Flexible Lamination Encapsulation

Advanced Materials

Volumn 27, Issue 29, 2015, Pages 4308-4314

  Park, Min Ho ^a   Kim, Jin You ^b   Han, Tae Hee ^a   Kim, Tae Sik ^a   Kim, Hobeom ^a   Lee, Tae Woo ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b POSCO 1 Goedong dong ^*  (South Korea)

Author keywords

metal foils; organic electronic devices (OEDs); organic light emitting diodes; passivation; PDMS; roll to roll process

Indexed keywords

FLEXIBLE DISPLAYS; LIGHT EMITTING DIODES; METAL FOIL; PASSIVATION; THERMOELECTRIC EQUIPMENT;

CAPSULATION; ENCAPSULATION METHODS; GLASS ENCAPSULATION; MASS PRODUCTION; ORGANIC ELECTRONIC DEVICES; PDMS; ROLL-TO-ROLL PROCESS;

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED);

EID: 84938414648     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201501856     Document Type: Article

References (77)

1. a) S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, K. Leo, Nature 2009, 459, 234
2. b) M. Mesta, M. Carvelli, R. J. D. Vries, H. V. Eersel, J. J. M. V. D. Holst, M. Schober, M. Furno, B. Lüssem, K. Leo, P. Loebl, R. Coehoorn, P. A. Bobbert, Nat. Mater. 2013, 12, 652
3. c) Y.-J. Pu, G. Nakata, F. Satoh, H. Sasabe, D. Yokoyama, J. Kido, Adv. Mater. 2012, 24, 1765
4. d) M. L. Chabinyc, W. S. Wong, A. C. Arias, S. Ready, R. A. Lujan, J. H. Daniel, B. Krusor, R. B. Apte, A. Salleo, R. A. Street, Proc. IEEE 2005, 93, 1491
5. e) J. Park, J. Lee, D. Shin, S. Park, J. Disp. Technol. 2009, 5, 306
6. f) A. C. Arias, J. D. MacKenzie, I. McCulloch, J. Rivnay, A. Salleo, Chem. Rev. 2010, 110, 3
7. g) M. Eritt, C. May, K. Leo, M. Toerker, C. Radehaus, Thin Solid Films 2010, 518, 3042
8. h) P. Kopola, M. Tuomikoski, R. Suhonen, A. Maaninen, Thin Solid Films 2009, 517, 5757
9. i) T.-W. Koh, J.-M. Choi, S. Lee, S. Yoo, Adv. Mater. 2010, 22, 1849
10. j) T. Sekitani, T. Someya, Adv. Mater. 2010, 22, 2228
11. k) S. P. Price, J. Henzie, T. W. Odom, Small 2007, 3, 372
12. l) J. Park, J. Lee, Y.-Y. Noh, Org. Electron. 2012, 13, 184
13. m) S.-Y. Min, T.-S. Kim, B. J. Kim, H. Cho, Y.-Y. Noh, H. Yang, J. H. Cho, T.-W. Lee, Nat. Commun. 2013, 4, 1773
14. n) Y.-H. Kim, H. Cho, J. H. Heo, T.-S. Kim, N. Myoung, C.-L. Lee, S. H. Im, T.-W. Lee, Adv. Mater. 2015, 27, 1248.
15. a) Y.-S. Park, J.-W. Kang, D. M. Kang, J.-W. Park, Y.-H. Kim, S.-K. Kwon, J.-J. Kim, Adv. Mater. 2008, 20, 1957
16. b) B. R. Lee, J.-W. Kim, D. Kang, D. W. Lee, S.-J. Ko, H. J. Lee, C.-L. Lee, J. Y. Kim, H. S. Shin, M. H. Song, ACS Nano 2012, 6, 2984
17. c) Y.-S. Park, S. Lee, K.-H. Kim, S.-Y. Kim, J.-H. Lee, J.-J. Kim, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 4914
18. d) Y.-J. Pu, A. Kamiya, K.-I. Nakayama, J. Kido, Org. Electron. 2010, 11, 479
19. e) Y.-J. Pu, M. Miyamoto, K.-I. Nakayama, T. Oyama, Y. Masaaki, J. Kido, Org. Electron. 2009, 10, 228
20. f) Y.-H. Kim, T.-H. Han, H. Cho, S.-Y. Min, C.-L. Lee, T.-W. Lee, Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 3808
21. g) J. H. Kim, J.-Y. Cho, J. Park, B. K. Lee, K.-H. Baek, H. Lee, L.-M. Do, Electron. Mater. Lett. 2014, 10, 27
22. h) S. J. Lee, J. R. Koo, H. W. Lee, S. E. Lee, H. J. Yang, S. S. Yoon, J. Park, Y. K. Kim, Electron. Mater. Lett. 2014, 10, 1127.
