Etch stop techniques for micromachining

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 144, Issue 6, 1997, Pages 2242-2262

  Collins, Scott D ^a  

^a Damien Associates   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; MICROSTRUCTURE; SURFACE ROUGHNESS;

ETCH STOP ENGINEERING;

MICROMACHINING;

EID: 0031164183     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1837773     Document Type: Review

References (387)

1. L. Csepregi, Microelectron. Eng., 3, 221 (1985).
2. G. Delapierre, Sens. Actuators, 17, 123 (1989).
3. K. C. Lee, This Journal, 137, 2556 (1990).
4. G. Kaminsky, J. Vac. Soc. Technol., B3, 1015 (1985).
5. K. E. Petersen, Proc. of IEEE, 70, 420 (1982).
6. S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. I, Process Technology, Chap. 12-15, Lattice Press, Sunset Beach, CA (1987).
7. S. K. Ghandi, John Wiley & Sons, Inc. New York, VLSI Fabrication Principles, Chap. 10 (1983).
8. D. A. McGillis in VLSI Technology, S. M. Sze, Edtior, Chap. 7, McGraw Hill, New York (1983).
9. E. W. Becker, W. Ehrfeld, P. Hagmann, A. Maner, and D. Munchmeyer, Microelectron. Eng., 4, 35 (1986).
10. P. Bley, Interdiscip. Sci. Rev., 18, 267 (1993).
11. J. Vollmer, H. Hein, W. Henz, F. Walter, Sens. Actuators, 43, 330 (1994).
12. K. Kadel, W. K. Schomburg, and G. Stern, Microelectronic Eng., 21, 123 (1993).
13. W. E. Feely, Proc. SPIE, Vol. 631 Advances in Resist Technology and Processing III, pp. 49-61, SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (1986).
14. W. E. Feely, J. C. Imhof, and C. M. Stein, Polymer Eng. Sci., 26, 1101 (1986).
15. S. D. Stookey, Ind. Eng. Chem., 45, 115 (1953).
16. J. H. Kyung and N. M. Lawandy, Electron. Lett., 32, 451 (1996).
17. N. M. Lawandy and J. H. Kyung, Laser Focus World, 32, 131 (1996).
18. J. H. Kyung, and N. M. Lawandy, Opt. Lett., 21, 174 (1996).
19. B. A. Yunkin, I. W. Rangelow, J. A. Schaefer, D. Fischer, Microelectron. Eng., 23, 361 (1994).
20. O. Kitamura, T. Goto, S. Terakado, S. Suzuki, T. Sekitani, and K. Tanaka, Appl. Surf. Sci., 80, 122 (1994).
21. R. J. Shul, R. P. Schneider, and C. Constantine, Electron. Lett., 30, 817 (1994).
22. V. A. Yunkin, D. Fischer, and E. Voges, Microelectron. Eng., 23, 373 (1994).
23. P. E. Riley, This Journal, 140, 1518 (1993).
24. R. Petri, D. Henry, J. M. Francou, N. Sadeghi, and M. Vayer-Besancon, J. Appl. Phys., 75, 1171 (1994).
25. Y. J. Lii, J. Jorne K. C. Cadien, and J. E. J. Schoenholtz, This Journal, 137, 3633 (1990).
26. S. J. Pearton, F. Ren, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett., 64, 1673 (1994).
27. R. Venkatasubramanian, M. L. Timmons and T. S. Colpitts, Appl. Phys. Lett., 59, 2153 (1991).
28. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. Katz, A. P. Perley, W. S. Hobson, and C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol., B9, 1421 (1991).
29. O. Joubert, P. Paniez, M. Pons and J. Pelletier, J. Appl. Phys., 70, 977 (1991).
30. M. Pons, O. Joubert, P. Paniez, and J. Pelletier, ibid., 70, 977 (1991).
31. N. Ikegami, N. Ozawa, Y. Miyakawa, and J. Kanamori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 30, 1556 (1991).
32. I. W. Rangelow, S. Skocki, and P. Dumania, Microelectron. Eng., 23, 365 (1994).
33. I. Tepermeister, N. Blayo, F. P. Klemens, D. E. Ibbotson, R. A. Gottscho, J. T. C. Lee, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol., B12, 2310 (1994).
34. I. Tepermeister, D. E. Ibbotson, J. T. C. Lee, H. H. Sawin, ibid., 12, 2322 (1994).
35. G. W. Gibson, H. H. Sawin, I. Tepermeister, D. E. Ibbotson, and J. T. C. Lee, ibid., 12, 2333 (1994).
36. D. L. Flamm, Solid State Technol., 34, 47 (1991).
37. J. I. Ulacia and S. Schwartz, Phys. Scripta, 35, 299 (1991).
38. T. J. Cotler and M. E. Elta, IEEE Circuits Devices, 6, 38 (1990).
39. M. Georgidou and R. Alkire, This Journal, 140, 1340 (1993).
40. C. Hedlund, U. Lindberg, U. Bucht, and J. Soderkvist, J. Micromech. Microeng., 3, 65 (1993).
41. M. Georgidou and R. Alkire, This Journal, 141, 679 (1994).
42. R. A. Buser and N. F. de Rooij, Sens. Actuators, A, 28, 71 (1991).
43. Sequin, C. H. ibid., A34, 225 (1992).
44. A. Koide, K. Sato, and S. Tanaka, in Proceedings of IEEE Micro-Electro-Mechanical Systems. An Investigation of Micro Structures, Sensors, Actuators, Machines and Robots (Cat. No. 91CH2957-9 pp. 216-220). Nara, Japan, IEEE, New York (1991).
