Gate-tunable resonant tunneling in double bilayer graphene heterostructures

Nano Letters

Volumn 15, Issue 1, 2015, Pages 428-433

  Fallahazad, Babak ^a   Lee, Kayoung ^a   Kang, Sangwoo ^a   Xue, Jiamin ^a   Larentis, Stefano ^a   Corbet, Christopher ^a   Kim, Kyounghwan ^a   Movva, Hema C P ^a   Taniguchi, Takashi ^b   Watanabe, Kenji ^b   Register, Leonard F ^a   Banerjee, Sanjay K ^a   Tutuc, Emanuel ^a  

^a The University of Texas at Austin   (United States)

^b NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

Bilayer graphene; heterostructure; hexagonal boron nitride; negative differential resistance; resonant tunneling; tunneling field effect transistor

Indexed keywords

ALIGNMENT; BORON NITRIDE; CHEMICAL ANALYSIS; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; HETEROJUNCTIONS; NEGATIVE RESISTANCE; NITRIDES;

BILAYER GRAPHENE; HETEROSTRUCTURE; HEXAGONAL BORON NITRIDE; NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCES; TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTORS;

RESONANT TUNNELING;

EID: 84920948552     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl503756y     Document Type: Article

References (27)

1. Dean, C. R.; Young, A. F.; Meric, I.; Lee, C.; Wang, L.; Sorgenfrei, S.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Shepard, K. L.; Hone, J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722-726
2. Geim, A. K.; Grigorieva, I. V. Nature 2013, 499, 419-425
3. Kim, S.; Tutuc, E. Solid State Commun. 2012, 152, 1283-1288
4. Gorbachev, R. V.; Geim, A. K.; Katsnelson, M. I.; Novoselov, K. S.; Tudorovskiy, T.; Grigorieva, I. V.; MacDonald, A. H.; Morozov, S. V.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Ponomarenko, L. A. Nat. Phys. 2012, 8, 896-901
5. Mishchenko, A.; Tu, J. S.; Cao, Y.; Gorbachev, R. V.; Wallbank, J. R.; Greenaway, M. T.; Morozov, V. E.; Morozov, S. V.; Zhu, M. J.; Wong, S. L.; Withers, F.; Woods, C. R.; Kim, Y.-J.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Vdovin, E. E.; Makarovsky, O.; Fromhold, T. M.; Fal'ko, V. I.; Geim, A. K.; Eaves, L.; Novoselov, K. S. Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 808-813
6. Britnell, L.; Gorbachev, R. V.; Jalil, R.; Belle, B. D.; Schedin, F.; Mishchenko, A.; Georgiou, T.; Katsnelson, M. I.; Eaves, L.; Morozov, S. V.; Peres, N. M. R.; Leist, J.; Geim, A. K.; Novoselov, K. S.; Ponomarenko, L. A. Science 2012, 335, 947-950
7. Eisenstein, J. P.; Pfeiffer, L. N.; West, K. W. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 1497-1499
8. Turner, N.; Nicholls, J. T.; Linfield, E. H.; Brown, K. M.; Jones, G. A. C.; Ritchie, D. A. Phys. Rev. B 1996, 54, 10614-10624
9. Hayden, R. K.; Maude, D. K.; Eaves, L.; Valadares, E. C.; Henini, M.; Sheard, F. W.; Hughes, O. H.; Portal, J. C.; Cury, L. Phys. Rev. Lett. 1991, 66, 1749
10. Eisenstein, J. P.; Syphers, D.; Pfeiffer, L. N.; West, K. W. Solid State Commun. 2007, 143, 365-368
11. Misra, S.; Bishop, N. C.; Tutuc, E.; Shayegan, M. Phys. Rev. B 2008, 77, 161301
12. Banerjee, S. K.; Register, L. F.; Tutuc, E.; Reddy, D.; MacDonald, A. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 158-160
13. Zhao, P.; Feenstra, R. M.; Gu, G.; Jena, D. IEEE Trans. Electron Devices 2013, 60, 951-957
14. McCann, E.; Fal'ko, V. I. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 086805
15. Zhang, Y.; Tang, T.-T.; Girit, C.; Hao, Z.; Martin, M. C.; Zettl, A.; Crommie, M. F.; Shen, Y. R.; Wang, F. Nature 2009, 459, 820-823
16. Min, H.; Sahu, B.; Banerjee, S. K.; MacDonald, A. H. Phys. Rev. B 2007, 75, 155115
17. Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kanda, H. Nat. Mater. 2004, 3, 404-409
18. Lee, G.-H.; Yu, Y.-J.; Lee, C.; Dean, C.; Shepard, K. L.; Kim, P.; Hone, J. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 243114
19. Lee, K.; Fallahazad, B.; Xue, J.; Dillen, D. C.; Kim, K.; Taniguchi, T.; Watanabe, K.; Tutuc, E. Science 2014, 345, 58-61
20. Wang, L.; Meric, I.; Huang, P. Y.; Gao, Q.; Gao, Y.; Tran, H.; Taniguchi, T.; Watanabe, K.; Campos, L. M.; Muller, D. A.; Guo, J.; Kim, P.; Hone, J.; Shepard, K. L.; Dean, C. R. Science 2013, 342, 614-617
21. Mayorov, A. S.; Gorbachev, R. V.; Morozov, S. V.; Britnell, L.; Jalil, R.; Ponomarenko, L. A.; Blake, P.; Novoselov, K. S.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Geim, A. K. Nano Lett. 2011, 11, 2396-2399
22. Kim, S.; Jo, I.; Dillen, D. C.; Ferrer, D. A.; Fallahazad, B.; Yao, Z.; Banerjee, S. K.; Tutuc, E. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 116404
23. Kim, S.; Nah, J.; Jo, I.; Shahrjerdi, D.; Colombo, L.; Yao, Z.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 062107
24. Britnell, L.; Gorbachev, R. V.; Jalil, R.; Belle, B. D.; Schedin, F.; Katsnelson, M. I.; Eaves, L.; Morozov, S. V.; Mayorov, A. S.; Peres, N. M. R.; Castro Neto, A. H.; Leist, J.; Geim, A. K.; Ponomarenko, L. A.; Novoselov, K. S. Nano Lett. 2012, 12, 1707-1710
25. Reddy, D.; Register, L. F.; Banerjee, S. K. Device Research Conference (DRC) 2012, 73-74
26. Brey, L. Phys. Rev. Appl. 2014, 2, 014003
27. Feenstra, R. M.; Jena, D.; Gu, G. J. Appl. Phys. 2012, 111, 043711