Strain controlled metal-insulator transition in epitaxial NdNiO3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 114, Issue 24, 2013, Pages

  Xiang, P H ^a   Zhong, N ^a   Duan, C G ^a   Tang, X D ^a   Hu, Z G ^a   Yang, P X ^a   Zhu, Z Q ^a   Chu, J H ^a  

^a EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRAIN; ELECTRONIC TRANSPORT; EPITAXIAL THIN FILMS; METALLIC TRANSPORT; MICRO-ELECTRONIC DEVICES; SINGLE CRYSTAL SUBSTRATES; THERMAL ACTIVATION; VARIABLE RANGE HOPPING;

EPITAXIAL GROWTH; MICROELECTRONICS; SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES;

EPITAXIAL FILMS;

EID: 84891699057     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4858455     Document Type: Article

References (39)

1. M. L. Medarde, J. Phys.: Condens. Matter 9, 1679 (1997). 10.1088/0953-8984/9/8/003
2. G. Catalan, Phase Transitions 81, 729 (2008). 10.1080/01411590801992463
3. M. A. Novojilov, O. Y. Gorbenko, I. E. Graboy, A. R. Kaul, H. W. Zandbergen, N. A. Babushkina, and L. M. Belova, Appl. Phys. Lett. 76, 2041 (2000). 10.1063/1.126248
4. A. Ambrosini and J. F. Hamet, Appl. Phys. Lett. 82, 727 (2003). 10.1063/1.1541116
5. J. L. García-Muñoz, M. Suaaidi, M. J. Martínez-Lope, and J. A. Alonso, Phys. Rev. B 52, 13563 (1995). 10.1103/PhysRevB.52.13563
6. P. H. Xiang, S. Asanuma, H. Yamada, I. H. Inoue, H. Akoh, and A. Sawa, Appl. Phys. Lett. 97, 032114 (2010). 10.1063/1.3467199
7. X. Obradors, L. M. Paulius, M. B. Maple, J. B. Torrance, A. I. Nazzal, J. Fontcuberta, and X. Granados, Phys. Rev. B 47, 12353 (1993). 10.1103/PhysRevB.47.12353
8. P. C. Canfield, D. J. Thompson, S. W. Cheong, and R. L. Rupp, Phys. Rev. B 47, 12357 (1993). 10.1103/PhysRevB.47.12357
9. J. B. Torrance, P. Lacorre, A. I. Nazzal, E. J. Ansaldo, and Ch. Niedermayer, Phys. Rev. B 45, 8209 (1992). 10.1103/PhysRevB.45.8209
10. S. Asanuma, P. H. Xiang, H. Yamada, H. Sato, I. H. Inoue, H. Akoh, K. Ueno, H. Shimotani, H. Yuan, M. Kawasaki, and Y. Iwasa, Appl. Phys. Lett. 97, 142110 (2010). 10.1063/1.3496458
11. R. Scherwitzl, P. Zubko, I. G. Lezama, S. Ono, A. F. Morpurgo, G. Catalan, and J.-M. Triscone, Adv. Mater. 22, 5517 (2010). 10.1002/adma.201003241
12. J. Son, B. Jalan, A. P. Kajdos, L. Balents, S. J. Allen, and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 99, 192107 (2011). 10.1063/1.3659310
13. W. L. Lim, E. J. Moon, J. W. Freeland, D. J. Meyers, M. Kareev, J. Chakhalian, and S. Urazhdin, Appl. Phys. Lett. 101, 143111 (2012). 10.1063/1.4757865
14. A. Tiwari, C. Jin, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 80, 4039 (2002). 10.1063/1.1480475
15. G. Catalan, R. M. Bowman, and J. M. Gregg, Phys. Rev. B 62, 7892 (2000). 10.1103/PhysRevB.62.7892
16. J. Liu, M. Kareev, B. Gray, J. W. Kim, P. Ryan, B. Dabrowski, J. W. Freeland, and J. Chakhalian, Appl. Phys. Lett. 96, 233110 (2010). 10.1063/1.3451462
17. Y. Kumar, R. J. Choudhary, S. K. Sharma, M. Knobel, and Ravi Kumar, Appl. Phys. Lett. 101, 132101 (2012). 10.1063/1.4754593