45. J. S. Danel and G. Delapierre, Sens. Actuators, 31, 267 (1992).
46. H. Camon, A. M. Gue, J. S. Danel, and M. Djafarirouhami, ibid., 33, 103 (1992).
47. G. Spierings, J. F. C. Verhoeven, H. Dengiggelaar, and T. G. Gijsbers, Philips J. Res., 44, 407 (1989).
48. M. A. Chan, S. D. Collins, and R. L. Smith, Sens. Actuators, A43, 196 (1993).
49. P. J. Hesketh, C. Ju, S. Gowda, E. Zanoria, and S. Danyluk, This Journal, 140, 1080 (1993).
50. M. Elwendspoek, ibid., 140, 2075 (1993).
51. J. W. Faust, Jr., and E. D. Palik, ibid., 130, 1413 (1983).
52. R. L. Smith, B. Kloeck, N. DeRooij, and S. D. Collins, J. Electroanal. Chem., 238, 103 (1987).
53. D. L. Kendall, J. Vac. Sci. Technol., A8, 3598 (1990).
54. J. S. Danel, F. Michel, and G. Delapierre, Sensors Act., A21-A23, 971 (1990).
55. T. Ueda, F. Kohsaka, T. Lino, and D. Yamazaki, Trans. Soc. Inst. Control Eng., 23, 1 (1987).
56. J. C. Greenwood, This Journal, 116, 1325 (1969).
57. A. Bohg, ibid., 118, 401 (1971).
58. E. D. Palik, J. W. Faust, Jr., H. F. Gray, and R. F. Greene, ibid., 129, 2051 (1982).
59. A. C. Ipri, U.S. Pat. 4,092,209 (1978).
60. A. J. Steckl, H. C. Mogul, and S. Mogren, in Proceedings of Symposium Light Emission from Silicon, S. S. Iyer, R. T. Collins, and L. T. Canham, Editors, pp. 123-126, MRS (1992).
61. R. M. Finne, and D. L. Klein, This Journal, 114, 965 (1967).
62. D. J. Godbey, M. E. Twigg, H. L. Hughes, L. J. Palkuti, P. Leonov, and J. J. Wang, ibid., 137, 3219 (1990).
63. D. Feijo, J. C. Bean, L. J. Peticolas, L. C. Feldman, and W.-C. Liang, J. Electron. Mater., 23, 493 (1994).
64. D. Godbey, H. Hughes, F. Kub, M. Twigg, L. Palkuti, P. Leonov, and J. H. Wang, Appl. Phys. Lett., 56, 373 (1990).
65. H. Guckel and S. T. Larsen, U.S. Pat. 4,234,361 (1980).
66. S. K. Clark and K. D. Wise, IEEE Trans. Electron Devices, ED-26, 1887 (1979).
67. K. Suzuki, K. Najafi, and K. D. Wise, ibid., ED-37, 1852 (1990).
68. H. Guckel, S. Larsen, M. G. Lagally, G. Moore, J. B. Miller, and J. D. Wiley, Appl. Phys. Lett., 31, 618 (1977).
69. K. D. Wise, T. N. Jackson, N. A. Masnari, M. G. Robinson, D. E. Solomon, G. H. Wuttke, and W. B. Rensel, J. Vac. Sci. Technol., 16, 937 (1979).
70. C. L. Huang and T. van Duzer, IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 579 (1976).
71. A. Reisman, D. Temple, and P. L. Smith, This Journal, 137, 284 (1990).
72. R. L. Batdorf and F. M. Smits, J. Appl. Phys., 30, 259 (1959).
73. W. P. Maszara, P. P. Pronko, A. W. McCormick, Appl. Phys. Lett., 58, 2779 (1991).
74. C. Desmond, Ph.D. Thesis, University of California, Davis (1993).
75. M. L Tarng, U.S. Pat 4,343,676 (1982).
76. W. Kern and C. A. Deckert, in Thin Film Processes, J. L. Vossen and W. Kern, Academic Press, New York (1978).
77. C. A. Desmond, C. E. Hunt, and S. N. Farrens, This Journal, 141, 178 (1994).
78. N. F. Raley, Y. Sugiyama, and T. Van Duzer, ibid., 131, 161 (1984).
79. H. Seidel, L. Csepregi, A. Heuberger, and H. Boumgartel, ibid., 137, 3612 (1990).
80. H. Seidel, L. Csepregi, A. Heuberger, and G. Baumgartel, ibid., 137, 3632 (1990).
81. A. K. Vijh, The Electrochemistry of Semiconductors and Metals, Marcel Dekkar, New York (1973).
82. H. Robbins and B. Schwartz, This Journal, 106, 505 (1959).
83. H. Robbins and B. Schwartz, ibid., 107, 108 (1961).
84. H. Robbins and B. Schwartz, ibid., 108, 365 (1961).
85. H. Muraoka, T. Ohhashi, and Y. Sumitomo, in Semiconductor Silicon, H. R. Huff and R. R. Burgess, Editors, pp. 327-338, The Electrochemical Society Proceedings Series, Princeton, NJ (1973).
86. H. Robbins and B. Schwartz, This Journal, 123, 1903 (1976).
87. W. C. Dash, J. Appl. Phys., 27, 1193 (1956).
88. I. G. Stoev, R. A. Yankov, and C. Jeynes, Sens. Actuators, 19, 183 (1989).
89. A. Soderbarg, This Journal, 139, 561 (1992).
90. V. Lehmann, K. Mitani, D. Feijoo, and U. Gösele, ibid., 138, L3 (1991).
91. D.-Y. Tong, D. Feijoo, G. Cha, H.-M. You, and U. Gösele, in Silicon-on-Insulator Technology and Devices, W. E. Bailey, Editor, PV 92-13, pp. 384-402, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1992); D. Feijoo, V. Lehmann, K. Mitani, and U. Gösele, This Journal, 130, 2309 (1992).
92. D.-Y. Tong, D. Feijoo, G. Cha, H.-M. You, and U. Gösele, in Silicon-on-Insulator Technology and Devices, W. E. Bailey, Editor, PV 92-13, pp. 384-402, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1992); D. Feijoo, V. Lehmann, K. Mitani, and U. Gösele, This Journal, 130, 2309 (1992).
93. K. C. Lee, J. Silcox, and C. A. lee, J. Appl. Phys., 54, 4035 (1983).
94. K. C. Lee, Ph.D. Thesis, Cornell Unversity, Ithaca, NY (1987).
95. R. Memming, in Comprehensive Treatsie of Electrochemistry, Vol. 7, B. E. Conway, J. O'M. Bockris, E. Yeager, S. U. M. Khan, and R. E. White, Editors, pp. 529-588, Plenum Press, New York.
