Effects of rapid thermal annealing on structural, luminescent, and electrical properties of al-doped ZnO films grown by atomic layer deposition

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 1, Issue 3, 2012, Pages

  Geng, Yang ^a   Xie, Zhang Yi ^a   Xu, Sai Sheng ^a   Sun, Qing Qing ^a   Ding, Shi Jin ^a   Lu, Hong Liang ^a   Zhang, David Wei ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84884416781     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.015203jss     Document Type: Article

References (30)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
2. O. K. Varghese, M. Paulose, and C. A. Grimes, Nat. Nanotechnol., 4, 592 (2009).
3. D. J. Lee, H. M. Kim, J. Y. Kwon, H. Choi, S. H. Kim, and K. B. Kim, Adv. Funct. Mater., 21, 448 (2011).
4. H. Kim, C. M. Gilmore, A. Pique, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys., 86, 6451 (1999).
5. N. P. Dasgupta, S.Neubert,W. Lee, O. Trejo, J. R. Lee, and F. B. Prinz, Chem. Mater., 22, 4769 (2010).
6. P. Banerjee, W. J. Lee, K. R. Bae, S. B. Lee, and G. W. Rubloff, J. Appl. Phys., 108, 043504 (2010).
7. K. Ellmer, A. Klein, and B. Rech, Transparent Conductive Zinc Oxide, Springer, Berlin, 2008.
8. T. Minami, S. Suzuki, and T. Miyata, Thin Solid Films, 398-399, 53 (2001).
9. Y. Igasaki and H. Kanma, Appl. Surf. Sci., 169-170, 508 (2001).
10. M. Hiramatsu, K. Imaeda, N. Horo, and M. J. Nawata, Vac. Sci. Technol. A, 16, 669 (1998).
11. A. Martin, J. P. Espinos, A. Justo, J. P. Holgado, F. Yubero, and A. R. Gonzalez-Elipe, Surf. Coat. Technol., 151-152, 289 (2002).
12. J. S. Wellings, A. P. Samantilleke, P. Warren, S. N. Heavens, and I. M. Dharmadasa, Semicond. Sci. Technol., 23, 125003 (2008).
13. M. Ohyama, H. Kozuka, and T. J. Yoko, Am. Ceram. Soc., 81, 1622 (1998).
14. S. M. George, Chem. Rev., 110, 111 (2010).
15. M. Leskela and M. Ritala, Thin Solid Films, 409, 138 (2002).
16. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys., 97, 121301 (2005).
17. P. Banerjee,W. Lee, K. Bae, S. B. Lee, andG. W. Rubloff, J. Appl. Phys., 108, 043504 (2010).
18. Y. Geng, L. Guo, S. S. Xu, Q. Q. Sun, S. J. Ding, H. L. Lu, and D. W. Zhang, J. Phys. Chem. C, 115, 12317 (2011).
19. J. Y. Kim, Y. J. Choi, H. H. Park, S. Golledge, and D. C. Johnson, J. Vac. Sci. Technol. A, 28, 1111 (2010).
20. J. H. Han, Y. S. No, T. W. Kim, J. Y. Leea, J. Y. Kimc, and W. K. Choi, Appl. Surf. Sci., 256, 1920 (2010).
21. Q. H. Li, D. L. Zhu, W. J. Liu, Y. Liu, and X. C. Ma, Appl. Surf. Sci., 254, 2922 (2008).
22. J. G. Lu, S. Fujita, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohisma, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, Y. Z. Zhang, L. P. Zhu, H. P. He, and B. H. Zhao, J. Appl. Phys., 101, 083705 (2007).
23. K. E. Lee, M. Wang, E. J. Kim, and S. H. Hahn, Current Appl. Phys., 9, 683 (2009).
24. H. Yuan and B. Luo, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A138 (2012).
25. M. K. Pushert, P. Y. Timbrell, and R. N. Lamb, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 2220 (1996).
26. N. P. Dasgupta, S. Neubert, W. Lee, O. Trejo, J. Lee, and F. B. Prinz, Chem. Mater., 22, 4769 (2010).
27. B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, 2nd, Addison-Wesley, 1978.
28. Z. Baji, Z. Labadi, Z. E. Horvath, M. Fried, B. Szentpali, and I. Barsony, J. Therm. Anal. Calorim., 105, 93 (2011).
29. H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, I. Kobayashi, and H. Uchiki, Appl. Phys. Lett., 76, 1905 (2000).
30. K. K. Kim, H. Tampo, J. O. Song, T. Y. Seong, S. J. Park, J. M. Lee, S. W. Kim, S. Fujita, and S. Niki, J. J. Appl. Phys., 44, 4776 (2005).