High mobility field effect transistor based on BaSnO3with Al2O3 gate oxide

Applied Physics Letters

Volumn 105, Issue 20, 2014, Pages

  Park, Chulkwon ^a   Kim, Useong ^a   Ju, Chan Jong ^a   Park, Ji Sung ^a   Kim, Young Mo ^a   Char, Kookrin ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; ATOMIC LAYER DEPOSITION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GATES (TRANSISTOR); METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; PEROVSKITE;

ACCUMULATION MODES; CONVENTIONAL METALS; DENSITY OF CHARGES; FIELD-EFFECT MOBILITIES; HIGH-MOBILITY FIELD-EFFECT TRANSISTORS; PEROVSKITE OXIDES; SUBTHRESHOLD SWING; THREADING DISLOCATION;

TRANSISTORS;

EID: 84911385372     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4901963     Document Type: Article

References (31)

1. K. Char, D. K. Fork, T. H. Geballe, S. S. Laderman, R. C. Taber, R. D. Jacowitz, F. Bridges, G. A. N. Connell, and J. B. Boyce, Appl. Phys. Lett. 56, 785 (1990).
2. Y. S. Kim, D. H. Kim, J. D. Kim, Y. J. Chang, T. W. Noh, J. H. Kong, K. Char, Y. D. Park, S. D. Bu, J.-G. Yoon, and J.-S. Chung, Appl. Phys. Lett. 86, 102907 (2005).
3. G. Łupina, O. Seifarth, G. Kozłowski, P. Dudek, J. Dabrowski, G. Lippert, and H.-J. Müssig, Microelectron. Eng. 86, 1842 (2009).
4. S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, and L. H. Chen, Science 264, 413 (1994).
5. S. R. Basu, L. W. Martin, Y. H. Chu, M. Gajek, R. Ramesh, R. C. Rai, X. Xu, and J. L. Musfeldt, Appl. Phys. Lett. 92, 091905 (2008).
6. A. Sharan, J. Lettieri, Y. Jia, W. Tian, X. Pan, D. G. Schlom, and V. Gopalani, Phys. Rev. B 69, 214109 (2004).
7. H. J. Kim, U. Kim, H. M. Kim, T. H. Kim, H. S. Mun, B.-G. Jeon, K. T. Hong, W.-J. Lee, C. Ju, K. H. Kim, and K. Char, Appl. Phys. Express 5, 061102 (2012).
8. U. Kim, C. K. Park, T. W. Ha, R. Y. Kim, H. S. Mun, H. M. Kim, H. J. Kim, T. H. Kim, N. W. Kim, J. Yu, K. H. Kim, J. H. Kim, and K. Char, APL Mater. 2, 056107 (2014).
9. H. H. Wang, D. F. Cui, S. Y. Dai, H. B. Lu, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, J. Appl. Phys. 90, 4664 (2001).
10. J. H. Cho and H. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 79, 1426 (2001).
11. R. P. Wang and C. J. Tao, J. Cryst. Growth 245, 63 (2002).
12. K. Ueda, H. Yanagi, H. Hosono, and H. Kawazoe, Phys. Rev. B 56, 12998 (1997).
13. K. Ueno, I. H. Inoue, H. Akoh, M. Kawasaki, Y. Tokura, and H. Takagi, Appl. Phys. Lett. 84, 3726 (2004).
14. K. Ueno, I. H. Inoue, H. Akoh, M. Kawasaki, Y. Tokura, and H. Takagi, Appl. Phys. Lett. 83, 1755 (2003).
15. K. Shibuya, T. Ohnishi, M. Lippmaa, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 85, 425 (2004).
16. K. Shibuya, T. Ohnishi, T. Uozumi, T. Sato, M. Lippmaa, M. Kawasaki, K. Nakajima, T. Chikyow, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 88, 212116 (2006).
17. K. Nishio, T. Abe, R. Takahashi, and M. Lippmaa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 49, 125701 (2010).
18. H. J. Kim, U. Kim, T. H. Kim, J. Kim, H. M. Kim, B.-G. Jeon, W.-J. Lee, H. S. Mun, K. T. Hong, J. Yu, K. Char, and K. H. Kim, Phys. Rev. B 86, 165205 (2012).
19. X. Luo, Y. S. Oh, A. Sirenko, P. Gao, T. A. Tyson, K. Char, and S.-W. Cheong, Appl. Phys. Lett. 100, 172112 (2012).
20. H. Mun, U. Kim, H. M. Kim, C. K. Park, T. H. Kim, H. J. Kim, K. H. Kim, and K. Char, Appl. Phys. Lett. 102, 252105 (2013).
21. H.-R. Liu, J.-H. Yang, H. J. Xiang, X. G. Gong, and S.-H. Wei, Appl. Phys. Lett. 102, 112109 (2013).
22. S. K. Vasheghani Farahani, T. D. Veal, A. M. Sanchez, O. Bierwagen, M. E. White, S. Gorfman, P. A. Thomas, J. S. Speck, and C. F. McConville, Phys. Rev. B 86, 245315 (2012).
23. J. Jasinski and Z. Liliental-Weber, J. Electron. Mater. 31, 429 (2002).
24. C. M. Tanner, Y.-C. Perng, C. Frewin, S. E. Saddow, and J. P. Chang, Appl. Phys. Lett. 91, 203510 (2007).
25. W. L. Kalb and B. Batlogg, Phys. Rev. B 81, 035327 (2010).
26. J. J. H. Gielis, B. Hoex, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 104, 073701 (2008).
27. I. S. Jeon, J. Park, D. Eom, C. S. Hwang, H. J. Kim, C. J. Park, H. Y. Coh, J.-H. Lee, N.-I. Lee, and H.-K. Kang, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 42, 1222 (2003).
28. M. B. González, J. M. Rafí, O. Beldarrain, M. Zabala, and F. Campabadal, J. Vac. Sci. Technol., B 31, 01A101 (2013).
29. 3" (unpublished).
30. J. Sun, A. Lu, L. Wang, Y. Hu, and Q. Wan, Nanotechnology 20, 335204 (2009).
31. C. Bae, D. Kim, S. Moon, T. Choi, Y. Kim, B. S. Kim, J.-S. Lee, H. Shin, and J. Moon, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 626 (2010).