Strain relaxation in GaN/AlxGa1-xN superlattices grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 110, Issue 3, 2011, Pages

  Kotsar, Y ^a   Doisneau, B ^b   Bellet Amalric, E ^a   Das, A ^a   Sarigiannidou, E ^c   Monroy, E ^a  

^a CEA GRENOBLE   (France)

^b UNIV GRENOBLE ALPES   (France)

^c LABORATOIRE DES MATÉRIAUX ET DU GÉNIE PHYSIQUE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; BUFFER LAYERS; GALLIUM NITRIDE; INFRARED DEVICES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR ALLOYS; STRAIN RELAXATION;

DISLOCATION DENSITIES; IN-PLANE LATTICE PARAMETERS; IN-SITU MEASUREMENT; INTERSUBBAND ABSORPTION; MID-INFRARED SPECTRAL RANGE; PERIODIC FLUCTUATIONS; PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; THREADING DISLOCATION DENSITIES;

III-V SEMICONDUCTORS;

EID: 85099606455     PISSN: 00218979     EISSN: 10897550     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3618680     Document Type: Article

References (33)

1. M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. H. Julien, E. Warde, F. Guillot, E. Monroy, E. Ballet-Amalric, T. Remmele, and M. Albercht, Phys. Rev. B 73, 125347 (2006).
2. P. K. Kandaswamy, H. Machhadani, C. Bougerol, S. Sakr, M. Tchernycheva, F. H. Julien, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 95, 141911 (2009).
3. E. Bellotti, K. Driscoll, T. D. Moustakas, and R. Paiella, J. Appl. Phys. 105, 113103 (2009).
4. H. Machhadani, Y. Kotsar, S. Sakr, M. Tchernycheva, R. Colombelli, J. Mangeney, E. Bellet-Amalric, E. Sarigiannidou, E. Monroy, and F. H. Julien, Appl. Phys. Lett. 97, 191101 (2010).
5. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki, IEEE J. Quantum Electron. 42, 765 (2006).
6. Y. Li, A. Bhattacharyya, C. Thomidis, T. D. Moustakas, and R. Paiella, Opt. Express 15, 17922 (2007).
7. A. Vardi, G. Bahir, F. Guillot, C. Bougerol, E. Monroy, S. E. Schacham, M. Tchernycheva, and F. H. Julien, Appl. Phys. Lett. 92, 011112 (2008).
8. D. Hofstetter, S.-S. Schad, H. Wu, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 83, 572 (2003).
9. D. Hofstetter, E. Baumann, F. R. Giorgetta, F. Guillot, S. Leconte, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 91, 131115 (2007).
10. N. Kheirodin, L. Nevoum, H. Machhadani, P. Crozat, L. Vivien, M. Tchernycheva, A. Lupu, F. H. Julien, G. Pozzovivo, S. Golka, G. Strasser, F. Guillot, and E. Monroy, IEEE Photon. Technol. Lett. 20, 724 (2008).
11. P. Boguslawski, K. Rapcewicz, and J. J. Bernholc, Phys. Rev. B 61, 10820 (2000).
12. S. Nicolay, E. Feltin, J.-F. Carlin, N. Grandjean, L. Nevou, F. H. Julien, M. Schmidbauer, T. Remmele, and M. Albrecht, Appl. Phys. Lett. 91, 061927 (2007).
13. F. Ponce, MRS Bull. 22, 51 (1997).
14. B. Moran, F. Wu, A. E. Romanov, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 273, 38 (2004).
15. T. Kehagias, A. Delimitis, P. Komninou, E. Iliopoulos, E. Dimakis, A. Georgakilas, and G. Nouet, Appl. Phys. Lett. 86, 151905 (2005).
16. S. J. Hearne, J. Han, S. R. Lee, J. A. Floro, D. M. Follstaedt, E. Chason, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 76, 1534 (2000).
17. J. A. Floro, D. M. Follstaedt, P. Provencio, S. J. Hearne, and S. R. Lee, J. Appl. Phys. 96, 7087 (2004).
18. R. Liu, J. Mei, S. Srinivasan, F. A. Ponce, H. Omiya, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 89, 201911 (2006).
19. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 81, 6332 (1997).
20. S. Einfeldt, H. Heinke, V. Kirchner, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 89, 2160 (2001).
21. P. D. Cherns, C. McAleese, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, Springer Proc. Phys. 120, 25 (2008).
22. P. Cantu, F. Wu, P. Waltereit, S. Keller, A. E. Romanov, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 98, 103534 (2005).
23. P. K. Kandaswamy, C. Bougerol, D. Jalabert, P. Ruterana, and E. Monroy, J. Appl. Phys. 106, 013526 (2009).
24. S. Birner, T. Zibold, T. Andlauer, T. Kubis, M. Sabathil, A. Trellakis, and P. Vogl, IEEE Trans. Electron Devices 54, 2137 (2007).
25. P. K. Kandaswamy, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, L. Nevou, M. Tchernycheva, A. Michon, F. H. Julien, E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, T. Remmele, M. Albrecht, S. Bilner, and Le Si Dang, J. Appl. Phys. 104, 093501 (2008).
26. V. Fiorentini, F. Bernardini, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 80, 1204 (2002).
27. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Venderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
28. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 88, 1855 (2000).
29. G. Mula, C. Adelman, S. Moehl, J. Oullier, and B. Daudin, Phys. Rev. B 64, 195406 (2001).
30. J. Neugebauer, T. K. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen, and R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 90, 056101 (2003).
31. E. Bellet-Amalric, C. Adelmann, E. Sarigiannidou, J. L. Rouvière, G. Feuillet, E. Monroy, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 95, 1127 (2004).
32. E. Iliopoulos and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 81, 295 (2002).
33. E. Monroy, B. Daudin, E. Bellet-Amalric, N. Gogneau, D. Jalabert, F. Enjalbert, J. Brault, J. Barjon, and Le Si Dang, J. Appl. Phys. 93, 1550 (2003).