23. a) R. R. Sondergaard, M. Hosel, F. C. Krebs, J. Polym. Sci. Part B: Polym. Phys. 2013, 51, 16
24. b) F. C. Krebs, Org. Electron. 2009, 10, 761.
25. a) H. Aziz, Z. D. Popovic, N.-X. Hu, A.-M. Hor, Gu Xu, Science 1999, 283, 1900
26. b) F. So, D. Kondakov, Adv. Mater. 2010, 22, 3762
27. c) B. D. Chin, C. Lee, Adv. Mater. 2007, 19, 2061
28. d) R. Seifert, I. R. Moraes, S. Scholz, M. C. Gather, B. Lüssem, K. Leo, Org. Electron. 2013, 14, 115
29. e) S. Y. Kim, K. Y. Kim, Y.-H. Tak, J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 132108
30. f) H. Yamamoto, C. Adachi, M. S. Weaver, J. J. Brown, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 183306
31. g) T.-H. Han, W. Song, T.-W. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 3117
32. h) T.-W. Lee, M.-G. Kim, S. H. Park, S. Y. Kim, O. Kwon, T. Noh, J.-J. Park, T.-L. Choi, J. H. Park, B. D. Chin, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1863
33. i) T.-W. Lee, T. Noh, H.-W. Shin, O. Kwon, J.-J. Park, B.-K. Choi, M.-S. Kim, D. W. Shin, Y.-R. Kim, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1625
34. j) T.-W. Lee, M.-G. Kim, S. Y. Kim, S. H. Park, T. Y. Noh, T.-S. Oh, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 123505.
35. a) J. S. Lewis, M. S. Weaver, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2004, 10, 45
36. b) H. Ham, J. Park, Y. Kim, Org. Electron. 2011, 12, 2174
37. c) J. B. Williams, K. D. Frischknecht, M. D. Hubert, A. K. Saafir, J. D. Tremel, J. Soc. Inf. Disp. 2007, 15, 103.
38. J. Granstrom, J. S. Swensen, J. S. Moon, G. Rowell, J. Yuen, A. J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 193304.
39. a) J. Meyer, P. Gorrn, F. Bertram, S. Hamwi, T. Winkler, H.-H. Johannes, T. Weimann, P. Hinze, T. Riedl, W. Kowalsky, Adv. Mater. 2009, 21, 1845
40. b) A. P. Ghosh, L. J. Gerenser, C. M. Jarman, J. E. Fornalik, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 223503
41. c) A. B. Chwang, M. A. Rothman, S. Y. Mao, R. H. Hewitt, M. S. Weaver, J. A. Silvernail, K. Rajan, M. Hack, J. J. Brown, X. Chu, L. Moro, T. Krajewski, N. Rutherford, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 413
42. d) S. H. K. Park, J. Oh, C. S. Hwang, J. I. Lee, Y. S. Yang, H. Y. Chu, Electrochem. Solid-State Lett. 2005, 8, H21
43. e) C. Y. Chang, C. T. Chou, Y. J. Lee, M. J. Chen, F. Y. Tsai, Org. Electron. 2009, 10, 1300
44. f) N. Kim, Jr.W. J. Potscavage , B. Domercq, B. Kippelen, S. Graham, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 163308
45. g) S. J. Yun, Y.-W. Ko, J. W. Lim, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4896
46. h) W. J. Potscavage, S. Yoo, B. Domercq, B. Kippelen, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 253511
47. i) J. Meyer, D. Schneidenbach, T. Winkler, S. Hamwi, T. Weimann, P. Hinze, S. Ammermann, H.-H. Johannes, T. Riedl, W. Kowalsky, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 233305.
48. Y. C. Han, C. Jang, K. J. Kim, K. C. Choi, K. Jung, B.-S. Bae, Org. Electron. 2011, 12, 609.
49. J. S. Shim, H. J. Yu, Y. K. Cho, S. M. Lee, S. K. Jang, KR Patent 10-1373945, 2014.
50. G. H. Kim, J. Oh, Y. S. Yang, L.-M. Do, K. S. Suh, Polymer 2004, 45, 1879.