96. H. Gerischer and W. Mindt, Electrochim. Acta., 13, 1329 (1968).
97. W. C. Niehaus and B. Schwartz, Solid-State Electron., 19, 175 (1976).
98. C. J. Nuese and J. J. Gannon, This Journal, 117, 1094 (1970).
99. D. R. Turner, ibid., 105, 402 (1958).
100. C. P. Wen and K. P. Weller, ibid., 119, 547 (1972).
101. R. L. Meek, ibid., 118, 1240 (1971).
102. R. M. Fauchet, J. Lumin., 70, 294 (1996).
103. M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. J. Uren, N. G. Chew, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth, 73, 622 (1985).
104. R. L. Smith, D. J. Fulmer, and S. D. Collins, in Electrochemical Microfabrication, M. Pata, K. Sheppard, and D. Snyder, Editors, PV 92-3, pp. 203-209, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1992).
105. G. Bomchil, A. Halimaoui, and R. Herino, Appl. Surf. Sci., 41/42, 604 (1989).
106. K. Imai and H. Unno, IEEE Trans. Electron Devices, ED-31, 297 (1984).
107. J. J. Yon, K. Barla, R. Herino, and G. Bomchil, J. Appl. Phys., 62, 1042 (1987).
108. R. L. Smith and S. D. Collins, Sens. Actuators, A21-A23, 830 (1990).
109. J. L. Deines, S.-M. Ku, M. R. Poponiak, and P. J. Tsang, U.S. Pat 4,028,149 (1977).
110. T. Ito, A. Yamama, A. Hiraki, and M. Satou, Appl. Surf. Sci., 41/42 301 (1989).
111. T. Ito, A. Haraki, and M. Satou, ibid., 33/34, 127 (1988).
112. R. S. Blewer, S. S. Tsao, M. E. Tracy, and G. Gutierrez, This Journal, 134, C477 (1988); Proceedings of the Materials Research Society Meeting, Boston, MA p. 255, MRS (1987).
113. R. S. Blewer, S. S. Tsao, M. E. Tracy, and G. Gutierrez, This Journal, 134, C477 (1988); Proceedings of the Materials Research Society Meeting, Boston, MA p. 255, MRS (1987).
114. R. Herino, P. Jan, and G. Bomchil, This Journal, 132, 2513 (1985).
115. S. S. Tsao, D. R. Myers, T. R. Guilinger, M. J. Kelly, and A. K. Datye, J. Appl. Phys., 62, 4182 (1987).
116. D. R. Turner, This Journal, 103, 252 (1956).
117. W. W. Harvey and J. Kruger, Electrochim. Acta, 16, 2017 (1971).
118. M. J. Dignam in Comprehensive Treaties of Electrochemistry, Vol. 4, J. O'M. Bockris, B. E. Conway, E. Yeager, and R. E. White, Editors, pp. 247-301, Plenum Press, New York (1981).
119. H. A. Waggener, Bell Sys. Tech. J. 49, 473 (1970).
120. Proceedings of Eurosensors '87, pp. 55-56, Cambridge, England, Sept. 22-24, (1987).
121. P. M. Sarro and A. W. van Herwaarden, This Journal, 133, 1724 (1986).
122. B. Kloeck, S. D. Collins, N. deRooji, and R. L. Smith, IEEE Trans. Electron Devices, ED-36, 6623 (1989).
123. T. N. Jackson, M. A. Tischler, and K. D. Wise, IEEE Electron Device Lett., EDL-2, 44 (1981).
124. R. M. Cohen and J. Janata, Thin Solid Films, 109, 329 (1983).
125. M. K. Andrews and G. C. Turner, Sens. Actuators A, 29, 49 (1991).
126. R. Huster, A. Kovacs, and A. Stoffel, J. Micromech. Microeng., 3, 149 (1993).
127. E. Peeters, D. Lapadatu, R. Puers, and W. Sansen, J. Microelectromech. Sys., 3, 113 (1994).
128. D. Lapadatu, M. Decooman, and R. Puers, Sens. Actuators A, 53, 261 (1996).
129. S. S. Wang, V. M. McNeil, and M. A. Schmidt, J. Microelectromech. Sys. 1, 187 (1992).
130. Y. Linden, L. Tenerz, J. Tiren, and B. Hok, Sens. Actuators, 16, 67 (1989).
131. L. Smith and A. Soderbarg, This Journal, 140, 271 (1993).
132. D. R. Turner, in Surface Chemistry of Metals and Semiconductors, H. C. Gatos, Editor, p. 285, John Wiley & Sons, New York (1960).
133. P. J. Holmes, The Electrochemistry of Semiconductors, Academic Press, London (1962).
134. W. E. Bradley, Proc. Inst. Radio Eng., 24, 1702 (1953).
135. J. W. Tiley and R. A. Williams, ibid., 24, 1706 (1953).
136. Yu. V. Pleskov, in Comprehensive Treatsie of Electrochemistry, Vol. 1, J. O'M. Bockris, B. E. Conway, and E. Yeager, Plenum Press, New York (1980).
137. T. A. Kwa and R. F. Wolffenbuttel, J. Microelectromech. Sys., 3, 155 (1994).
138. C. Lee, M. Takai, T. Yada, K. Kato,and S. Namba, Appl. Phys. A, 51, 340 (1990).
139. F. Foulon, M. Green, F. N. Goodall, and S. Eunamuno, J. Appl. Phys., 71, 2893 (1992).
140. V. Svorcik and V. Rybka, Mater. Lett., 9, 14 (1989).
141. M. S. Wrighton, J. M. Bolts, A. B. Bocarsly, M. C. Palazzotto, and E. G. Walton, J. Vac. Sci. Technol., 15, 1429 (1978).
142. J. S. Shor, R. M. Osgood, and A. D. Kurtz, Appl. Phys. Lett., 60, 1001 (1992).
143. S. Affrossman, R. T. Bailey, C. H. Cramer, F. R. Cruickshank, J. M. R. MacAllister, and J. Alderman, Appl. Phys. A, 49, 533 (1989).
144. P. Lim, J. R. Brock, and I. Trachtenberg, Appl. Phys. Lett., 60, 486 (1992).
145. A. Brahim-Bounab and C. R. Tellier, in Proceedings of the 6th European Frequency and Time Forum (ESA SP-340), pp. 349-54, Noordwijk, Netherland, March 17-19 (1992).
