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Volumn 78, Issue 3, 2001, Pages 332-334

Evolution of deep centers in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy

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EID: 0001634116     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1338970     Document Type: Article
Times cited : (105)

References (15)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.