Mechanism of luminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 25, 2000, Pages 3712-3714

  Yang, H C ^a   Kuo, P F ^a   Lin, T Y ^a   Chen, Y F ^a   Chen, K H ^b   Chen, L C ^a   Chyi, Jen Inn ^c  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b ACADEMIA SINICA   (Taiwan)

^c NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001687733     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126758     Document Type: Article

References (28)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. S. NaKamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
3. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsusshita, H. Kiyoko, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
4. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).
5. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
6. I. Lo, K. Y. Hsieh, S. L. Hwang, L. W. Tu, W. C. Mitchel, and A. W. Saxler, Appl. Phys. Lett. 74, 2167 (1999).
7. O. Ambacher, J. Phys. D: Appl. Phys. 31, 2653 (1998).
8. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
9. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johnson, and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
10. N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
11. T. Takeuchi, S. Sola, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
12. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleischer, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, and T. Sota, Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).
13. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 73, 3571 (1998).
14. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
15. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. Y. Jiang, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1996).
16. C. I. Harris, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasak, Appl. Phys. Lett. 67, 840 (1995).
17. S. Chichubu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
18. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van Der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
19. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
20. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
21. S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, and S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2204 (1998).
22. N. A. Shapiro, P. Perlin, C. Kisielowski, L. S. Mattos, J. W. Yang, and E. R. Weber, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 1 (2000).
23. A. Hangleiter, J. S. Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, and F. Scholz, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 15 (1998).
24. H. J. Kwon, Y. H. Lee, O. Miki, H. Yamano, and A. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 69, 937 (1996).
25. T. Inushima, T. Shiraishi, and V. Yu Davydov, Solid State Commun, 110, 491 (1999).
26. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996).
27. T. Inushima, T. Yaguchim, A. Nagase, A. Iso, and T. Shiraishi, Proceedings of the Sixth Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Institute of Physics, Bristol, 1996), Vol. 142, p. 971.
28. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).