146. O. J. Glembocki, R. E. Stahlbush, and M. Tomkiewicz, This Journal, 132, 145 (1985).
147. K. L. Kendall, Ann. Rev. Mater. Sci., 9, 373 (1979).
148. C. S. Ju and P. J. Hesketh, Thin Solid Films, 215, 58 (1992).
149. L. D. Clark, Jr. J. L. Lund, and D. J. Edell, in Technical Digest, IEEE Solid State Sensor and Actuators Workshop, IEEE (1988).
150. C. S. Ju and P. J. Hesketh, Sens. Actuators A, 33, 91 (1992).
151. T. Wang, S. Surve, and P. J. Hesketh, This Journal, 141, 2493 (1994).
152. A. Reisman, M. Berkenblit, S. A. Chan, F. B. Kaufman, and D. C. Green, ibid., 126, 1406 (1979).
153. M. Mehregany and S. D. Senturia, Sens. Actuators, 13, 375 (1988).
154. M. A. Gajda, H. Ahmed, E. A. Shaw, and A. Putnis, Sens. Actuators A, 40, 227 (1994).
155. M. J. Declercq, L. Gerzberg, and J. D. Meindl, This Journal, 122, 545 (1975).
156. A. Merlos, M. Acero, M. H. Bao, J. Bausells, and J. Esteve, Sensors Act. A, 37-38, 737 (1993).
157. U. Schnakenberg, W. Benecke, and B. Lochel, ibid., 21-23, 1031 (1990).
158. O. Tabata, R. Asahi, H. Funabashi, K. Shimaoka, and S. Sugiyama, ibid., 34, 51 (1992).
159. H. Linde and L. Austin, This Journal, 139, 1170 (1992).
160. M. Elwenspoek, ibid., 140, 2075 (1993).
161. A. Kuntman, J. Mater. Sci. Lett., 11, 1274 (1992).
162. K. E. Bean, Trans. Electron Devices, ED-25, 1185 (1978).
163. A. I. Stoller, RCA Rev., 31, 271 (1970).
164. R. Lenggenhager, H. Baltes, J. Peer, and M. Forster, IEEE Electron Device Lett., EDL-13, 454 (1992).
165. H. Seidel and L. Csepregi, Sens. Actuators, 4, 455 (1983).
166. E. Bassous, IEEE Trans. Electron Devices, ED-25, 1178 (1978).
167. R. H. Cornerly and R. B. Marcus, Sens. Actuators A, 29, 241 (1991).
168. S. H. Jones and D. K. Walker, This Journal, 137, 1653 (1990).
169. E. V. Basiuk, Surf. Coat. Technol., 67, 51-4 (1994).
170. T. Ueda, F. Kohsaka, T. Lino, and D. Yamazaki, Trans. Soc. Inst. Control Eng., 23, 1-6 (1987).
171. J. K. Vondeling, J. Mater. Sci., 18, 304 (1983).
172. B. J. Jurcik, J. R. Brock, and I. Trachtenberg, This Journal, 138, 141 (1991).
173. T. Ueda, F. Kohsaka, D. Yamazaki, and T. Lino, in Proceedings of 3rd International Conference in Solid State Sensors and Actuators: Transducers '85, pp. 113-114, IEEE (1985).
174. J. S. Danel, F. Michel, G. Delapierre, Sens. Actuators, A21-A23, 971 (1990).
175. R. G. Poulsen, J. Vac. Sci. Technology, 14, 266 (1977).
176. S. J. Pearton, Int. J. Mod. Physics B, 8, 1781 (1994).
177. S. J. Pearton and F. Ren, J. Mater. Sci. -Mater. Electron. 5, 1 (1994).
178. H. F. Winters and J. W. Coburn, Surf. Sci. Rep., 14, 161 (1992).
179. G. K. Herb, in Plasma Processing, J. W. Cobur, R. A. Gottscho, and D. W. Hess, Editors, pp. 3-14, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 68, Pittsburgh, PA (1986). See also entire Proceedings.
180. K. Nojiri, K. Tsunokuni, and K. Yamazaki, J. Vac. Sci. Technol., B14, 791 (1996).
181. J. A. Britten, H. T. Nguyen, S. F. Falabella, B. W. Shore, M. D. Perry, and D. H. Raguin, J. Vac. Sci. Technol., A14, 2975 (1996).
182. W. H. Juan and S. W. Pang, ibid., A14, 1189 (1996).
183. G. S. Oehrlein, T. D. Bestwock, P. L. Jones, and J. W. Corbett, Appl. Phys. Lett., 56, 1436 (1990).
184. S. Samukawa, Y. Suzuki, and M. Sasaki, ibid., 57, 403 (1990).
185. Y. Zhang, G. S. Oehrlein, and F. H. Bell, J. Vac. Sci. Technology, A14, 2127 (1996).
186. H. H. Doh, J. H. Kim, S. H. Lee, and K. W. Whang, ibid., A14, 2827 (1996).
187. G. S. Oehrlein and R. Kalish, Appl. Phys. Lett., 54, 2698 (1989).
188. T. Matsuura, H. Uetake, T. Ohmi, J. Murota, K. Fukuda, N. Mikoshiba, T. Kawashima, and Y. Yamashita, ibid., 56, 1339 (1990).
189. M. Walther, G. Trankle, T. Rohr, and G. Weimann, J. Appl. Phys., 72, 2069 (1992).
190. M. Sekine, K. Horioka, T. Arikado, and H. Okano, ibid., 73, 1505 (1993).
191. G. S. Oehrlein, T. D. Bestwick, P. L. Jones, M. A. Jaso, and J. L. Lindstrom, This Journal 138, 1443 (1991).
192. P. E. Riley, J. E. Turner, and K. K. Young, ibid., 140, L12-3 (1993).
193. M. Tong, D. G. Ballegeer, A. Ketterson, E. J. Roan, K. Y. Cheng, and I. Adesida, J. Electron Mater., 21, 9-15 (1992).
194. R. J. Shul, D. J. Rieger, A. G. Baca, C. Constantine, and C. Barratt, Electron. Lett., 30, 84-5 (1994).
195. T. R. Haynes, M. A. Dreisbach, P. M. Thomas, W. C. Dautremont-Smith, and L. A. Heimbrook, J. Vac. Sci. Technol., B7, 1130 (1989).
