Aligned epitaxial SnO2 nanowires on sapphire: Growth and device applications

Nano Letters

Volumn 14, Issue 6, 2014, Pages 3014-3022

  Wang, Xiaoli ^a,b   Aroonyadet, Noppadol ^a,b   Zhang, Yuzheng ^a   Mecklenburg, Matthew ^b   Fang, Xin ^a   Chen, Haitian ^a   Goo, Edward ^a   Zhou, Chongwu ^a  

^a University of Southern California   (United States)

^b UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

epitaxy; guided growth; Nanowire; tin oxide

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GAS DETECTORS; LIGHT EMITTING DIODES; OXIDE MINERALS; SAPPHIRE; SENSORS; TIN OXIDES;

ELECTRONIC APPLICATION; GAS SENSING TECHNOLOGIES; ON/OFF CURRENT RATIO; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY; POLARIZATION RATIOS; SAPPHIRE SUBSTRATES; STRAIGHT-FORWARD METHOD; TRANSPARENT DEVICES;

NANOWIRES;

ALUMINUM OXIDE; NANOWIRE; NITRIC OXIDE; STANNIC OXIDE; TIN DERIVATIVE;

CHEMISTRY; SEMICONDUCTOR; ULTRASTRUCTURE;

ALUMINUM OXIDE; NANOWIRES; NITRIC OXIDE; SEMICONDUCTORS; TIN COMPOUNDS;

EID: 84902295264     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl404289z     Document Type: Article

References (50)