51. a) R.-Q Ma, K. Rajan, M. Hack, J. J. Brown, J. H. Cheon, S. H. Kim, M. H. Kang, W. G. Lee, J. Jang, SID Symp. DIGEST 2008, 39, 425
52. b) C. C. Wu, S. D. Theiss, G. Gu, M. H. Lu, J. C. Sturm, S. Wagner, S. R. Forrest, IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 609
53. c) F.-C. Chen, J.-L. Wu, C.-L. Lee, W.-C. Huang, H.-M. P. Chen, W.-C. Chen, IEEE Electron Devices Lett. 2009, 30, 727
54. d) J. H. Cheon, J. H. Choi, J. H. Hur, J. Jang, H. S. Shin, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. K. Chung, IEEE Trans. Electron Devices 2006, 53, 1273
55. e) J.-S. Yoo, S.-H. Jung, Y.-C. Kim, S.-C. Byun, J.-M. Kim, N.-B. Choi, S.-Y. Yoon, C.-D. Kim, Y.-K. Hwang, I.-J. Chung, J. Display Tech. 2010, 6, 565
56. f) M. N. Troccoli, A. J. Roudbari, T.-K. Chuang, M. K. Hatalis, Solid-State Electron. 2006, 50, 1080
57. g) F. Templier, B. Aventurier, P. Demars, J.-L. Botrel, P. Martin, Thin Solid Films 2007, 515, 7428.
58. a) Y.-L. Loo, T. Someya, K. W. Baldwin, Z. Bao, P. Ho, A. Dodabalapur, H. E. Katz, J. A. Rogers, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2002, 99, 10252
59. b) D. A. Bernards, T. Biegala, Z. A. Samuels, J. D. Slinker, G. G. Malliaras, S. Flores-Torres, H. D. Abruña, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3675
60. c) T.-W. Lee, J. Zaumseil, Z. Bao, J. W. P. Hsu, J. A. Rogers, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2004, 101, 429
61. d) T.-W. Lee, J. Zaumseil, S. H. Kim, J. W. P. Hsu, Adv. Mater. 2004, 16, 2040
62. e) T.-W. Lee, S. Jeon, J. Maria, J. Zaumseil, J. W. P. Hsu, J. A. Rogers, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1435.
63. a) T.-W. Lee, Y. Chung, O. Kwon, J.-J. Park, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 390
64. b) M.-R. Choi, T.-H. Han, K.-G. Lim, S.-H. Woo, D. H. Huh, T.-W. Lee, Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 6274
65. c) T.-H. Han, Y. Lee, M.-R. Choi, S.-H. Woo, S.-H. Bae, B. H. Hong, J.-H. Ahn, T.-W. Lee, Nat. Photon. 2012, 6, 105
66. d) T.-H. Han, M.-R. Choi, S.-H. Woo, S.-Y. Min, T.-W. Lee, Adv. Mater. 2012, 24, 1487
67. e) T.-W. Lee, O. Kwon, M.-G. Kim, S. H. Park, J. Chung, S. Y. Kim, Y. Chung, J.-Y. Park, E. Han, D. H. Huh, J.-J. Park, L. Pu, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 231106.
68. a) J.-S. Park, H. Chae, H. K. Chung, S. I. Lee, Semicond. Sci. Technol. 2011, 26, 034001
69. b) J. H. Choi, Y. M. Kim, Y. W. Park, J. W. Huh, B. K. Ju, I. S. Kim, H. N. Hwang, Rev. Sci. Instrum. 2007, 78, 064701
70. c) R. Paetzold, A. Winnacker, D. Henseler, V. Cesari, K. Heuser, Rev. Sci. Instrum. 2003, 74, 5147.
71. a) D. R. Cairns, G. P. Crawford, Proc. IEEE 2005, 93, 1451
72. b) Z. Chen, B. Cotterell, W. Wang, E. Guenther, S.-J. Chua, Thin Solid Films 2001, 394, 202.
73. a) C.-J. Chiang, C. Winscom, S. Bull, A. Monkman, Org. Electron. 2009, 10, 1268
74. b) S. Grego, J. Lewis, E. Vick, D. Temple, J. Soc. Inf. Disp. 2005, 13, 575.
75. a) Z. Suo, E. Y. Ma, H. Gleskova, S. Wagner, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1177
76. b) C.-C. Lee, Thin Solid Films 2013, 544, 443.
77. J. H. Koschwanez, R. H. Carlson, D. R. Meldrum, PLoS One 2009, 4, e4572.