196. S. R. Cain, L. J. Matienzo, and D. W. Wang, J. Mater. Res., 5, 1733 (1990).
197. D. J. Monk, D. S. Saone, and R. T. Howe, Thin Solid Films, 232, 1 (1993).
198. P. H. L. Notten, in Etching of II-V Semiconductors: An Electrochemical Approach, P. H. L. Notten, J. E. A. M. van den Meerakker, and J. J. Kelly, Editors, Elsevier Advanced Technology, New York (1991).
199. III-V Semiconductors, H. C. Freyhardt, Editor Springer-Verlag, New York (1980).
200. H. Watanabe, S. Ohnishi, I. Honma, H. Kitajima, H. Ono, R. J. Wilhelm, and A. J. L. Sophie, This Journal, 142, 237 (1995).
201. L. Shang, S. A. Campbell, W. H. Liu, ibid., 141, 507 (1994).
202. R. Grundbacher, H. Chang, M. Hannan, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol., B11, 2254 (1993).
203. W. Y. Choi, T. P. E. Broekaert, and C. G. Fonstand, Electron. Lett. 29, 483 (1993).
204. M. P. Liao, J. R. East, and G. I. Haddad, ibid., 31, 684 (1995).
205. H. W. Lan, W. J. Lin, C. K. Peng, S. S. Chen, and S. L. Tu, ibid., 31, 592 (1995).
206. K. Kenefick, This Journal, 129, 2380 (1982).
207. Y. Uenishi, H. Tanaka and H. Ukita, IEEE Trans. Electron Devices, ED-41, 1778 (1994).
208. H. J. Lee, M. S. Tse, K. Radhakrishnan, K. Prasad, J. Weng, S. F. Yoon, X. Zhou, H. S. Tan, S. K. Ting, and Y. C. Leong, Mater. Sci. Eng. B, 35, 230 (1995).
209. C. H. Ozdemire and J. G. Smith, in Digest of Technical Papers International Conference on Solid State Sensors and Actuators; Transducers '91, pp. 132-135, IEEE (1991).
210. Y. He, B. W. Liang, N. C. Tien, and C. W. Tu, This Journal, 139, 2046 (1992).
211. A. J. Tang, K. Sadra, and B. G. Streetman, ibid., 140, L82 (1993).
212. T. P. E. Broekaert and C. G. Fonstad, ibid. 139, 2306 (1992).
213. G. C. Desalvo, W. F. Tseng, and J. Comas, ibid., 139, 831 (1992).
214. E. Weiss, R. C. Keller, and C. A. Helms, J. Appl. Phys., 69, 2623 (1991).
215. D. G. Hill, K. L. Lear, and J. S. Harris, This Journal, 137, 2912 (1990).
216. M. Wong and R. A. Bowling, ibid., 140, 567 (1993).
217. R. J. M. Griffiths, I. D. Blenkinsop, and D. R. Wight, Electron. Lett., 15, 629 (1979).
218. T. P. E. Bockaert and C. G. Fonstad, IEEE Trans. Electron Devices, ED-39, 533 (1992).
219. D. G. Hill, W. S. Lee, T. Ma, and J. S. Harris, IEEE Electron Device Lett., EDL-11, 425 (1990).
220. H. Tanobe, T. Tamnuki, T. Uchida, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part I, 31, 949 (1992).
221. K. K. Shih, T. C. Chieu, and D. B. Dove, J. Vac. Sci. Tech., B11, 2130 (1993).
222. C. S. Kyono, S. C. Binari, W. Kruppa, K. Ikossi-Anastasiu, and H. S. Hier, Electron. Lett., 28, 1388 (1992).
223. D. R. Greenberg, J. A. Delalalamo, and R. Bhat, IEEE Electron Device Lett., EDL-13, 137 (1992).
224. J. Fruhaf, K. Trautmann, J. Wittig and D. Zielke, J. Micromech. Microeng., 3, 113 (1993).
225. J. J. Pak, A. E. Kabir, G. W. Neudeck, J. H. Logsdon, D. R. DeRoo, and S. E. Staller, in Digest of Technical Papers, International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Transducers '91, pp. 1028-31, IEEE (1991).
226. E. Bassous and A. C. Lamberti, Microelectron. Eng., 9, 167 (1989).
227. E. D. Palik, V. M. Bermudez, and O. J. Glembocki, This Journal, 132, 135 (1985).
228. R. Huster, and A. Stoffel, Sensors Act., A21-23, 899 (1990).
229. A. Pember, J. Smith and H. Kemhadjian, Sens. Actuators A, 46, 51 (1995).
230. C. J. Schmidt, P. V. Lenzo, and E. G. Spencer, J. Appl. Phys., 46, 4080 (1975).
231. T. Yeh, and M. L. Joshi, This Journal, 116, 73 (1969).
232. C. E. Hunt, G. V. Rouse, C. Harendt, and M. L. Green in Proceedings of the 1990 IEEE SOS/SOI Technical Congress, p. 145, IEEE (1990).
233. L. D. Clark, J. L. Lund, and D. J. Edell, in Technical Digest, IEEE Solid-State Sensor and Actuator Workshop, pp. 5-8, IEEE (1988).
234. J. F. Black, D. E. Cullen, and T. W. Grudkowshi, Abstract 122, p. 192, The Electrochemical Society Meetings Abstracts, Vol. 82-1, Montreal, Canada, May 9-14, 1982.
235. S. A. Campbell, J. D. Leighton, G. H. Case, and K. Knutson, J. Vac. Sci. Technol., B7, 1080 (1989).
236. P. Narozny, M. Hamacher, H. Dambkes, H. Kibbel, and E. Kasper, Tech. Dig. IEDM, 88, 562 (1988).
237. S. S. Tsao, R. R. Guilinger, M. J. Kelly, H. J. Stein, J. C. Borbour, and J. A. Knapp, J. Appl. Phys., 67, 3842 (1990).
238. J. J. Gannon and C. J. Nuese, This Journal, 121, 1215 (1974).
239. C. Spinella, V. Raineri, and S. U. Campisano, This Journal, 142, 1601 (1995).
240. A. Perezrodriguez, A. Romanorodriguez, J. R. Morante, M. C. Acero, J. Esteve, J. Montserrat, and A. El-Hassani, ibid., 143, 1026 (1996).
