-
1
-
-
21044457267
-
-
10.1063/1.1872217
-
S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, S. K. Choi, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. S. Byun, I. R. Hwang, S. H. Kim, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 093509 (2005). 10.1063/1.1872217
-
(2005)
Appl. Phys. Lett.
, vol.86
, pp. 093509
-
-
Seo, S.1
Lee, M.J.2
Seo, D.H.3
Choi, S.K.4
Suh, D.-S.5
Joung, Y.S.6
Yoo, I.K.7
Byun, I.S.8
Hwang, I.R.9
Kim, S.H.10
Park, B.H.11
-
2
-
-
77958042599
-
-
10.1021/nl102255r
-
J. Yao, Z. Sun, L. Zhong, D. Natelson, and M. T. James, Nano Lett. 10, 4105 (2010). 10.1021/nl102255r
-
(2010)
Nano Lett.
, vol.10
, pp. 4105
-
-
Yao, J.1
Sun, Z.2
Zhong, L.3
Natelson, D.4
James, M.T.5
-
3
-
-
43549104017
-
-
10.1109/LED.2008.919602
-
W. Guan, S. Long, Q. Liu, M. Liu, and W. Wang, IEEE Electron Device Lett. 29, 434 (2008). 10.1109/LED.2008.919602
-
(2008)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.29
, pp. 434
-
-
Guan, W.1
Long, S.2
Liu, Q.3
Liu, M.4
Wang, W.5
-
4
-
-
0003194163
-
-
10.1103/PhysRevB.64.153407
-
O. Kurnosikov, F. C. de Nooij, P. LeClair, J. T. Kohlhepp, B. Koopmans, H. J. M. Swagten, and W. J. M. de Jonge, Phys. Rev. B 64, 153407 (2001). 10.1103/PhysRevB.64.153407
-
(2001)
Phys. Rev. B
, vol.64
, pp. 153407
-
-
Kurnosikov, O.1
De Nooij, F.C.2
Leclair, P.3
Kohlhepp, J.T.4
Koopmans, B.5
Swagten, H.J.M.6
De Jonge, W.J.M.7
-
6
-
-
79955708416
-
-
10.1063/1.3567915
-
K. L. Lin, T. H. Hou, J. Shieh, J. H. Lin, C. T. Chou, and Y. J. Lee, J. Appl. Phys. 109, 084104 (2011). 10.1063/1.3567915
-
(2011)
J. Appl. Phys.
, vol.109
, pp. 084104
-
-
Lin, K.L.1
Hou, T.H.2
Shieh, J.3
Lin, J.H.4
Chou, C.T.5
Lee, Y.J.6
-
7
-
-
62549118726
-
-
10.1063/1.3098071
-
C. H. Kim, Y. H. Jang, H. J. Hwang, Z. H. Sun, H. B. Moon, and J. H. Cho, Appl. Phys. Lett. 94, 102107 (2009). 10.1063/1.3098071
-
(2009)
Appl. Phys. Lett.
, vol.94
, pp. 102107
-
-
Kim, C.H.1
Jang, Y.H.2
Hwang, H.J.3
Sun, Z.H.4
Moon, H.B.5
Cho, J.H.6
-
8
-
-
79551648530
-
-
10.1063/1.3548549
-
H. Momida, S. Nigo, G. Kido, and T. Ohno, Appl. Phys. Lett. 98, 042102 (2011). 10.1063/1.3548549
-
(2011)
Appl. Phys. Lett.
, vol.98
, pp. 042102
-
-
Momida, H.1
Nigo, S.2
Kido, G.3
Ohno, T.4
-
9
-
-
39349110003
-
-
10.1063/1.2837102
-
K. Jung, J. Choi, Y. Kim, H. Im, S. Seo, R. Jung, D. C. Kim, J. S. Kim, B. H. Park, and J. P. Hong, J. Appl. Phys. 103, 034504 (2008). 10.1063/1.2837102
-
(2008)
J. Appl. Phys.
, vol.103
, pp. 034504
-
-
Jung, K.1
Choi, J.2
Kim, Y.3
Im, H.4
Seo, S.5
Jung, R.6
Kim, D.C.7
Kim, J.S.8
Park, B.H.9
Hong, J.P.10
-
10
-
-
40849130621
-
-
10.1016/j.solmat.2008.01.009
-
X. H. Xia, J. P. Tu, J. Zhang, X. L. Wang, W. K. Zhang, and H. Huang, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92, 628 (2008). 10.1016/j.solmat.2008.01.009
-
(2008)
Sol. Energy Mater. Sol. Cells
, vol.92
, pp. 628
-
-
Xia, X.H.1
Tu, J.P.2
Zhang, J.3
Wang, X.L.4
Zhang, W.K.5
Huang, H.6
-
12
-
-
79952279993
-
-
10.1016/j.sse.2010.11.031
-
F. Nardi, D. Ielmini, C. Cagli, S. Spiga, M. Fanciulli, L. Goux, and D. J. Wouters, Solid-State Electron. 58, 42 (2011). 10.1016/j.sse.2010.11.031
-
(2011)
Solid-State Electron.
