Photoconductivity of single carbon nanotubes

Nano Letters

Volumn 3, Issue 8, 2003, Pages 1067-1071

  Freitag, M ^a,b   Martin, Y ^b   Misewich, J A ^b,c   Martel, R ^b   Avouris, Ph ^b  

^a Unidym   (United States)

^b IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

^c BROOKHAVEN NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON;

ARTICLE; CONDUCTANCE; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON; ENERGY; INFRARED RADIATION; LASER; LIGHT; MOLECULE; NANOPARTICLE; PHOTON; POLARIZATION; QUANTUM CHEMISTRY; SEPARATION TECHNIQUE; WAVEFORM;

EID: 0142011555     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl034313e     Document Type: Article

References (32)

1. Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure and Applications; Dresselhaus, M. S., Dresselhaus, G., Avouris, Ph.; Eds.; Springer Publishing: New York, 2001.
2. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49-52.
3. Martel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. R.; Hertel, T.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447-2449.
4. Wind, S. J.; Appenzeller, J.; Martel, R.; Derycke, V.; Avouris, Ph. J. Vac. Sci. Technol. B 2002, 20, 2798-2801.
5. Javey, A.; Kim, H.; Brink, M.; Wang, Q.; Ural, A.; Guo, J.; McIntyre, P. ; McEuen, P.; Lundstrom, M.; Dai, H. J. Nature Mater. 2002, 1, 241-246.
6. Rosenblatt, S.; Yaish, Y.; Park, J.; Gore, J.; Sazonova, V.; McEuen, P. L. Nano Lett. 2002, 2, 869-872.
7. Freitag, M.; Radosavljevic, M.; Zhou, Y. X.; Johnson, A. T.; Smith, W. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3326-3328.
8. Appenzeller, J.; Knoch, J.; Derycke, V.; Martel, R.; Wind, S.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 126801.
9. Heinze, S.; Tersoff, J.; Martel, R.; Derycke, V.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 106801.
10. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J. Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2773-2775.
11. Cui, X. D.; Freitag, M.; Martel, R.; Brus, L.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2003, 3, 783-787.
12. Martel, R.; Derycke, V.; Lavoie, C.; Appenzeller, J.; Chan, K. K.; Tersoff, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 256805.
13. Ando, J. J. Phys. Soc. Jpn. 1997, 66, 1066-1073.
14. Pedersen, T. G. Phys. Rev. B 2003, 67, 073401.
15. Kane, C. L.; Mele, E. J. Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 207401.
16. O'Connell, M. J.; Bachilo, S. M.; Huffman, C. B.; Moore, V. C.; Strano, M. S.; Haroz, E. H.; Rialon, K. L.; Boul, P. J.; Noon, W. H.; Kittrell, C.; Ma, J.; Hauge, R. H.; Weisman, R. B.; Smalley, R. E. Science 2002, 297, 593-596.
17. Bachilo, S. M.; Strano, M. S.; Kittrell, C.; Hauge, R. H.; Smalley, R. E.; Weisman, R. B. Science 2002, 298, 2361-2366.
18. Hagen, A.; Hertel, T. Nano Lett. 2003, 3, 383-388.
19. Misewich, J. A.; Martel, R.; Avouris, Ph.; Tsang, J. C.; Heinze, S.; Tersoff, J. Science 2003, 300, 783-786.
20. Fujiwara, A.; Matsuoka, Y.; Suematsu, H.; Ogawa, N.; Miyano, K.; Kataura, H.; Maniwa, Y.; Suzuki, S.; Achiba, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, L1229-L1231.
21. Kamada, Y.; Naka, N.; Nagasawa, N.; Li, Z. M.; Tang, Z. K. Physica B 2002, 323, 239-241.
22. Zhang, Y.; Iijima, S. Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 3472-3475.
23. Chen, R. J.; Franklin, N. R.; Kong, J.; Cao, J.; Tombler, T. W.; Zhang, Y.; Dai, H. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2258-2260.
24. Thess, A.; Lee, R.; Nikolaev, P., Dai, H.; Petit, P.; Robert, J.; Xu, C. ; Lee, Y. H.; Kim, S. G.; Rinzler, A. G.; Colbert, D. T.; Scuseria, G. E.; Tománek, D.; Fischer, J. E.; Smalley, R. E. Science 1996, 273, 483-487.
25. Rinzler, A. G.; Liu, J.; Dai, H.; Nikolaev, P.; Huffman, C. B.; Rodriguez-Macias, F. J.; Boul, P. J.; Lu, A. H.; Heymann, D.; Colbert, D. T.; Lee, R. S.; Fischer, J. E.; Rao, A. M.; Eklund, P. C.; Smalley, R. E. Appl. Phys. A 1998, 67, 29-37.
26. 24
27. Balkanski, M.; Wallis, R. F. Semiconductor Physics and Applications; Oxford University Press: Oxford, U.K., 2000.
28. Nikolaev, P.; Bronikowski, M. J.; Bradley, R. K.; Rohmund, F.; Colbert, D. T.; Smith, K. A.; Smalley, R. E. Chem. Phys. Lett. 1999, 313, 91-97.
29. EMFLEX; Weidlinger Associates Inc.: Los Altos, CA.
30. Martin, Y. C.; Hamann, H. F.; Wickramasinghe, H. K. J. Appl. Phys. 2001, 89, 5774-5778.
31. i(ω) ≈ 20.
32. i(ω) ≈ 20.