241. R. Paneva, G. Temmel, E. Burte, and H. Ryssel, Microelectron. Eng., 27, 509 (1995).
242. M. C. Acero, J. Esteve, J. Montserrat, J. Bausells, A. Perez-Rodriguez, A. Romano-Rodriguez, and J. R. Morante, Sens. Actuators A, 45, 219 (1994).
243. M. C. Acero, A. Perez-Rodriguez, J. Esteve, J. Montserrat, B. Garrido, A. Romano-Rodriquez, and J. R. Morante, J. Micromech. Microeng., 3, 143 (1993).
244. E. S. Meieran, J. Appl. Phys, 36, 2544 (1965).
245. L. C. Chen, M. J. Chen, C. C. Wan, T. H. Tsaur, and C. Lien, Solid State Mater. Adv. Technol., 34, 180 (1995).
246. L. C. Chen, M. J. Chen. T. H. Tasaur, C. H. Lien, and C.-C. Wan, Sens. Actuators A, 49, 115 (1995).
247. M. C. Acero, J Esteve, C. Burrer, and A. Gotz, ibid., 46, 22 (1995).
248. A. M. Narsale and B. M. Arora, Surf. Sci., 217, 247 (1989).
249. C. T. Lenczycki and V. A. Burrows, Thin Solid Films, 193, 610 (1990).
250. A. Gotz, J. Esteve, J. Bausells, S. Marco, J. Samitier and J. R. Morante, Sens. Actuators A, 37-38, 744 (1993).
251. W. Chong-Ruo, ibid., 35, 181 (1993).
252. M. Hirata, K. Suzuki, and H. Tanigawa, Sens. Actuators, 13, 63 (1988).
253. V. M. McNeil, S. S. Wang, and M. A. Schmidt, in Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology and Applications, U. Gösele, T. Abe, J. Haisma, and M. A. Schmidt, Editors, PV 92-7, pp. 180-189, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1991).
254. U. Him, J. Micromech. Microeng., 3, 116 (1993).
255. J. Tiren, L. Tenerz, and B. Hok, Sens. Actuators, 18, 389 (1989).
256. A. K. Vijh, in The Electrochemistry of the Elements, Vol. 5, A. J. Bard, Editor, p. 289, Marcel Dekker, New York (1976).
257. R. Memming, in Electroanalytical Chemistry, Vol. 11, A. J. Bard, Editor, p. 3, Marcel Dekker, New York (1979).
258. A. K. Vijh, in The Electrochemistry of the Elements, A. J. Bard, Vol. 5, A. J. Bard, Editor, p. 261, Marcel Dekker, New York (1976).
259. C. J. M. Eijkel, J. Branebjerg, M. Elwenspoek, and F. C. M. Van de Pol, IEEE Electron Device Lett., EDL-11, 588 (1990).
260. M. Koinuma and K. Uosaki, J. Vac. Sci. Technology, B12, 1543 (1994).
261. N. F. Jackson, Semocond. Sci. Technol. 7, 686 (1992).
262. C. W. Fischer and S. W. Teare, J. Appl. Phys., 67, 2608 (1990).
263. K. Strubbe and W. P. Gomes, This Journal, 140, 3301 (1993).
264. I. E. Vermeir, W. P. Gomes, B. H. Erne, and D. Vanmaekelbergh, Electrochim. Acta, 38, 2569 (1993).
265. G. L. Harris, K. Fekade, and K. Wongchotigul, J. Mater. Sci. Mater. Electron., 3, 162 (1992).
266. M. Koinuma and K. Uosaki, Surf. Sci., 358, 565 (1996).
267. E. Basaran, R. A. Kubiak, C. P. Parry, S. M. Newstead, E. G. C. Parker, and T. E. Whall, Semicond. Sci. Technol., 6, 1175 (1991).
268. H. J. A. van Dijk and J. de Johnge, This Journal, 117, 553 (1970).
269. M. Matsumura and R. Morrison, J. Electroanal. Chem., 147, 157 (1983).
270. M. J. Theunissen, J. A. Appels, and W. H. C. G. Verkuylen, This Journal, 117, 959 (1970).
271. C. J. Maggiore, P. D. Goldstone, C. R. Gruhn, N. Jarmie, S. C. Stotlar, and H. V. DeHaven, IEEE Trans. Nucl. Dev., NS-24, 104 (1977).
272. R. L. Meek, W. M. Gibson, and R. H. Braun, Nucl. Instrum. Methods, 94, 435 (1971).
273. J. A. van Nielen, M. J. Theunissen, and J. A. Appels, Phillips Tech. Rev., 31, 271 (1970).
274. W.-T. Tsang and S. Wang, J. Appl. Phys., 46, 2163 (1975).
275. R. L. Smith and S. D. Collins, ibid., 71, R1 (1992).
276. G. Bomchil, A. Halimaoui, I. Sagnes, P. A. Bandox, I. Berberzier, P. Perret, B. Lambert, G. Vincent, L. Garcehy, and J. L. Regolini, Appl. Surf. Sci., 65/66, 394 (1993).
277. X. G. Zhang, S. D. Collins, and R. L. Smith, This Journal, p. 136, 1561 (1989).
278. M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. J. Uren, N. G. Chew, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth, 73, 622 (1985).
279. K. Sakaguchi, N. Sato, K. Yamagata, and Y. Fujiyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 34, 842 (1995).
280. E. D. Palik, O. J. Glembocki, and R. E. Stahlbush, This Journal, 135, 3126 (1988).
281. W. E. Bradley, U.S. Pat. 2,846,346 (1959).
282. V. Svorcik and V. Rybka, Chem. Listy, 87, 126 (1993).
283. Y. Sato, R. Sugino, and T. Ito, Fujitsu Sci. Tech. J., 27, 317 (1991).
284. V. Svorcik and V. Rybka, Chem. Listy, 84, 1067 (1990).
285. P. A. Kohl and F. W. Ostermayer, Ann. Rev. Mater. Sci., 19, 379 (1989).
286. Y. Saito, H. Imai, Y. Sugita, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. Part I. 34 (1991).
287. S. Eriksson, P. Carlsson, B. Holmstrom, and K. Uosaki, J. Electroanal. Chem. Interfacial Electrochem., 313, 121 (1991).
