Formation of modified Si/SiO2 interfaces with intrinsic low defect concentrations

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 7, 1999, Pages 3661-3665

  Gosset, L G ^a   Ganem, J J ^a   Von Bardeleben, H J ^a   Rigo, S ^a   Trimaille, I ^a   Cantin, J L ^a   Akermark T ^a   Vickridge, I C ^a  

^a SORBONNE UNIVERSITÉ   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL MODIFICATION; CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL ORIENTATION; ELECTRON SPIN RESONANCE SPECTROSCOPY; INTERFACES (MATERIALS); OXIDATION; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICA; THERMAL EFFECTS;

NUCLEAR REACTION ANALYSIS (NRA);

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0032615232     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369730     Document Type: Article

References (37)

1. 2 Interface-3, edited by H. Z. Massoud, E. H. Poindexter, and C. R. Helms (The Electrochemical Society Inc., Los Angeles, CA, 1996).
2. A. Ourmazd, D. W. Taylor, J. A. Rentschler, and J. Bevk, Phys. Rev. Lett. 59, 213 (1987).
3. P. H. Fuoss, L. J. Norton, S. Brennan, and A. Fischer-Colbrie, Phys. Rev. Lett. 60, 600 (1988).
4. A. Pasquarello, M. S. Hybertsen, and R. Car, Phys. Rev. Lett. 74, 1024 (1995).
5. P. J. Grunthaner, M. H. Hecht, F. J. Grunthaner, and N. M. Johnson, J. Appl. Phys. 61, 629 (1987).
6. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J. A. Yarmaoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988).
7. E. H. Poindexter and P. J. Caplan, Prog. Surf. Sci. 14, 201 (1983).
8. E. H. Poindexter, P. J. Caplan, B. E. Deal, and R. R. Razouk, J. Appl. Phys. 52, 879 (1981).
9. J. L. Cantin, M. Schoisswohl, H. J. von Bardeleben, N. Hadj Zoubir, and M. Vergnat, Phys. Rev. B 52, 11599 (1995).
10. A. Stesmans, Solid State Commun. 97, 255 (1996).
11. H. Fukuda, T. Arakawa, and S. Ohno, Electron. Lett. 26, 1505 (1990).
12. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
13. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kim, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 64, 2116 (1994).
14. M. L. Green et al., Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
15. M.-Y. Hao, W.-M. Chen, K. Lai, J. C. Lee, M. Gardner, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 66, 1126 (1995).
16. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett. 67, 2836 (1995).
17. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 70, 2007 (1997).
18. Z.-Q. Yao, H. B. Harrison, S. Dimitrijev, D. Sweatman, and Y. T. Yeow, Appl. Phys. Lett. 64, 3584 (1994).
19. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, D. L. Kwong, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 66, 1225 (1995).
20. R. I. Hegde, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
21. K. Hirabayashi, Appl. Phys. Lett. 68, 1978 (1996).
22. B. Maiti, P. J. Tobin, Y. Okada, K. G. Reid, S. A. Ajuria, R. I. Hegde, and V. Kaushik, IEEE Electron Device Lett. 17, 279 (1996).
23. H. Fukuda, N. Koyama, T. Endoh, and S. Nomura, Appl. Surf. Sci. 113-114, 595 (1997).
24. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, J. Appl. Phys. 82, 896 (1997).
25. R. I. Hegde, B. Maiti, and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 144, 1081 (1997).
26. A. Kamath, D. L. Kwong, Y. M. Sun, P. M. Blass, S. Whaley, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 70, 63 (1997).
27. K. Kumar, A. I. Chou, C. Lin, P. Choudhury, J. C. Lee, and J. K. Lowell, Appl. Phys. Lett. 70, 384 (1997).
28. I. Trimaille et al., in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices, edited by E. Garfunkel et al. (Kluwer, Amsterdam, 1998).
29. L. G. Gosset et al., Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 136-138, 521 (1998).
30. I. J. R. Baumvol, J.-J. Ganem, L. G. Gosset, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 72, 2999 (1998).
31. S. Rigo, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 64, 1 (1992).
32. C. Maillot, H. Roulet, G. Dufour, F. Rochet, and S. Rigo, Appl. Surf. Sci. 26, 326 (1986).
33. G. Battistig, G. Amsel, E. d'Artemare, and I. Vickridge, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 61, 369 (1991).
34. I. Vickridge and G. Amsel, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 45, 6 (1990).
35. E. Cartier, J. H. Stathis, and D. A. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 63, 1510 (1993).
36. H. J. von Bardeleben and J. L. Cantin, Braz. J. Phys. 27, 314 (1997).
37. P. Aubert, F. Delmotte, J. L. Cantin, and H. J. von Bardeleben (unpublished).