Sawaki: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1184.
5. O. H. Nam, M. D. Bremser, B. L. Ward, R. J. Nemanich and R. F. Davis: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L532.
6. R. D. Underwood, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. Keller, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: Solid State Electron. 41 (1997) 243.
7. T. Tanaka, K. Uchida, A. Watanabe and S. Minagawa: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 976.
8. T. Akasaka, Y. Kobayashi, S. Ando, N. Kobayashi and M. Kumagai: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 72.
9. T. Sugahara, W. Tao, M. Hao, D. Nakagawa, Y. Naoi and S. Sakai: Ext. Abstr. 25th Int. Symp. Compound Semiconductors, Nara, 1998, Fr1A-5.
10. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.
11. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva and R. F. Davis. Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2638.
12. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1568.
13. O. H. Nam, T. S. Zheleva, M. D. Bremser, D. B. Thomson and R. F. Davis: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482 (1998) 301.
14. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1204.
15. J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting and R. D. Dupuis: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 333.
16. Y. Kawaguchi, S. Nambu, H. Sone, T. Shibata, H. Matsushima, M. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu and N. Sawaki: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L845.
17. M. E. Coltrin, C. C. William, M. E. Bartram, J. Han, N. Missert, M. H. Crawford and A. G. Baca: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 (1999) G6.9.
18. R. Zhang, L. Zhang, D. M. Hansen, M. P. Boleslawski, K. L. Chen, D. Q. Lu, B. Shen, Y. D. Zheng and T. F. Kuech: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 (1999) G4.7.
19. H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, X. H. Wu, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck and U. K. Mishra: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 (1999) G4.5.
20. K. Tadatomo, Y. Ohuchi, H. Okagawa, H. Itoh, H. Miyake and K. Hiramatsu: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 (1999) G3.1.
21. B. Beaumont, S. Haffouz and P. Gilbart: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 921.
22. P. Kung, D. Walker, M. Hamilton, J. Diaz and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 570.
23. B. Stringfellow: J. Cryst. Growth 68 (1984) 111.