288. T. Gruszecki, S. Eriksson, and B. Holmstrom, ibid., 274, 117 (1989).
289. V. Svorcik and V. Rybka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 28, L1669 (1989).
290. P. A. Maki and D. J. Ehrlich, Appl. Phys. Lett., 55, 91 (1989).
291. C. Lee, H. Sayama, and M. Takai, Appl. Phys. A, 56, 343 (1993).
292. M. N. Ruberto, X. Zhang, R. Scarmozzino, A. E. Willner; D. V. Podlesnik, and R. M. Osgood, This Journal, 138, 1174 (1991).
293. K. Sugioka, J.-F. Fan, K. Kita, S. Tanaka, and K. Toyoda, Jpn. J. Appl. Phys., B, 30, 3182 (1991).
294. R. Khare, D. B. Young, G. L. Snider, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 62, 1809 (1993).
295. T. H. Fink and R. M. Osgood, This Journal, 140, L73 (1993).
296. S. R. Armstrong, M. E. Pemble, and A. R. Turner, Surf. Sci., 309, 1026 (1994).
297. H. Sakaue, N. Moriomoto, and Y. Horiike, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 32, L1024 (1993).
298. R. Khare and E. L. Hu, This Journal, 138, 1516 (1991).
299. R. Parrens, J. Vac. Sci. Technol., 19, 1403 (1981).
300. M. Alavi, T. Fabula, A. Schumacher, and H. J. Wagner, Sensor Act. A, 37-38, 661 (1993).
301. R. T. Brown, IEEE Photon. Technol. Lett. 2, 346 (1990).
302. M. Alavi, S. Buttgenback, A. Schumacher, and H. J. Wagner, Sens. Actuators A, 32, 299 (1992).
303. M. J. Eddowes, This Journal, 137, 3514 (1990).
304. J. W. Faust, in The Surface Chemistry of Metals and Semiconductors, H. Gatos, Editor, p. 151, John Wiley & Sons, New York (1959).
305. M. Hirata, S. Suwazono, and H. Tanigawa, This Journal, 134, 2037 (1987).
306. D. J. Day, G. W. R. Middelton, T. W. Janes, J. C. White, and V. J. Mifsud, ibid., 131, 407 (1984).
307. D. B. Lee, J. Appl. Phys., 40, 4569 (1969).
308. D. W. Shaw, J. Cryst. Growth, 47, 509 (1979).
309. Y. B. Ning, A. W. Mitchell, and R. N. Tait, Sens. Actuators A, 53, 237 (1996).
310. D. F. Weirauch, J. Appl. Phys., 46, 1478 (1975).
311. E. D. Palik, H. F. Gray, and P. B. Klein, This Journal, 130, 956 (1983).
312. W. C. Erdman and P. F. Schmidt, U.S. Pat. 3,738,881 (1973).
313. R. D. Jolly and R. S. Muller, This Journal, 127, 2750 (1980).
314. C. Herring, Phys. Rev., 82, 87 (1951).
315. R. J. Jaccodine, J. Appl. Phys., 33, 2543 (1962).
316. C. Spinella, V. Raineri, M. Saggio, V. Privitera, and S. U. Campisano, Nuc. Instrum. Methods, 96, 139 (1995).
317. W. W. Harvey, This Journal, 114, 472 (1967).
318. R. L. Smith, B. Kloeck, and S. D. Collins, This Journal, 135, 2001 (1999).
319. J. van de Ven and H. P. Nabben, ibid., 137, 1603 (1990).
320. O. Tabata, Sens. Actuators A, 53, 335 (1996).
321. E. D. Palik, O. J. Glembocki, and I. Heard, This Journal, 134, 404 (1987).
322. E. D. Palik, O. J. Glembocki, J. D. Rinko, and I. Heard, ibid, 136, 1420 (1989).
323. J. B. Flynn, ibid., 105, 715 (1958).
324. M. Hisashi, A. Masafumi, and K. Okashi, U.S. Pat., 4,172,005 (1979).
325. U. Schnakenberg, W. Benecke, B. Lochel, S. Ullerich, and P. Lange, Sens. Actuators A, 24, 1 (1991).
326. N. J. Sauer and K. B. Chough, This Journal, 139, L10 (1992).
327. K. B. Chough, T. Y. Chang, M. D. Feuer, and N. J. Sauer, IEEE Electron Device Lett., EDL-13, 451 (1992).
328. K. C. Lee, J. Silcox, and C. A. Lee, Appl. Phys. Lett., 43, 488 (1983).
329. D. Soltz, L. Cescato and F. Decker, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 25, 179 (1992).
330. A. C. M. Gieles and G. H. J. Somers, Philips Tech. Rev, 33, 14 (1973).
331. M. Esashi, H. Komatsu, T. Matsuo, M. Takahashi, T. Takishima, K. Imabayashi, and H. Ozawa, IEEE Trans. Electron Devices, ED-29, 57 (1982).
332. K. E. Petersen, ibid., ED-25, 1241 (1978).
333. W. C. Tang, T. C. H. Nguyen, and R. T. Howe, Sens. Actuators, 20, 25 (1989).
334. L-S Fan, Y. C. Tai, and R. S. Muller, ibid., 20, 41 (1989).
335. M. Mehregany, K. J. Gabriel, and W. S. N. Trimmer, IEEE Trans. Electron Devices, ED-35, 719 (1988).
336. L. S. Fan, Y. C. Tai, and R. S. Muller, ibid., ED-35, 724 (1988).
337. H. C. Nathanson, W. E. Newell, R. A. Wickstrom, and J. R. Davis, ibid., ED-14, 117 (1967).
338. M. A. Schmidt, R. T. Howe, S. D. Senturia, and J. H. Haritonidis, ibid., ED-35, 750 (1988).
339. S. Johansson, J. A. Schweitz, L. Tenerz, and J. Tiren, J. Appl. Phys., 63, 4799 (1988).
340. W. Reithmuller and W. Benecke, IEEE Trans. Electron Devices, ED-35, 758 (1988).
341. B. Puers, and W. Sansen, Sens. Actuators A, 21-23, 1036 (1990).
342. X. P. Wu and W. H. Ko, Sens. Actuators, 18, 207 (1989).
343. B. Buser, B. Stauffer, and N. F. De Rooij, Abstract 584, p. 879, The Electrochemical Society Meetings Abstracts, Vol. 86-2, San Diego, CA, Oct. 19-24, 1986.