, vol.58
, pp. 42
-
-
Nardi, F.1
Ielmini, D.2
Cagli, C.3
Spiga, S.4
Fanciulli, M.5
Goux, L.6
Wouters, D.J.7
-
13
-
-
79959654724
-
-
10.1063/1.3589825
-
Y. S. Kim, J.-S. Kim, J. S. Choi, I. R. Hwang, S. H. Hong, S.-O. Kang, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 98, 192104 (2011). 10.1063/1.3589825
-
(2011)
Appl. Phys. Lett.
, vol.98
, pp. 192104
-
-
Kim, Y.S.1
Kim, J.-S.2
Choi, J.S.3
Hwang, I.R.4
Hong, S.H.5
Kang, S.-O.6
Park, B.H.7
-
15
-
-
78650154149
-
-
10.1116/1.3501109.
-
J. Kim, H. Na, J. Oh, D. H. Ko, and H. Sohn, J. Vac. Sci. Technol. B 28, 1143 (2010) 10.1116/1.3501109.
-
(2010)
J. Vac. Sci. Technol. B
, vol.28
, pp. 1143
-
-
Kim, J.1
Na, H.2
Oh, J.3
Ko, D.H.4
Sohn, H.5
-
16
-
-
80052122500
-
-
10.1016/j.tsf.2011.05.074
-
J. Kim, H. Na, S. Lee, K. Lee, J. H. Yoo, D. H. Ko, and H. Sohn, Thin Solid Films 519, 8119 (2011). 10.1016/j.tsf.2011.05.074
-
(2011)
Thin Solid Films
, vol.519
, pp. 8119
-
-
Kim, J.1
Na, H.2
Lee, S.3
Lee, K.4
Yoo, J.H.5
Ko, D.H.6
Sohn, H.7
-
17
-
-
79960902140
-
-
10.1016/j.ca2010.11.126
-
J. Kim, H. Na, S. Lee, Y. H. Sung, J. H. Yoo, D. S. Lee, D. H. Ko, and H. Sohn, Curr. Appl. Phys. 11, e70 (2011). 10.1016/j.cap.2010.11.126
-
(2011)
Curr. Appl. Phys.
, vol.11
-
-
Kim, J.1
Na, H.2
Lee, S.3
Sung, Y.H.4
Yoo, J.H.5
Lee, D.S.6
Ko, D.H.7
Sohn, H.8
-
18
-
-
84855443291
-
-
10.1016/j.susc.2011.09.022
-
A. Sarhan, H. Nakanishi, W. A. Diño, H. Kishi, and H. Kasai, Surf. Sci. 606, 239 (2012). 10.1016/j.susc.2011.09.022
-
(2012)
Surf. Sci.
, vol.606
, pp. 239
-
-
Sarhan, A.1
Nakanishi, H.2
Diño, W.A.3
Kishi, H.4
Kasai, H.5
-
19
-
-
80755189482
-
-
10.1021/nl202017k
-
L. He, Z. M. Liao, H. C. Wu, X. X. Tian, D. S. Xu, G. L. W. Cross, G. S. Duesberg, I. V. Shvets, and D. P. Yu, Nano Lett. 11, 4601 (2011). 10.1021/nl202017k
-
(2011)
Nano Lett.
, vol.11
, pp. 4601
-
-
He, L.1
Liao, Z.M.2
Wu, H.C.3
Tian, X.X.4
Xu, D.S.5
Cross, G.L.W.6
Duesberg, G.S.7
Shvets, I.V.8
Yu, D.P.9
-
21
-
-
84861820224
-
-
10.1063/1.4714888
-
J. Sullaphen, K. Bogle, X. Cheng, J. M. Gregg, and N. Valanoor, Appl. Phys. Lett. 100, 203115 (2012). 10.1063/1.4714888
-
(2012)
Appl. Phys. Lett.
, vol.100
, pp. 203115
-
-
Sullaphen, J.1
Bogle, K.2
Cheng, X.3
Gregg, J.M.4
Valanoor, N.5
-
22
-
-
84861344264
-
-
10.1016/j.ssc.2012.04.011
-
W. B. Mi, H. Yang, Y. C. Cheng, and H. L. Bai, Solid State Commun. 152, 1108 (2012). 10.1016/j.ssc.2012.04.011
-
(2012)
Solid State Commun.
