Effect of threading dislocations on electron transport in In0.24Ga0.76N/GaN multiple quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 15, 1999, Pages 2167-2169

  Lo, Ikai ^a   Hsieh, K Y ^a   Hwang, S L ^a   Tu, Li Wei ^a   Mitchel, W C ^b   Saxler, A W ^b  

^a NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; BAND STRUCTURE; CARRIER MOBILITY; DISLOCATIONS (CRYSTALS); HALL EFFECT; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

THREADING DISLOCATIONS; VAN DER PAUW HALL EFFECT MEASUREMENT;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0032615546     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123789     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
2. M. A. Khan, Q. Chen, R. A. Skogman, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 66, 2046 (1995).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyohu, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
4. Q. Chen, M. A. Khan, J. W. Yang, C. J. Sun, M. S. Shur, and H. Park, J. Appl. Phys. 69, 794 (1996).
5. Y. Xin, S. J. Pennycook, N. D. Browning, P. D. Nellist, S. Sivananthan, F. Omnes, B. Beaumont, J. P. Faurie, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 72, 2680 (1998).
6. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz, and P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
7. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
8. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Torsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
9. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, M. H. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
10. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998); L.-W. Tu, Y. C. Lee, I. Lo, D. Stocker, and E. F. Schubert, ibid. 73, 2802 (1998).
11. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998); L.-W. Tu, Y. C. Lee, I. Lo, D. Stocker, and E. F. Schubert, ibid. 73, 2802 (1998).
12. P. Perlin, T. Suski, U. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, P. Boguslawski, J. Bernhole, J. C. Chervin, A. Polian, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995).
13. B. C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
14. W. Gotz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, Appl. Phys. Lett. 68, 3144 (1996).
15. D. K. Gaskill, A. E. Wickenden, K. Doverspike, B. Tadayon, and L. B. Rowland, J. Electron. Mater. 24, 1525 (1995).
16. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 1848 (1998).
17. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove, R. L. Jonce, and R. J. Molnar, Phys. Rev. Lett. 79, 2273 (1997).
18. R. A. Abram, G. J. Rees, and B. L. H. Wilson, Adv. Phys. 27, 799 (1978).
19. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, B. Keller, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995).
20. K. Seeger, Semiconductor Physics, 6th ed. (Springer, New York, 1997), p. 221, and reference therein.
21. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
22. I. Lo, S. J. Chen, Y. C. Lee, L.-W. Tu, W. C. Mitchel, M. Ahoujja, R. E. Perrin, R. C. Tu, Y. K. Su, W. H. Lan, and S. L. Tu, Phys. Rev. B 57, R6819 (1998).
23. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
24. B. J. F. Lin and D. C. Tsui, Surf. Sci. 174, 397 (1986).
25. M. Fehrer, S. Einfeldt, U. Birkle, T. Gollnik, and D. Hommel, Proceeding of the 2nd International Conference for Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, 1997, p. 394.