Ultrafine silicon quantum wires fabricated by selective chemical etching and thermal oxidation

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 14, Issue 3, 1996, Pages 1194-1198

  Shi, Y ^a   Liu, J L ^a   Wang, F ^a   Lu, Y ^a   Zhang, R ^a   Gu, S L ^a   Han, P ^a   Hu, L Q ^a   Zheng, Y D ^a   Lin, C Y ^a   Du, D A ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 5844410045     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580265     Document Type: Article

References (16)

1. H. L. Smith and H. G. Craighead, Phys. Today 43, 24 (1990).
2. T. L. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
3. A. C. Warren, D. A. Antoniadis, and Henry I. Smith, Phys. Rev. Lett. 56, 1858 (1986).
4. W. Hansen, M. Horst, J. P. Kotthaus, U. Merkt, Ch. Sikorski, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 58, 2586 (1987).
5. W. J. Skocpol, P. M. Mankiewich, R. E. Howard, L. D. Jackel, D. M. Tennant, and A. D. Stone, Phys. Rev. Lett. 56, 2865 (1986).
6. H. L. Liu, D. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johnson, and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2532 (1993).
7. K. Morimoto, Y. Hirai, K. Yaki, K. Inoue, M. Niwa, and J. Yasui, Extended Abstracts of the 24th Conference on Solid State Devices and Materials, 1993 (unpublished), pp. 344-346.
8. J. L. Liu, Y. Shi, F. Wang, R. Zhang, P. Han, B. H. Mao, and Y. D. Zheng, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2721 (1995).
9. Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwdate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electronic Lett. 31, 136 (1995); Y. Nakajima, Y. Takahashi, S. Horiguchi, K. Iwadate, H. Namatsu, K. Kurihara, and M. Tabe, Appl. Phys. Lett. 65, 2833 (1994).
10. Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwdate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electronic Lett. 31, 136 (1995); Y. Nakajima, Y. Takahashi, S. Horiguchi, K. Iwadate, H. Namatsu, K. Kurihara, and M. Tabe, Appl. Phys. Lett. 65, 2833 (1994).
11. N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 64, 1126(1994).
12. Y. Shi, F. Wang, J. L. Liu, R. Zhang, Y. D. Zheng, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 379, 000 (1995).
13. Y. D. Zheng, R. Zhang, L. Q. Hu, S. L. Gu, R. L. Jiang, R. H. Wang, and P. Han, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 263, 227 (1992).
14. D. J. Godbey, A. H. Krist, K. D. Hobart, and M. E. Twigg, J. Electrochem. Soc. 139, 2943 (1992).
15. D. B. Kao, J. P. McVittie, W. D. Nix, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices, ED-34, 1008 (1987).
16. H. L. Liu, D. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johnson, and R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 64, 1383 (1994).