Controllable n-type doping on CVD-grown single- And double-layer graphene mixture

Advanced Materials

Volumn 27, Issue 9, 2015, Pages 1619-1623

  Xu Dr, Wentao ^a   Wang, Lihua ^b   Liu, Yiwen ^a   Thomas, Simil ^b   Seo, Hong Kyu ^a   Kim, Kwang Ik ^a   Kim, Kwang S ^b   Lee, Tae Woo ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Ulsan National Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

Band gap opening; Decamethylcobaltocene; Electrohydrodynamic; Graphene; Work function tuning

Indexed keywords

ELECTROHYDRODYNAMICS; ENERGY GAP; GRAPHENE; SEMICONDUCTOR DOPING; WORK FUNCTION;

BANDGAP OPENINGS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS (CVD); CVD-GROWN GRAPHENE; DECAMETHYLCOBALTOCENE; GAP OPENING; QUASI-LINEAR RELATIONSHIP; SOLUTION CONCENTRATION; WORK FUNCTION TUNING;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 84923796033     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201405353     Document Type: Article

References (58)

1. a) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666;
2. b) F. Schwierz, Nature 2011, 472, 41;
3. c) L. Ma, J. Wang, F. Ding, ChemPhysChem 2013, 14, 47;
4. d) S.-J. Byun, H. Lim, G.-Y. Shin, T.-H. Han, S. H. Oh, J.-H. Ahn, H. C. Choi, T.-W. Lee, J. Phys. Chem. Lett. 2011, 2, 493;
5. e) Z. Yan, J. Lin, Z. Peng, Z. Sun, Y. Zhu, L. Li, C. Xiang, E. L. Samuel, C. Kittrell, J. M. Tour, ACS Nano 2012, 6, 9110;
6. f) K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, B. H. Hong, Nature 2009, 457, 706;
7. g) H. Kim, E. Kim, W.-J. Lee, J. Jung, Electron. Mater. Lett. 2013, 9, 417;
8. h) M. Kim, H. An, W.-J. Lee, J. Jung, Electron. Mater. Lett. 2013, 9, 517.
9. a) T.-H. Han, Y. Lee, M.-R. Choi, S.-H. Woo, S.-H. Bae, B. H. Hong, J.-H. Ahn, T.-W. Lee, Nat. Photonics 2012, 6, 105;
10. b) S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574.
11. H. Liu, Y. Liu, D. Zhu, J. Mater. Chem. 2011, 21, 3335.
12. J. Park, S. B. Jo, Y.-J. Yu, Y. Kim, J. W. Yang, W. H. Lee, H. H. Kim, B. H. Hong, P. Kim, K. Cho, K. S. Kim, Adv. Mater. 2012, 24, 407.
13. I.-Y. Lee, H.-Y. Park, J.-H. Park, J. Lee, W.-S. Jung, H.-Y. Yu, S.-W. Kim, G.-H. Kim, J.-H. Park, Org. Electron. 2013, 14, 1586.
14. X. Wang, X. Li, L. Zhang, Y. Yoon, P. K. Weber, H. Wang, J. Guo, H. Dai, Science 2009, 324, 768.
15. a) H. Wang, T. Maiyalagan, X. Wang, ACS Catal. 2012, 2, 781;
16. b) B. Guo, L. Fang B. Zhang, J. R. Gong, Insci. J. 2011, 1, 80;
17. c) B. Guo, Q. Liu, E. Chen, H. Zhu, L. Fang, J. R. Gong, Nano Lett. 2010, 10, 4975;
18. d) A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Jiang, D. Piscanec, K. S. Novoselov, S. Roth, A. K. Gein, Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 187401;
19. e) U. N. Maiti, W. J. Lee, J. M. Lee, Y. Oh, J. Y. Kim, J. E. Kim, J. Shim, T. H. Han, S. O. Kim, Adv. Mater. 2014, 26, 40;
20. f) J. M. Yun, S. Park, Y. H. Hwang, E.-S. Lee, U. Maiti, H. Moon, B.-H. Kim, B.-S. Bae, Y.-H. Kim, S. O. Kim, ACS Nano 2014, 8, 650;
21. g) J. O. Hwang, J. S. Park, D. S. Choi, J. Y. Kim, S. H. Lee, K. E. Lee, Y.-H. Kim, M. H. Song, S. Yoo, S. O. Kim, ACS Nano 2012, 6, 159.
22. a) X. Li, W. Cai, L. Colombo, R. S. Ruoff, Nano Lett. 2009, 9, 4268;
23. b) I. Vlassiouk, M. Regmi, P. Fulvio, S. Dai, P. Datskos, G. Eres, S. Smirnov, ACS Nano 2013, 7, 2790;
24. c) J. K. Wassei, M. Mecklenburg, J. A. Torres, J. D. Fowler, B. C. Regan, R. B. Kaner, B. H. Weiller, Small 2012, 8, 1415.
25. P. Wei, N. Liu, H. R. Lee, E. Adijanto, L. Ci, B. D. Naab, J. Q. Zhong, J. Park, W. Chen, Y. Cui, Z. Bao, Nano Lett. 2013, 13, 1890.
