GaN: from selective area to epitaxial lateral overgrowth

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 537, Issue , 1999, Pages

  Li, X ^a   Bishop, S G ^a   Coleman, J J ^a  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; EPITAXIAL GROWTH; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OPTICAL PROPERTIES; PHASE TRANSITIONS; SURFACE TOPOGRAPHY;

EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY; SELECTIVE AREA EPITAXIAL;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0033310666     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (21)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama et al. Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
2. T. Nishinaga, T. Nakano and S. Zhang, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L954 (1988).
3. S. Naritsuka and T. Nishinaga, J. Cryst. GroHlh 174, 622 (1997).
4. T. Tanaka, K. Uchida, A. Watanabe, and S. Minagawa, Appl. Phys. Lett. 68, 976 (1996).
5. T. Akasaka, Y. Kobayashi, S. Ando, and N. Kabayashi, Appl. Phys. Lett. 71, 2196 (1997).
6. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1201(1997).
7. O. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997)
8. and T. S. Zheleva, O. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
9. Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu, N. Sawaki, J. Cryst. GroMh 144, 133 (1994).
10. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
11. X. Li, A. M. Jones, S. D. Roh, D. A. Tumbull, S. G. Bishop, and J. J. Coleman, J. Electron. Mater. 26, 306 (1997).
12. X. Li, A. M. Jones, S. D. Roh, D. A. Turnbull, E. E. Reuter, S. Q. Gu, S. G. Bishop, and J. J. Coleman, Mater. Res. Soc. Sym. Proc. 395, 943 (1996).
13. X. Li, S. G. Bishop and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 73, 1179 (1998).
14. X. Li and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 70, 438 (1997).
15. J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 73(3), 333 (1998).
16. O. Nam, T. S. Zheleva, M. D. Bremser, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 27, 233 (1998).
17. H. Marchand, preprints.
18. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
19. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz, P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
20. J. A. Freitas, Jr., O. Nam, R. F. Davis, G. V. Saparin, and S. K. Obyden, Appl. Phys. Lett. 72, 2990 (1998).
21. Z. Yu, M.A.L. Johnson, T. Mcnulty, J.D. Brown, J.W. Cookjr, J.F. Schetzina, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 6(1998).