Growth of high mobility AlGaN/GaN heterostructures by ammonia-molecular beam epitaxy

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 176, Issue 1, 1999, Pages 243-246

  Webb, J B ^a   Tang, H ^a   Bardwell, J A ^a   Coleridge, P ^a  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIA; ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS; EPITAXIAL GROWTH; MAGNETORESISTANCE; MAGNETRON SPUTTERING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH; SPUTTER DEPOSITION;

MAGNETRON SPUTTER EPITAXY;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0033221238     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<243::AID-PSSA243>3.0.CO;2-Y     Document Type: Article

References (13)

1. Z. FAN, C. LU, A. BOTCHKAREV, H. TANG, A. SALVADOR, O. AKTAS, W. KIM, and H. MORCOÇ, Electronics Lett. 33, 814 (1997).
2. O. AKTAS, Z. FAN, A. BOTCHKAREV, S. N. MOHAMMED, M. ROTH, T. JENKINS, L. KEHIAS, and H. MORKOÇ, IEEE Electron Device Lett. 18, 293 (1997).
3. M. A. KHAN, Q. CHEN, M. S. SHUR, B. T. DERMOTT, J. A. HIGGINS, J. BURM, W. SCHAFF, and L. F. EASTMAN, Electronics Lett. 32, 357 (1996).
4. Y. F. WU, B. P. KELLER, S. KELLER, N. X. NGUYEN, M. LE, C. NGUYEN, T. J. JENKINS, L. T. KEHIAS, S. P. DENBAARS, and U. K. MISHRA, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).
5. Y. F. WU, B. P. KELLER, P. FINI, S. KELLER, T. J. JENKINS, L. T. HEHIAS, and S. P. DENBAARS, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
6. J. M. REDWING, M. A. TISCHLER, J. S. FLYNN, S. ELHAMARI, M. AHOUJJA, R. S. NEWROCK, and W. C. MITCHEL, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
7. O. AMBACHER, J. SMART, J. R, SHEALY, N. G. WEIMANN, K. CHU, M. MURPHY, W. J. SCHAFF, L. F. EASTMAN, R. DIMITROV, L. WITTMER, M. STUTZMANN, W. RIEGER, and J. HILSENBECK, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
8. R. GASKA, J. W. YANG, A. OSINSKY, Q. CHEN, M. A. KHAN, A. O. ORLOV, G. L. SNIDER, and M. S. SHUR, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
9. M. J. MURPHY, B. E. FOUTZ, K. CHU, H. WU, W. YEO, W. J. SCHAFF, O. AMBACHER, L. F. EASTMAN, T. J. EUSTIS, R. DIMITROV, M. STUTZMANN, and W. RIEGER, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G8.4 (1999).
10. C. R. ELSASS, I. P. SMORCHKOVA, B. HEYING, E. HAUS, P. FINI, K. MARANOWSKI, J. P. IBBETSON, S. KELLER, P. M. PETROFF, S. P. DENBAARS, U. K. MISHRA, and J. S. SPECK, Appl. Phys. Lett. 74, 3528 (1999).
11. H. TANG and J. B. WEBB, Appl. Phys. Lett. 74, 2373 (1999).
12. J. B. WEBB, H. TANG, S. ROLFE, and J. A. BARDWELL, Appl. Phys. Lett. 75, 953 (1999).
13. T. WANG, Y. OHNO, M. LACHAB, D. NAKAGAWA, T. SHIRAHAMA, S. SAKAI, and H. OHNO, Appl. Phys. Lett. 74, 353 (1999).