, vol.152
, pp. 1108
-
-
Mi, W.B.1
Yang, H.2
Cheng, Y.C.3
Bai, H.L.4
-
24
-
-
49149097171
-
-
10.1063/1.2967194
-
C. B. Lee, B. S. Kang, A. Benayad, M. J. Lee, S. E. Ahn, K. H. Kim, G. Stefanovich, Y. Park, and I. K. Yoo, Appl. Phys. Lett. 93, 042115 (2008). 10.1063/1.2967194
-
(2008)
Appl. Phys. Lett.
, vol.93
, pp. 042115
-
-
Lee, C.B.1
Kang, B.S.2
Benayad, A.3
Lee, M.J.4
Ahn, S.E.5
Kim, K.H.6
Stefanovich, G.7
Park, Y.8
Yoo, I.K.9
-
25
-
-
80053548597
-
-
10.1063/1.3633227
-
K. P. Biju, X. J. Liu, M. Siddik, S. Kim, J. Shin, I. Kim, A. Ignatiev, and H. Hwang, J. Appl. Phys. 110, 064505 (2011). 10.1063/1.3633227
-
(2011)
J. Appl. Phys.
, vol.110
, pp. 064505
-
-
Biju, K.P.1
Liu, X.J.2
Siddik, M.3
Kim, S.4
Shin, J.5
Kim, I.6
Ignatiev, A.7
Hwang, H.8
-
26
-
-
36048980286
-
-
10.1063/1.2753101
-
H. Shima, F. Takano, H. Akinaga, Y. Tamai, I. H. Inoue, and H. Takagi, Appl. Phys. Lett. 91, 012901 (2007). 10.1063/1.2753101
-
(2007)
Appl. Phys. Lett.
, vol.91
, pp. 012901
-
-
Shima, H.1
Takano, F.2
Akinaga, H.3
Tamai, Y.4
Inoue, I.H.5
Takagi, H.6
-
27
-
-
79958050325
-
-
10.1016/j.mee.2011.03.027
-
N. Raghavan, K. L. Pey, W. H. Liu, X. Wu, X. Li, and M. Bosman, Microelectron. Eng. 88, 1124 (2011). 10.1016/j.mee.2011.03.027
-
(2011)
Microelectron. Eng.
, vol.88
, pp. 1124
-
-
Raghavan, N.1
Pey, K.L.2
Liu, W.H.3
Wu, X.4
Li, X.5
Bosman, M.6
-
28
-
-
82555165217
-
-
10.1063/1.3662922
-
Q. B. Lv, S. X. Wu, J. Q. Lu, M. Yang, P. Hu, and S. W. Li, J. Appl. Phys. 110, 104511 (2011). 10.1063/1.3662922
-
(2011)
J. Appl. Phys.
, vol.110
, pp. 104511
-
-
Lv, Q.B.1
Wu, S.X.2
Lu, J.Q.3
Yang, M.4
Hu, P.5
Li, S.W.6
-
29
-
-
77954321120
-
-
10.1063/1.3456379
-
M. C. Chen, T. C. Chang, C. T. Tsai, S. Y. Huang, S. C. Chen, C. W. Hu, S. M. Sze, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 96, 262110 (2010). 10.1063/1.3456379
-
(2010)
Appl. Phys. Lett.
, vol.96
, pp. 262110
-
-
Chen, M.C.1
Chang, T.C.2
Tsai, C.T.3
Huang, S.Y.4
Chen, S.C.5
Hu, C.W.6
Sze, S.M.7
Tsai, M.J.8
-
30
-
-
36048964246
-
-
10.1063/1.2749846
-
K. M. Kim, B. J. Choi, Y. C. Shin, S. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 91, 012907 (2007). 10.1063/1.2749846
-
(2007)
Appl. Phys. Lett.
, vol.91
, pp. 012907
-
-
Kim, K.M.1
Choi, B.J.2
Shin, Y.C.3
Choi, S.4
Hwang, C.S.5
-
31
-
-
79957658986
-
-
10.1016/j.tsf.2011.01.058
-
S. C. Chen, T. Y. Kuo, Y. C. Lin, and H. C. Lin, Thin Solid Films 519, 4944 (2011). 10.1016/j.tsf.2011.01.058
-
(2011)
Thin Solid Films
, vol.519
, pp. 4944
-
-
Chen, S.C.1
Kuo, T.Y.2
Lin, Y.C.3
Lin, H.C.4
|