Analysis of device characteristics for InGaN semiconductor lasers

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 38, Issue 3 B, 1999, Pages 1780-1785

  Hatakoshi, Gen Ichi ^a   Onomura, Masaaki ^a   Saito, Shinji ^a   Sasanuma, Katsunobu ^a   Itaya, Kazuhiko ^a  

^a TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

Carrier overflow; Device simulation; InGaN; Numerical analysis; Semiconductor laser; Transverse mode

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; COMPUTER SIMULATION; NUMERICAL ANALYSIS; OPTICAL WAVEGUIDES; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; CHARGE CARRIERS; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES;

CARRIER OVERFLOW; INDIUM GALLIUM NITRIDE;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 0032590320     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.38.1780     Document Type: Article

References (22)

1. I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5393.
2. S. Nakumura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsu-shita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
4. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokuhun, Y. Ohba, G. Hatakoshi and M. Ishikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1315.
5. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell and J. F. Schetzina: Electron. Lett. 33 (1997) 1556.
6. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota and T. Tanahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) LI130.
7. F. Nakamura, T. Kobayashi, T. Tojo, T. Asatsuma, K. Naganuma, H. Kawai and M. Ikeda: Electron. Lett. 34 (1998) 1105.
8. M. P. Mack, G. D. Via, A. C. Abare, M. Hansen, P. K. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, U. K. Mishra, L. A. Coldren and S. P. DenBaars: Electron. Lett. 34 (1998) 1315.
9. M. Kneissl, D. P. Bour, N. M. Johnson, L. T. Romano, B. S. Krusor, R. Donaldson, J. Walker and C. Dunnrowicz: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1539.
10. I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano: Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
11. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1059.
12. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Uemoto, M. Sano and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 211.
13. G. Hatakoshi, M. Kurata, E. Iwasawa and N. Motegi: Trans IEICE E71 (1988) 923.
14. S. Nunoue, M. Yamamoto, M. Suzuki, C. Nozaki, J. Nishio, L. Sugiura, M. Onomura, K. Itaya and M. Ishikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1470.
15. M. Asada and Y. Suematsu: IEEE J. Quantum Electron. 21 (1985) 434.
16. G. Hatakoshi, K. Nitta, K. Itaya, Y. Nishikawa, M. Ishikawa and M. Okajima: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 501.
17. M. Suzuki, J. Nishio, M. Onomura and C. Hongo: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 511.
18. K. Sasanuma and G. Hatakoshi: Tech. Rep. IEICE LQE97-152 (1998) 49.
19. K. Domen, R. Soejima, A. Kuramata and T. Tanahashi: MRS Internet J. Nitride Semicon. Res. 3 (1998) Article 2.
20. S. Kamiyama, K. Ohnaka, M. Suzuki and T. Uenoyama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L821.
21. D. Hersteller, D. P. Bour, R. L. Thomton and N. M. Johnson: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1650.
22. M. Onomura, S. Saito, K. Sasanuma, G. Hatakoshi, M. Nakasuji, J. Rennie, L. Sugiura, S. Nunoue, M. Suzuki, J. Nishio and K. Itaya: Tech. Dig. 16th IEEE Int. Semiconductor Laser Conf., Nara (1998) Paper MB1.