Photoluminescence of GaN:Mg grown by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE)

Journal of Crystal Growth

Volumn 205, Issue 1, 1999, Pages 1-10

  Lim, P H ^a   Schineller, B ^a   Schon O ^b   Heime, K ^a   Heuken, M ^a,b  

^a RWTH AACHEN UNIVERSITY   (Germany)

^b AIXTRON AG   (Germany)

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ACTIVATION ENERGY; ANNEALING; ELECTRON ENERGY LEVELS; ENERGY GAP; IONIZATION; MAGNESIUM; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHONONS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH;

BAND GAP; BLUE LUMINESCENCE LINE; DONOR ACCEPTOR PAIN LINE; GALLIUM NITRIDE; LUMINESCENT RECOMBINATION MECHANISMS;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0032598217     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00245-6     Document Type: Article

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