High performance high-κ/metal gate complementary metal oxide semiconductor circuit element on flexible silicon

Applied Physics Letters

Volumn 108, Issue 9, 2016, Pages

  Torres Sevilla, G A ^a   Almuslem, A S ^a   Gumus, A ^a   Hussain, A M ^a   Cruz, M E ^a   Hussain, M M ^a  

^a KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Saudi Arabia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHIP SCALE PACKAGES; DIELECTRIC DEVICES; EXCIMER LASERS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; FLEXIBLE ELECTRONICS; METALLIC COMPOUNDS; METALS; MOS DEVICES; OXIDE SEMICONDUCTORS; REACTIVE ION ETCHING; RECONFIGURABLE HARDWARE; SILICON; TRANSISTORS; ULSI CIRCUITS;

CMOS COMPATIBLE; COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; FLEXIBLE ELECTRONIC SYSTEMS; GATE TRANSISTORS; GRINDING PROCESS; MECHANICAL BENDING; NODE TECHNOLOGY; ULTRALARGE SCALE INTEGRATION;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 84959458277     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4943020     Document Type: Article

References (35)

1. J. A. Rogers, M. G. Lagally, and R. G. Nuzzo, Nature 477, 45 (2011). 10.1038/nature10381
2. G. A. Torres Sevilla, M. T. Ghoneim, H. Fahad, J. P. Rojas, A. M. Hussain, and M. M. Hussain, ACS Nano 8, 9850 (2014). 10.1021/nn5041608
3. M. T. Ghoneim, N. Alfaraj, G. A. Torres Sevilla, H. M. Fahad, and M. M. Hussain, in 73rd Annual Device Research Conference (DRC), Columbus, OH (2015), pp. 95-96.
4. J. M. Nassar, A. M. Hussain, J. P. Rojas, and M. M. Hussain, Phys. Status Solidi RRL 8, 794 (2014). 10.1002/pssr.201409257
5. G. A. Torres Sevilla, J. P. Rojas, H. M. Fahad, A. M. Hussain, R. Ghanem, C. E. Smith, and M. M. Hussain, Adv. Mater. 26, 2794 (2014). 10.1002/adma.201305309
6. M. T. Ghoneim, A. Kutbee, F. Ghodsi Nasseri, G. Bersuker, and M. M. Hussain, Appl. Phys. Lett. 104, 234104 (2014). 10.1063/1.4882647
7. M. T. Ghoneim, M. A. Zidan, M. Y. Alnassar, A. N. Hanna, J. Kosel, K. N. Salama, and M. M. Hussain, Adv. Electron. Mater. 1 (6) (2015) 10.1002/aelm.201500045.
8. M. T. Ghoneim and M. M. Hussain, Appl. Phys. Lett. 107, 052904 (2015). 10.1063/1.4927913
9. G.-T. Hwang, D. Im, S. E. Lee, J. Lee, M. Koo, S. Y. Park, S. Kim, K. Yang, S. J. Kim, K. Lee, and K. J. Lee, ACS Nano 7, 4545 (2013). 10.1021/nn401246y
10. H. S. Lee, J. Chung, G.-T. Hwang, C. K. Jeong, Y. Jung, J.-H. Kwak, H. Kang, M. Byun, W. D. Kim, S. Hur, S.-H. Oh, and K. J. Lee, Adv. Funct. Mater. 24, 6914 (2014). 10.1002/adfm.201402270
11. H. Wu, D. Kong, Z. Ruan, P.-C. Hsu, S. Wang, Z. Yu, T. J. Carney, L. Hu, S. Fan, and Y. Cui, Nat. Nanotechnol. 8, 421 (2013). 10.1038/nnano.2013.84
12. G. A. Torres Sevilla, S. B. Inayat, J. P. Rojas, A. M. Hussain, and M. M. Hussain, Small 9, 3916 (2013). 10.1002/smll.201301025
13. J. P. Rojas, G. A. Torres Sevilla, N. Alfaraj, M. T. Ghoneim, A. T. Kutbee, A. Sridharan, and M. M. Hussain, ACS Nano 9, 5255 (2015). 10.1021/acsnano.5b00686
14. J. P. Rojas, G. A. Torres Sevilla, and M. M. Hussain, Sci. Rep. 3, 2609 (2013) 10.1038/srep02609.
