Optical gain and carrier lifetime of InGaN multi-quantum well structure laser diodes

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 11, 1996, Pages 1568-1570

  Nakamura, Shuji ^a   Senoh, Masayuki ^a   Nagahama, Shin Ichi ^a   Iwasa, Naruhito ^a   Yamada, Takao ^a   Matsushita, Toshio ^a   Sugimoto, Yasunobu ^a   Kiyoku, Hiroyuki ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; GAIN MEASUREMENT; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; QUANTUM EFFICIENCY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SPECTROPHOTOMETERS; SURFACES;

CARRIER LIFETIME; INDIUM GALLIUM NITRIDE; OPTICAL GAIN; PULSED CURRENT INJECTION; STIMULATED EMISSION;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 0030576834     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117032     Document Type: Article

References (22)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 34, L1332 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L174 (1996).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L217 (1996).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 68, 2105 (1996).
5. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
6. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
7. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
8. S. Nakamura and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1457 (1992).
9. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, M. Blasingame, and A. R. Bhattarai, Appl. Phys. Lett. 63, 2455 (1993).
10. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
11. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, S. Nagahama, and N. Iwasa, J. Appl. Phys. 74, 3911 (1993).
12. H. Amano, T. Asahi, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L205 (1990).
13. A. S. Zubrilov, V. I. Nikolaev, D. V. Tsvetkov, V. A. Dmitriev, K. G. Irvine, J. A. Edmond, and C. H. Carter, Appl. Phys. Lett. 67, 533 (1995).
14. M. A. Khan, S. Krishnankutty, R. A. Skogman, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 65, 520 (1994).
15. S. T. Kim, H. Amano, I. Akasaki, and N. Koide, Appl. Phys. Lett. 64, 1535 (1994).
16. H. Amano, T. Tanaka, Y. Kunii, K. Kato, S. T. Kim, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 64, 1377 (1994).
17. R. L. Aggarwal, P. A. Maki, R. J. Molnar, Z. L. Liau, and I. Melngailis, J. Appl. Phys. 79, 2148 (1996).
18. T. J. Schmidt, X. H. Yang, W. Shan, J. J. Song, A. Salvador, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1820 (1996).
19. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1420 (1996).
20. W. W. Chow, A. F. Wright, and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 68, 296 (1996).
21. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 1620 (1991).
22. R. L. Aggarwal, P. A. Maki, R. J. Molnar, Z. L. Liau, and I. Melngailis, J. Appl. Phys. 79, 2148 (1996).