18. P.-H. Xiang, H. Yamada, A. Sawa, and H. Akoh, Appl. Phys. Lett. 94, 062109 (2009). 10.1063/1.3082091
19. M. C. Prestgard and A. Tiwari, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 51, 11PG08 (2012). 10.1143/JJAP.51.11PG08
20. I. V. Nikulin, M. A. Novojilov, A. R. Kaul, S. N. Mudretsova, and S. V. Kondrashov, Mater. Res. Bull. 39, 775 (2004). 10.1016/j.materresbull.2004.02.005
21. C. B. Eom, R. B. Van Dover, J. M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 2570 (1993). 10.1063/1.110436
22. J. T. Cheung, P. E. D. Morgan, D. H. Lowndes, X.-Y. Zhang, and J. Breen, Appl. Phys. Lett. 62, 2045 (1993). 10.1063/1.109474
23. A. Li, C. Ge, P. Lü, and N. Ming, Appl. Phys. Lett. 68, 1347 (1996). 10.1063/1.115930
24. M. Angeloni, G. Balestrino, N. G. Boggio, P. G. Medaglia, P. Orgiani, and A. Tebano, J. Appl. Phys. 96, 6387 (2004). 10.1063/1.1812599
25. P. Orgiani, Y. Yu. Petrov, R. Ciancio, A. Galdi, L. Maritato, and B. A. Davidson, Appl. Phys. Lett. 100, 042404 (2012). 10.1063/1.3676268
26. S. J. May, J.-W. Kim, J. M. Rondinelli, E. Karapetrova, N. A. Spaldin, A. Bhattacharya, and P. J. Ryan, Phys. Rev. B 82, 014110 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.014110
27. M. K. Stewart, J. Liu, M. Kareev, J. Chakhalian, and D. N. Basov, Phys. Rev. Lett. 107, 176401 (2011). 10.1103/PhysRevLett.107.176401
28. P. V. Balachandran and J. M. Rondinelli, Phys. Rev. B 88, 054101 (2013). 10.1103/PhysRevB.88.054101
29. A. Frano, E. Schierle, M. W. Haverkort, Y. Lu, M. Wu, S. Blanco-Canosa, U. Nwankwo, A. V. Boris, P. W. G. Cristiani, H. U. Habermeier, G. Logvenov, V. Hinkov, E. Benckiser, E. Weschke, and B. Keimer, Phys. Rev. Lett. 111, 106804 (2013). 10.1103/PhysRevLett.111.106804
30. J. Hwang, J. Y. Zhang, J. Son, and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 100, 191909 (2012). 10.1063/1.4714734
31. E. F. Schwier, R. Scherwitzl, Z. Vydrovà, M. García- Fernández, M. Gibert, P. Zubko, M. G. Garnier, J.-M. Triscone, and P. Aebi, Phys. Rev. B 86, 195147 (2012). 10.1103/PhysRevB.86.195147
32. B. Lau and A. J. Millis, Phys. Rev. Lett. 110, 126404 (2013). 10.1103/PhysRevLett.110.126404
33. F. He, B. O. Wells, Z.-G. Ban, S. P. Alpay, S. Grenier, S. M. Shapiro, S. Weidong Si, A. Clark, and X. X. Xi, Phys. Rev. B 70, 235405 (2004). 10.1103/PhysRevB.70.235405
34. R. Mallik, E. V. Sampathkumaran, J. A. Alonso, and M. J. Martinez-Lope, J. Phys.: Condens. Matter 10, 3969 (1998). 10.1088/0953-8984/10/18/007
35. M. W. Khan, R. Kumar, R. J. Choudhary, J. P. Srivastava, S. I. Patil, and W. K. Choi, J. Phys. D.: Appl. Phys. 41, 175409 (2008). 10.1088/0022-3727/41/ 17/175409
36. R. Kumar, R. J. Choudhary, M. Ikram, D. K. Shukla, S. Mollah, P. Thakur, K. H. Chae, B. Angadi, and W. K. Choi, J. Appl. Phys. 102, 073707 (2007). 10.1063/1.2786895
37. N. F. Mott, Metal-Insulator Transitions (Taylor and Francis, London, 1990).
38. D. K. Paul and S. S. Mitra, Phys. Rev. Lett. 31, 1000 (1973). 10.1103/PhysRevLett.31.1000
39. J. P. Kemp and P. A. Cox, Solid State Commun. 75, 731 (1990). 10.1016/0038-1098(90)90236-5