26. A. N. Sokolov, F. L. Yap, N. Liu, K. Kim, L. Ci, O. B. Johnson, H. Wang, M. Vosgueritchian, A. L. Koh, J. Chen, J. Park, Z. Bao, Nat. Commun. 2013, 4, 2402.
27. C. K. Chan, W. Zhao, S. Barlow, S. Marder, A. Kahn, Org. Electron. 2008, 9, 575.
28. C. V. Chan, A. Kahn, Appl. Phys. A. 2009, 95, 7.
29. A. J. Samuels, J. D. Carey, ACS Nano 2013, 7, 2790.
30. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 210.
31. A. C. Farrari, D. M. Basko, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 235.
32. X. Dong, D. Fu, W. Fang, Y. Shi, P. Chen, L.-J. Li, Small 2009, 5, 1422.
33. a) H.-J. Shin, S. M. Kim, S.-M. Yoon, A. Benayad, K. K. Kim, S. J. Kim, H. K. Park, J.-Y. Choi, Y. H. Lee, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 2062;
34. b) R. Voggu, C. S. Rout, A. D. Franklin, T. S. Fisher, C. N. R. Rao, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 13053.
35. S. Pisana, M. Lazzeri, C. Casiraghi, K. S. Novoselov, A. K. Geim, A. C. Ferrari, F. Mauri, Nat. Mater. 2007, 6, 198.
36. J. Park, W. H. Lee, S. Huh, S. H. Sim, S. B. Kim, K. Cho, B. H. Hong, K. S. Kim, J. Phys. Chem. Lett. 2011, 2, 841.
37. T. Fang, A. Konar, H. Xing, D. Jena, App. Phys. Lett. 2007, 91, 092109.
38. F or ε was obtained by offsetting φ with that of the concentration corresponding to the zero gate voltage in Figure 4e.
39. A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 2009, 81, 109.
40. a) B. J. Kim, S.-K. Lee, M. S. Kang, J.-H. Ahn, J. H. Cho, ACS Nano 2012, 6, 8646;
41. b) S.-K. Lee, B. J. Kim, H. Jang, S. C. Yoon, C. Lee, B. H. Hong, J. A. Rogers, J. H. Cho, J.-H. Ahn, Nano Lett. 2011, 11, 4642;
42. c) J. M. Yun, S. Park, Y. H. Hwang, E.-S. Lee, U. Maiti, H. Moon, B.-H. Kim, B.-S. Bae, Y.-H. Kim, S. O. Kim, ACS Nano 2014, 8, 650;
43. d) S.-Y. Chen, P.-H. Ho, R.-J. Shiue, C.-W. Chen, W.-H. Wang, Nano Lett. 2012, 12, 964;
44. e) J. Lee, L. Tao, K. N. Parrish, Y. Hao, R. S. Ruoff, D. Akinwande, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 252109;
45. f) A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, J. Kong, Nano Lett. 2009, 9, 30.
46. S.-Y. Min, T.-S. Kim, B. J. Kim, H. Cho, Y.-Y. Noh, H. Yang, J. H. Cho, T.-W. Lee, Nat. Commun. 2013, 4, 1773.
47. a) W. Xu, T.-S. Lim, H.-K. Seo, S.-Y. Min, H. Cho, M.-H. Park, Y.-H. Kim, T.-W. Lee, Small 2014, 10, 1999;
48. b) W. Xu, H.-K. Seo, S.-Y. Min, H. Cho, T.-S. Lim, C.-y. Oh, Y. Lee, T.-W. Lee, Adv. Mater. 2014, 26, 3459.
49. a) Z. Cheng, Q. Zhou, C. Wang, Q. Li, C. Wang, Y. Fang, Nano Lett. 2011, 11, 767;
50. b) Y.-C. Lin, C.-C. Lu, C.-H. Yeh, C. Jin, K. Suenaga, P.-W. Chiu, Nano Lett. 2012, 12, 414;
51. c) F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 652.
52. A. Pirkle, J. Chan, A. Venugopal, D. Hinojos, C. W. Magnuson, S. McDonnell, L. Colombo, E. M. Vogel, R. S. Ruoff, R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 122108.
53. J. W. Suk, W. H. Lee, J. Lee, H. Chou, R. D. Piner, Y. Hao, D. Akinwande, R. S. Ruoff, Nano Lett. 2013, 13, 1462.
54. a) F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 487;
55. I. Martin- Fernandez, D. Wang, Y. Zhang, Nano Lett. 2012, 12, 6175.
56. S. Some, J. Kim, L. Lee, A. Kulkarni, Y. Yoon, S. M. Lee, T. Kim, H. Lee, Adv. Mater. 2012, 24, 5481.
57. a) F. N. Xia, D. B. Farmer, Y. M. Lin, P. Avouris, Nano. Lett. 2010, 10, 715;
58. b) W. Zhang, C.-T. Lin, K.-K. Liu, T. Tite, C.-Y. Su, C.-H. Chang, Y.-H. Lee, C.-W. Chu, K.-H. Wei, J.-L. Kuo, L.-J. Li, ACS Nano 2011, 5, 7517.