Dopant-site-dependent scattering by dislocations in epitaxial films of perovskite semiconductor BaSnO3

APL Materials

Volumn 2, Issue 5, 2014, Pages

  Kim, Useong ^a   Park, Chulkwon ^a   Ha, Taewoo ^b   Kim, Rokyeon ^a   Mun, Hyo Sik ^a   Kim, Hoon Min ^a   Kim, Hyung Joon ^a   Kim, Tai Hoon ^a   Kim, Namwook ^a   Yu, Jaejun ^a   Kim, Kee Hoon ^a   Kim, Jae Hoon ^b   Char, Kookrin ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84903291774     PISSN: None     EISSN: 2166532X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4874895     Document Type: Article

References (44)

1. T. Ohori, S. Ohkubo, K. Kasai, and J. Komeno, J. Appl. Phys. 75, 3681 (1994).
2. S.W. Kaun, P. G. Burke, M. H.Wong, E. C. H. Kyle, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 101, 262102 (2012).
3. S. Krasavina, J. Appl. Phys. 105, 126104 (2009).
4. M. Gurusinghe and T. Andersson, Phys. Rev. B 67, 235308 (2003).
5. D. Look and J. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).
6. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
7. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
8. H. J. Kim, U. Kim et al., Appl. Phys. Express 5, 061102 (2012).
9. X. Luo, Y. S. Oh, A. Sirenko, P. Gao, T. A. Tyson, K. Char, and S.-W. Cheong, Appl. Phys. Lett. 100, 172112 (2012).
10. H. J. Kim, U. Kim, T. H. Kim, J. Kim, H. M. Kim, B.-G. Jeon, W.-J. Lee, H. S. Mun, K. T. Hong, J. Yu, K. Char, and K. H. Kim, Phys. Rev. B 86, 165205 (2012).
11. H.Mun,U.Kim,H.M.Kim,C. Park, T. H. Kim, H. J. Kim, K. H. Kim, andK.Char, Appl. Phys. Lett. 102, 252105 (2013).
12. H. Mizoguchi, H. W. Eng, and P. M. Woodward, Inorg. Chem. 43, 1667 (2004).
13. R. J. Cava, B. Batlogg, J. J. Krajewski, R. Farrow, L. W. Rupp, Jr., A. E. White, K. Short, W. F. Peck, and T. Kometani, Nature (London) 332, 814 (1988).
14. Y. Tokura and Y. Tomioka, J. Magn. Magn. Mater. 200, 1 (1999).
15. G. H. Haertling, J. Am. Ceram. Soc. 82, 797 (1999).
16. T. Kimura, T. Goto, H. Shintani, K. Ishizaka, T. Arima, and Y. Tokura, Nature (London) 426, 55 (2003).
17. K. Koumoto, Y. Wang, R. Zhang, A. Kosuga, and R. Funahashi, Annu. Rev. Mater. Res. 40, 363 (2010).
18. A. Ohtomo and H. Y. Hwang, Nature (London) 427, 423 (2004).
19. S. Maekawa, T. Tohyama, S. E. Barnes, S. Ishihara, W. Koshibae, and G. Khaliullin, Physics of Transition Metal Oxides (Springer, Berlin, 2004).
20. H. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
21. Q. Liu, J. Dai, Z. Liu, X. Zhang, G. Zhu, and G. Ding, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 455401 (2010).
22. R. J. Cava, P. Gammel, B. Batlogg, J. J. Krajewski, W. F. Peck, Jr., L. W. Rupp, Jr., R. Felder, and R. B. van Dover, Phys. Rev. B 42, 4815 (1990).
23. H. J. Kim, J. Kim, T. H. Kim, W.-J. Lee, B.-G. Jeon, J.-Y. Park, and K. H. Kim, Phys. Rev. B 88, 125204 (2013).
24. B. G. Kim, J. Y. Jo, and S. W. Cheong, J. Solid State Chem. 197, 134 (2013).
25. H.-R. Liu, J.-H. Yang, H. J. Xiang, X. G. Gong, and S.-H. Wei, Appl. Phys. Lett. 102, 112109 (2013).
26. E. Moreira, J. M. Henriques, D. L. Azevedo, E. W. S. Caetano, V. N. Freire, and E. L. Albuquerque, J. Solid State Chem. 187, 186 (2012).
27. K. Ellmer, J. Phys. D 34, 3097 (2001).
28. R. Claessen, M. G. Smith, J. B. Goodenough, and J. W. Allen, Phys. Rev. B 47, 1788 (1993).
29. Bhosle, A. Tiwari, and J. Narayan, J. Appl. Phys. 100, 033713 (2006).
30. G. Herranz, F. Sanchez, B. Martinez, J. Fontcuberta, M. V. Garcia-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, and P. Levy, Eur. Phys. J. B 40, 439 (2004).
31. R. Dingle, H. L. Störmer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
32. M. F. Yan, W. W. Rhodes, and P. K. Gallagher, J. Appl. Phys. 63, 821 (1988).
33. R. V. Shende, D. S. Krueger, G. A. Rossetti, Jr., and S. J. Lombardo, J. Am. Ceram. Soc. 84, 1648 (2001).
34. MTI Corporation, 860 South 19th Street, Richmond, CA 94804, USA. www.mtixtl.com/BTO-a-050510-S2.aspx
35. H.-J. Bae, J. Sigman, S.-J. Park, Y.-H. Heo, L. A. Boatner, and D. P. Norton, Solid-State Electron. 48, 51 (2004).
36. P. Singh, B. J. Brandenburg, C. P. Sebastian, P. Singh, S. Singh, D. Kumar, and O. Parkash, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 3540 (2008).
37. S. Ohta, T. Nomura, H. Ohta, and K. Koumoto, J. Appl. Phys. 97, 034106 (2005).
38. J. Son, P. Moetakef, B. Jalan, O. Bierwagen, N. J. Wright, R. Engel-Herbert, and S. Stemmer, Nat. Mater. 9, 482 (2010).
39. A. Spinelli, M. A. Torija, C. Liu, C. Jan, and C. Leighton, Phys. Rev. B 81, 155110 (2010).
40. K. Page, T. Kolodiazhnyi, T. Proffen, A. K. Cheetham, and R. Seshadri, Phys. Rev. Lett. 101, 205502 (2008).
41. 3" (preprint).
42. A. T. Aldred and J. N. Pratt, J. Chem. Eng. Data 8, 429 (1963).
43. G. Larramona and C. Gutierrez, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1 85, 907 (1989).
44. G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).