344. L. Ternerz and B. Hok, Electron Lett., 22, 616 (1986).
345. S. Kuroda, K. Imanishi, N. Harada, K. Hikosaka, and M. Masayuki, IEEE Electron Device Lett., EDL-13, 105 (1990).
346. E. D. Palik, V. M. Bermudez, and O. J. Glembocki, This Journal, 132, 871 (1985).
347. K. C. Lee, J. Silcox, and C. A. Lee, J. Appl. Phys., 54, 4035 (1983).
348. C. Arnone and G. B. Scelsi, Appl. Phys. Lett., 54, 225 (1982).
349. Ph. W. Barth, P. J. Shlichta, and J. B. Angell, in Proceedings of 3rd International Conference on Sensors and Actuators, Transducers 85, pp. 371-373, IEEE (1985).
350. T. O. Sedgwick, A. N. Broers, and B. J. Agule, This Journal, 119, 1769 (1972).
351. S. Agarwala, H. Adesida, C. Caneau, and R. Bhat, J. Vac. Sci. Technol., B1, 2254 (1993).
352. P. Ils, M. Michel, A. Forchel, I. Gyuro, M. Klenk, and E. Zielinski, ibid., B11, 2584 (1993),
353. V. A. Krupenin, S. V. Lotkhov, and S. V. Vyshenskii, ibid., B11, 2132 (1993).
354. B. Lochel, A. Maciossek, H. J. Quenzer, B. Wagner, and G. Engelmann, Sens. Actuators A, 46-77, 98 (1995).
355. B. Lochel, A. Maciossek, H. J. Quenzer, B. Wagner, and G. Engelmann, Microelectron. Eng., 21, 463 (1993).
356. A. B. Frazier, C. H. Ahn, and M. G. Allen, Sens Actuators A, 45, 47 (1994).
357. P. Arquint, A. Vandenberg, B. H. Van der schoot, N. F. de Rooij, H. Buhler, W. E. Morf, and L. F. J. Durselen, Sens. Actuators B, 13, 340 (1993).
358. Y. Shi, F. Wang, J. L. Liu, R. Zhang, S. L. Gu, P. Han, L. Q. Hu, and Y. D. Zheng, J. Vac. Sci. Technol., A14, 1194 (1996).
359. J. L. Liu, F. Shi, F. Wang, Y. Lu, R. Zhang, S. L. Gu, P. Han, L. Q. Hu, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. A, 63, 371 (1996).
360. S. Kodaira, A. Shoji, S. Kohjiro, and S. Kiryu, Jpn. J. Appl. Phys., Pt 2, 34, L1127 (1995).
361. H. Hayashi, K. Kurihara, and M. Sekine, ibid., 35, 2488 (1996).
362. R. A. Haring, S. L. Nunes, R. P. McGouey, E. A. Galligan, W. Volksen, J. L. Hedrick, and J. Labadie, J. Mater. Res., 31, 1581 (1995).
363. M. Fallahi M. Dion, Z. Wasilewski, M. Buchanan, M. Nournia, J. Stapledon, and R. Barber, Electron. Lett., 31, 1581 (1995).
364. M. A. M. Gijs, C. Schonenberger, and J. G. H. Stienen, Appl. Phys. Lett., 67, 1489 (1995).
365. J. Pugacz-Muraszkiewicz, IBM J. Res. Develop., 16 523 (1972).
366. P. H. L. Notten and A. A. J. M. Damen, Appl. Surf. Sci., 28, 331 (1987).
367. Y. Mori and N. Watanabe, This Journal, 125, 1510 (1978).
368. W. Wijaronakula, ibid., 138, 1131 (1991).
369. Y. Kuo and A. G. Schrott, ibid., 141, 502 (1994).
370. G. F. McLane, L. Casas, J. S. Reid, and M. A. Nicolet, Electron. Lett., 31, 591 (1995).
371. K. Fricke, J. Wurfl, J. Miao, A. Dehe, D. Ruck, and J. L. Hartnagel, J. Micromech. Microeng., 3, 131 (1993).
372. J. M. Lopez-Vilegas, M. Navarro, S. Marco, J. Samitier, J. R. Morante, A. Gotz, and J. Esteve, ibid., 3, 138 (1993).
373. S. Marco, J. Samitier, J. R. Morante, A. Gotz, and J. Eseve, ibid., 3, 141 (1993).
374. A. Merlos, M. C. Acero, M. H. Bao, I. Bausells, and J. Esteve, ibid., 2, 181, (1992).
375. T. Rogers, R. Santilli, R. Harper, and D. Totterdelt, ibid., 3, 146 (1993).
376. B. Hamilton, Semicond. Sci. Technol., 10, 1187 (1995).
377. C. R. Tellier and A. Brahimbounab, J. Mater. Sci., 29, 5953 (1994).
378. C. R. Tellier and A. Brahimbounab, ibid., 29, 6354 (1994).
379. O. Than and S. Buttgenbach, Sens. Actuators A, 45, 85 (1994).
380. S. M. Gasanli, N. M. Gasanly, and A. K. Streltsov, Phys. Status Solidi A, 127, 27 (1991).
381. P. Arquint, M. Koudelka-Hep, N. F. de Rooij, H. Buhler, and W. E. Morf, J. Electroanal. Chem., 378, 177 (1994).
382. R. B. Heimann, Crystals, Vol. 8 pp. 214-224, Springer-Verlag, Berlin (1982).
383. W. Kern, RCA Rev, 39, 278 (1978).
384. W. Kern, in Chemistry of the Semiconductor Industry, J. Moss and A. Ledwith, Editors, p. 255, Blackie, Glasgow (1987).
385. U. Kohler, A. E. Guber, W. Bier, and M. Heckele, Sens. Actuators A, 53, 361 (1996).
386. A. Rogner, W. Ehrfeld, D. Munchmeyer, P. Bley, C. Burbaum, and J. Mohr, J. Micromech. Microeng., 1 167 (1991).
387. C. Hedlund, U. Bucht, and J. Soderkvist, ibid., 1, 215 (1991).