The effect of electron induced hydrogenation of graphene on its electrical transport properties

Applied Physics Letters

Volumn 103, Issue 4, 2013, Pages

  Woo, Sung Oh ^a   Teizer, Winfried ^a,b  

^a TEXAS A AND M UNIVERSITY   (United States)

^b TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BI-LAYER; ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES; GRAPHENE FIELD-EFFECT TRANSISTORS; TRANSPORT BEHAVIOR;

ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRON IRRADIATION; ESTERS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; TRANSPORT PROPERTIES;

GRAPHENE;

EID: 84885000615     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4816475     Document Type: Article

References (29)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004). 10.1126/science.1102896
2. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005). 10.1038/nature04233
3. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer, Solid State Commun. 146, 351 (2008). 10.1016/j.ssc.2008.02.024
4. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature 457, 706 (2009). 10.1038/nature07719
5. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, and K. S. Novoselov, Nature Mater. 6, 652 (2007). 10.1038/nmat1967
6. J. H. Chen, W. G. Cullen, C. Jang, M. S. Fuhrer, and E. D. Williams, Phys. Rev. Lett. 102 (23), 236805 (2009). 10.1103/PhysRevLett.102.236805
7. M. M. Ugeda, I. Brihuega, F. Guinea, and J. M. Gomez-Rodriguez, Phys. Rev. Lett. 104, 096804 (2010). 10.1103/PhysRevLett.104.096804
8. Y. H. He, L. Wang, X. L. Chen, Z. F. Wu, W. Li, Y. Cai, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 99, 033109 (2011). 10.1063/1.3615294
9. D. Teweldebrhan and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 94, 013101 (2009). 10.1063/1.3062851
10. I. Childres, L. A. Jauregui, M. Foxe, J. F. Tian, R. Jalilian, I. Jovanovic, and Y. P. Chen, Appl. Phys. Lett. 97, 173109 (2010). 10.1063/1.3502610
11. J. Hicks, R. Arora, E. Kenyon, P. S. Chakraborty, H. Tinkey, J. Hankinson, C. Berger, W. A. de Heer, E. H. Conrad, and J. D. Cressler, Appl. Phys. Lett. 99, 232102 (2011). 10.1063/1.3665953
12. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S. Novoselov, S. Roth, and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 97, 187401 (2006). 10.1103/PhysRevLett.97.187401
13. M. G. Xia, Z. D. Su, and S. L. Zhang, AIP Adv. 2, 032122 (2012). 10.1063/1.4739785
14. Y. B. Zhang, Y. W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, Nature 438, 201 (2005). 10.1038/nature04235
15. H. E. Romero, N. Shen, P. Joshi, H. R. Gutierrez, S. A. Tadigadapa, J. O. Sofo, and P. C. Eklund, ACS Nano 2, 2037 (2008). 10.1021/nn800354m
16. P. Joshi, H. E. Romero, A. T. Neal, V. K. Toutam, and S. A. Tadigadapa, J. Phys.: Condens. Matter 22, 334214 (2010). 10.1088/0953-8984/22/33/334214
17. H. M. Wang, Y. H. Wu, C. X. Cong, J. Z. Shang, and T. Yu, ACS Nano 4, 7221 (2010). 10.1021/nn101950n
18. W. Kim, A. Javey, O. Vermesh, O. Wang, Y. M. Li, and H. J. Dai, Nano Lett. 3, 193 (2003). 10.1021/nl0259232
19. G. Kalon, Y. J. Shin, V. G. Truong, A. Kalitsov, and H. Yang, Appl. Phys. Lett. 99, 083109 (2011). 10.1063/1.3626854
20. M. Lafkioti, B. Krauss, T. Lohmann, U. Zschieschang, H. Klauk, K. von Klitzing, and J. H. Smet, Nano Lett. 10, 1149 (2010). 10.1021/nl903162a
21. T. Lohmann, K. von Klitzing, and J. H. Smet, Nano Lett. 9, 1973 (2009). 10.1021/nl900203n
22. J. H. Oh, H. W. Lee, S. Mannsfeld, R. M. Stoltenberg, E. Jung, Y. W. Jin, J. M. Kim, J. B. Yoo, and Z. N. Bao, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 106, 6065 (2009) 10.1073/pnas.0811923106.
23. F. Tuinstra and J. L. Koenig, J. Chem. Phys. 53, 1126 (1970). 10.1063/1.1674108
24. A. Hashimoto, K. Suenaga, A. Gloter, K. Urita, and S. Iijima, Nature 430, 870 (2004). 10.1038/nature02817
25. C. P. Ennis and R. I. Kaiser, Phys. Chem. Chem. Phys. 12, 14902 (2010). 10.1039/c0cp01130d
26. S. Ryu, M. Y. Han, J. Maultzsch, T. F. Heinz, P. Kim, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, Nano Lett. 8, 4597 (2008). 10.1021/nl802940s
27. J. D. Jones, W. D. Hoffmann, A. V. Jesseph, C. J. Morris, G. F. Verbeck, and J. M. Perez, Appl. Phys. Lett. 97, 233104 (2010). 10.1063/1.3524517
28. B. H. Kim, S. J. Hong, S. J. Baek, H. Y. Jeong, N. Park, M. Lee, S. W. Lee, M. Park, S. W. Chu, H. S. Shin, J. Lim, J. C. Lee, Y. Jun, and Y. W. Park, Sci. Rep. 2, 690 (2012) 10.1038/srep00690.
29. See supplementary material at http://dx.doi.org/10.1063/1.4816475 E-APPLAB-103-072330 for a schematic diagram of the experimental procedure, an explanation of the unusual background of the Raman spectroscopy data, and additional XPS data are available in the supplementary material.