Characterization of silicon oxynitride thin films by x-ray photoelectron spectroscopy

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1086-1090

  Shallenberger, J R ^a,b   Cole, D A ^a   Novak, S W ^a  

^a Evans East   (United States)

^b PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001723322     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.582038     Document Type: Article

References (28)

1. R. Kraft, T. P. Schneider, W. W. Dostalik, and S. Hattangady, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 967 (1997).
2. R. I. Hegde, B. Maiti, R. S. Rai, K. G. Reid, and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 145, L13 (1998).
3. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
4. J. L. Bischoff, F. Lutz, D. Bolmont, and L. Kuber, Surf. Sci. 251/252, 170 (1991).
5. S. R. Kaluri and D. W. Hess, Appl. Phys. Lett. 69, 1053 (1996).
6. J. M. Hill, D. G. Royce, C. S. Fadley, L. F. Wagner, and F. J. Grunthaner, Chem. Phys. Lett. 44, 225 (1976).
7. M. R. Frost and C. W. Magee, Appl. Surf. Sci. 104/105, 379 (1996).
8. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 3473 (1994).
9. M. Bhat, J. Ahn, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 64, 2116 (1994).
10. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kim, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 64, 1168 (1994).
11. D. Bouvet, P. A. Clivaz, M. Dutoit, C. Coluzza, J. Almeida, G. Margaritonondo, and F. Pio, J. Appl. Phys. 79, 7114 (1996).
12. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 57, 2808 (1990).
13. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
14. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D-L Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
15. Y. Okada, P. J. Tobin, R. I. Hegde, J. Liao, and P. Rushbrook, Appl. Phys. Lett. 61, 3163 (1992).
16. G. Weidner and D. Kruger, Appl. Phys. Lett. 62, 294 (1993).
17. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett. 67, 374 (1995).
18. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H.-T. Tang, L. Manchanda, and M.-T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
19. I. J. R. Baumvol, J.-J. Ganem, L. G. Gosset, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 72, 2999 (1998).
20. M. Copel, R. M. Tromp, H.-J. Timme, K. Penner, and T. Nakao, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 462 (1996).
21. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, J. Appl. Phys. 81, 6992 (1997).
22. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, J. Appl. Phys. 82, 896 (1997).
23. J. R. Shallenberger, D. A. Cole, D. F. Downey, S. Falk, and Z. Zhao, Proceedings of the XIIth International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan, 1998 (in press).
24. T. Watanabe, A. Ichikawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, and J. Murota, J. Electrochem. Soc. 145, 4252 (1998).
25. D. F. Mitchell, K. B. Clark, J. A. Bardwell, W. N. Leonard, G. R. Massoumi, and I. V. Mitchell, Surf. Interface Anal. 21, 44 (1994).
26. Y. Yoriume, J. Vac. Sec. Technol. B 1, 67 (1983).
27. R. P. Vasquez, M. H. Hecht, F. J. Grunthaner, and M. L. Naiman, Appl. Phys. Lett. 44, 969 (1984).
28. M. M. Moslehi, K. C. Saraswat, and S. C. Shatas, Appl. Phys. Lett. 47, 1113 (1985).