1. Jin, S.; Whang, D.; McAlpine, M. C.; Friedman, R. S.; Wu, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4 (5) 915-919
2. Whang, D.; Jin, S.; Wu, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3 (9) 1255-1259
3. Kim, F.; Kwan, S.; Akana, J.; Yang, P. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123 (18) 4360-1
4. Melosh, N. A.; Boukai, A.; Diana, F.; Gerardot, B.; Badolato, A.; Petroff, P. M.; Heath, J. R. Science (New York, N.Y.) 2003, 300 (5616) 112-5
5. Yu, G.; Cao, A.; Lieber, C. M. Nat. Nanotechnol. 2007, 2 (6) 372-7
6. Huang, Y.; Duan, X.; Wei, Q.; Lieber, C. M. Science (New York, N.Y.) 2001, 291 (5504) 630-3
7. Smith, P. A.; Nordquist, C. D.; Jackson, T. N.; Mayer, T. S.; Martin, B. R.; Mbindyo, J.; Mallouk, T. E. Appl. Phys. Lett. 2000, 77 (9) 1399-1401
8. Yao, J.; Yan, H.; Lieber, C. M. Nat. Nanotechnol. 2013, 8 (5) 329-335
9. Tsivion, D.; Schvartzman, M.; Popovitz-Biro, R.; von Huth, P.; Joselevich, E. Science (New York, N.Y.) 2011, 333 (6045) 1003-7
10. Nikoobakht, B.; Michaels, C. A.; Stranick, S. J.; Vaudin, M. D. Appl. Phys. Lett. 2004, 85 (15) 3244-3246
11. Tsivion, D.; Schvartzman, M.; Popovitz-Biro, R.; Joselevich, E. ACS Nano 2012, 6 (7) 6433-45
12. Zi, Y.; Jung, K.; Zakharov, D.; Yang, C. Nano Lett. 2013, 13 (6) 2786-2791
13. Mattila, M.; Hakkarainen, T.; Jiang, H.; Kauppinen, E. I.; Lipsanen, H. Nanotechnology 2007, 18, 155301
14. Camagni, P.; Faglia, G.; Galinetto, P.; Perego, C.; Samoggia, G.; Sberveglieri, G. Sens. Actuators, B 1996, 31 (1-2) 99-103
15. Dattoli, E. N.; Wan, Q.; Guo, W.; Chen, Y.; Pan, X.; Lu, W. Nano Lett. 2007, 7 (8) 2463-9
16. Liu, Z. Q.; Zhang, D. H.; Han, S.; Li, C.; Tang, T.; Jin, W.; Liu, X. L.; Lei, B.; Zhou, C. W. Adv. Mater. 2003, 15 (20) 1754-+
17. Amin, N.; Isaka, T.; Yamada, A.; Konagai, M. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2001, 67 (1-4) 195-201
18. Comini, E.; Faglia, G.; Sberveglieri, G. Sens. Actuators, B 2001, 78 (1-3) 73-77
19. Maiti, A.; Rodriguez, J. A.; Law, M.; Kung, P.; McKinney, J. R.; Yang, P. D. Nano Lett. 2003, 3 (8) 1025-1028
20. Law, M.; Kind, H.; Messer, B.; Kim, F.; Yang, P. D. Angew. Chem., Int. Ed. 2002, 41 (13) 2405-2408
21. Choi, Y. J.; Hwang, I. S.; Park, J. G.; Choi, K. J.; Park, J. H.; Lee, J. H. Nanotechnology 2008, 19, 095508
22. Ago, H.; Nakamura, K.; Ikeda, K.; Uehara, N.; Ishigami, N.; Tsuji, M. Chem. Phys. Lett. 2005, 408 (4-6) 433-438
23. Ryu, K.; Badmaev, A.; Wang, C.; Lin, A.; Patil, N.; Gomez, L.; Kumar, A.; Mitra, S.; Wong, H. S. P.; Zhou, C. W. Nano Lett. 2009, 9 (1) 189-197
24. Leonardy, A.; Hung, W.-Z.; Tsai, D.-S.; Chou, C.-C.; Huang, Y.-S. Cryst. Growth Des. 2009, 9 (9) 3958-3963
25. Semancik, S.; Cavicchi, R. E. Thin Solid Films 1991, 206 (1-2) 81-87
26. Dominguez, J. E.; Pan, X. Q.; Fu, L.; Van Rompay, P. A.; Zhang, Z.; Nees, J. A.; Pronko, P. P. J. Appl. Phys. 2002, 91 (3) 1060-1065
27. Lei, B.; Li, C.; Zhang, D.; Zhou, Q. F.; Shung, K. K.; Zhou, C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84 (22) 4553-4555
28. Ishikawa, F. N.; Chang, H.-K.; Curreli, M.; Liao, H.-I.; Olson, C. A.; Chen, P.-C.; Zhang, R.; Roberts, R. W.; Sun, R.; Cote, R. J.; Thompson, M. E.; Zhou, C. ACS Nano 2009, 3 (5) 1219-1224
29. Kolmakov, A.; Zhang, Y.; Cheng, G.; Moskovits, M. Adv. Mater. 2003, 15 (12) 997-1000
30. Kordos, P.; Gregusova, D.; Stoklas, R.; Cico, K.; Novak, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 (12) 123513
31. Martel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. R.; Hertel, T.; Avouris, P. Appl. Phys. Lett. 1998, 73 (17) 2447-2449
32. Zhou, C. W.; Kong, J.; Yenilmez, E.; Dai, H. J. Science (New York, N.Y.) 2000, 290 (5496) 1552-1555
33. Huh, J.; Joo, M. K.; Jang, D.; Lee, J. H.; Kim, G. T. J. Mater. Chem. 2012, 22 (45) 24012-24016
34. Forrest, S. R.; Burrows, P. E.; Thompson, M. E. Laser Focus World 1995, 31 (2) 99
35. Sheats, J. R.; Antoniadis, H.; Hueschen, M.; Leonard, W.; Miller, J.; Moon, R.; Roitman, D.; Stocking, A. Science (New York, N.Y.) 1996, 273 (5277) 884-888
36. Han, S.; Jin, W.; Zhang, D. H.; Tang, T.; Li, C.; Liu, X. L.; Liu, Z. Q.; Lei, B.; Zhou, C. W. Chem. Phys. Lett. 2004, 389 (1-3) 176-180
37. Zhang, D.; Li, C.; Han, S.; Liu, X.; Tang, T.; Jin, W.; Zhou, C. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2003, 77 (1) 163-166
38. Freitag, M.; Martin, Y.; Misewich, J. A.; Martel, R.; Avouris, P. H. Nano Lett. 2003, 3 (8) 1067-1071
39. Po-Chiang, C.; Guozhen, S.; Chongwu, Z. IEEE Trans. Nanotechnol. 2008, 7 (6) 668-682
40. Curreli, M.; Rui, Z.; Ishikawa, F. N.; Chang, H.-K.; Cote, R. J.; Chongwu, Z.; Thompson, M. E. IEEE Trans. Nanotechnol. 2008, 7 (6) 651-667
41. Kolmakov, A.; Klenov, D. O.; Lilach, Y.; Stemmer, S.; Moskovits, M. Nano Lett. 2005, 5 (4) 667-673
42. Fryberger, T. B.; Semancik, S. Sens. Actuators, B 1990, 2 (4) 305-309
43. Li, C.; Lei, B.; Zhang, D.; Liu, X.; Han, S.; Tang, T.; Rouhanizadeh, M.; Hsiai, T.; Zhou, C. Appl. Phys. Lett. 2003, 83 (19) 4014-4016
44. Pengfei, Q. F.; Vermesh, O.; Grecu, M.; Javey, A.; Wang, O.; Dai, H. J.; Peng, S.; Cho, K. J. Nano Lett. 2003, 3 (3) 347-351
45. Cao, B. B.; Chen, J. J.; Tang, X. J.; Zhou, W. L. J. Mater. Chem. 2009, 19 (16) 2323-2327
46. Rout, C. S.; Ganesh, K.; Govindaraj, A.; Rao, C. N. R. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2006, 85 (3) 241-246
47. Zhang, D. H.; Liu, Z. Q.; Li, C.; Tang, T.; Liu, X. L.; Han, S.; Lei, B.; Zhou, C. W. Nano Lett. 2004, 4 (10) 1919-1924
48. Ahn, M. W.; Park, K. S.; Heo, J. H.; Kim, D. W.; Choi, K. J.; Park, J. G. SSens. Actuators, B 2009, 138 (1) 168-173
49. Kim, Y. S.; Hwang, I. S.; Kim, S. J.; Lee, C. Y.; Lee, J. H. Sens. Actuators, B 2008, 135 (1) 298-303
50. Kim, I. D.; Rothschild, A.; Lee, B. H.; Kim, D. Y.; Jo, S. M.; Tuller, H. L. Nano Lett. 2006, 6 (9) 2009-2013