15. A. Diab, G. A. Torres Sevilla, M. T. Ghoneim, and M. M. Hussain, Appl. Phys. Lett. 105, 133509 (2014). 10.1063/1.4897148
16. J. P. Rojas, G. A. Torres Sevilla, and M. M. Hussain, Appl. Phys. Lett. 102, 064102 (2013). 10.1063/1.4791693
17. J. P. Rojas, G. A. Torres Sevilla, M. T. Ghoneim, S. B. Inayat, S. M. Ahmed, A. M. Hussain, and M. M. Hussain, ACS Nano 8, 1468 (2014). 10.1021/nn405475k
18. J.-H. Ahn, H.-S. Kim, E. Menard, K. J. Lee, Z. Zhu, D.-H. Kim, R. G. Nuzzo, J. A. Rogers, I. Amlani, V. Kushner, S. G. Thomas, and T. Duenas, Appl. Phys. Lett. 90, 213501 (2007) 10.1063/1.2742294.
19. J. Yoon, A. J. Baca, S.-I. Park, P. Elvikis, J. B. Geddes, L. Li, R. H. Kim, J. Xiao, S. Wang, T.-H. Kim, M. J. Motala, B. Y. Ahn, E. B. Duoss, J. A. Lewis, R. G. Nuzzo, P. M. Ferreira, Y. Huang, A. Rockett, and J. A. Rogers, Nat. Mater. 7, 907 (2008). 10.1038/nmat2287
20. Y. M. Song, Y. Xie, V. Malyarchuk, J. Xiao, I. Jung, K.-J. Choi, Z. Liu, H. Park, C. Lu, R.-H. Kim, R. Li, K. B. Crozier, Y. Huang, and J. A. Rogers, Nature 497, 95 (2013). 10.1038/nature12083
21. J. A. Rogers, T. Someya, and Y. Huang, Science 327, 1603 (2010). 10.1126/science.1182383
22. L. Sun, G. Qin, J.-H. Seo, G. K. Celler, W. Zhou, and Z. Ma, Small 6, 2553 (2010). 10.1002/smll.201000522
23. S.-I. Park, Y. Xiong, R.-H. Kim, P. Elvikis, M. Meitl, D.-H. Kim, J. Wu, J. Yoon, C.-J. Yu, Z. Liu, Y. Huang, K.-C. Hwang, P. Ferreira, X. Li, K. Choquette, and J. A. Rogers, Science 325, 977 (2009). 10.1126/science.1175690
24. S.-K. Lee, H. Jang, M. Hasan, J. B. Koo, and J.-H. Ahn, Appl. Phys. Lett. 96, 173501 (2010) 10.1063/1.3409475.
25. H. C. Ko, M. P. Stoykovich, J. Song, V. Malyarchuk, W. M. Choi, C.-J. Yu, J. B. Geddes Iii, J. Xiao, S. Wang, Y. Huang, and J. A. Rogers, Nature 454, 748 (2008). 10.1038/nature07113
26. S. J. Kang, C. Kocabas, T. Ozel, M. Shim, N. Pimparkar, M. A. Alam, S. V. Rotkin, and J. A. Rogers, Nat. Nanotechnol. 2, 230 (2007). 10.1038/nnano.2007.77
27. D. Shahrjerdi and S. W. Bedell, Nano Lett. 13, 315 (2013). 10.1021/nl304310x
28. Y. Zhai, L. Mathew, R. Rao, D. Xu, and S. K. Banerjee, Nano Lett. 12, 5609 (2012). 10.1021/nl302735f
29. J. N. Burghartz, W. Appel, H. D. Rempp, and M. Zimmermann, IEEE Trans. Electron Dev. 56, 321 (2009). 10.1109/TED.2009.2010581
30. H. Sanda, J. McVittie, M. Koto, K. Yamagata, T. Yonehara, and Y. Nishi, IEDM Tech. Digest 2005, 679-682 10.1109/IEDM.2005.1609442.
31. S.-J. Kim and J.-S. Lee, Nano Lett. 10, 2884 (2010). 10.1021/nl1009662
32. L. Polavarapu, K. K. Manga, H. D. Cao, K. P. Loh, and Q.-H. Xu, Chem. Mater. 23, 3273 (2011). 10.1021/cm200471s
33. T. W. Kelley, P. F. Baude, C. Gerlach, D. E. Ender, D. Muyres, M. A. Haase, D. E. Vogel, and S. D. Theiss, Chem. Mater. 16, 4413 (2004). 10.1021/cm049614j
34. A. H. Najafabadi, A. Tamayol, N. Annabi, M. Ochoa, P. Mostafalu, M. Akbari, M. Nikkhah, R. Rahimi, M. R. Dokmeci, S. Sonkusale, B. Ziaie, and A. Khademhosseini, Adv. Mater. 26, 5823 (2014). 10.1002/adma.201401537
35. K. Jamin, J. Youngin, L. Myeongwon, and K. Sangsig, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 50, 065001 (2011). 10.1143/JJAP.50.065001