Edge state in epitaxial nanographene on 3C-SiC(100)/Si(100) substrate

Applied Physics Letters

Volumn 103, Issue 8, 2013, Pages

  Velez Fort, E ^a,b   Silly, M G ^c   Belkhou, R ^c   Shukla, A ^b   Sirotti, F ^c   Ouerghi, A ^a  

^a UNIV PARIS SUD   (France)

^b UNIVERSITÉ PIERRE ET MARIE CURIE   (France)

^c SYNCHROTRON SOLEIL   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EDGE DENSITIES; EDGE STATE; EMPTYSTATE; GRAPHENE EDGES; NEAR EDGE X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURES; OPTOELECTRONIC APPLICATIONS; SIC SUBSTRATES; SILICON SUBSTRATES;

ELECTRIC PROPERTIES; EPITAXIAL GROWTH;

SILICON CARBIDE;

EID: 84883343262     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4818547     Document Type: Article

References (28)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature (London) 438, 197 (2005). 10.1038/nature04233
2. C. Berger, Z. M. Song, X. B. Li, X. S. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayo, T. B. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, Science 312, 1191 (2006). 10.1126/science.1125925
3. J. Hicks, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, M. S. Nevius, F. Wang, K. Shepperd, J. Palmer, F. Bertran, P. Le Fèvre, J. Kunc, Nat. Phys. 9 (1), 49-54 (2013). 10.1038/nphys2487
4. A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, W. A. de Heer, C. Berger, and E. H. Conrad, New J. Phys. 14 (12), 125007 (2012). 10.1088/1367-2630/14/12/125007
5. K. Nakada, M. Fujita, G. Dresselhaus, and M. Dresselhaus, Phys. Rev. B 54, 17954 (1996). 10.1103/PhysRevB.54.17954
6. Y. Kobayashi, K. I. Fukui, T. Enoki, K. Kusakabe, and Y. Kaburagi, Phys. Rev. B 71, 193406 (2005). 10.1103/PhysRevB.71.193406
7. M. Fujita, K. Wakabayashi, K. Nakada, and K. Kusakabe, J. Phys. Soc. Jpn. 65, 1920 (1996). 10.1143/JPSJ.65.1920
8. Y. Shimomura, Y. Takane, and K. Wakabayashi, J. Phys. Soc. Jpn. 80, 054710 (2011). 10.1143/JPSJ.80.054710
9. K. Wakabayashi, M. Sigrist, and M. Fujita, J. Phys. Soc. Jpn. 67, 2089 (1998). 10.1143/JPSJ.67.2089
10. M. Ridene, J. C. Girard, L. Travers, C. David, and A. Ouerghi, Surf. Sci. 606, 1289-1292 (2012). 10.1016/j.susc.2012.04.006
11. A. Ouerghi, M. Ridene, A. Balan, R. Belkhou, A. Barbier, N. Gogneau, M. Portail, A. Michon, S. Latil, P. Jegou, Phys. Rev. B 83, 205429 (2011). 10.1103/PhysRevB.83.205429
12. V. Y. Aristov, G. Urbanik, K. Kummer, D. V. Vyalikh, O. V. Molodtsova, A. B. Preobrajenski, A. A. Zakharov, C. Hess, T. Hänke, B. Büchner, Nano Lett. 10, 992 (2010). 10.1021/nl904115h
13. M. Suemitsu and H. Fukidome, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 374012 (2010). 10.1088/0022-3727/43/37/374012
14. A. Ouerghi, A. Balan, C. Castelli, M. Picher, R. Belkhou, M. Eddrief, M. G. Silly, M. Marangolo, A. Shukla, and F. Sirotti, Appl. Phys. Lett. 101, 021603 (2012). 10.1063/1.4734396
15. M. Portail, A. Michon, S. Vezian, D. Lefebvre, S. Chenot, E. Roudon, M. Zielinski, T. Chassagne, A. Tiberj, J. Camassel, J. Cryst. Growth 349, 27-35 (2012). 10.1016/j.jcrysgro.2012.04.004
16. M. G. Silly, J. Roy, H. Enriquez, P. Soukiassian, C. Crotti, S. Fontana, and P. Perfetti, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2226 (2004). 10.1116/1.1768532
17. N. Bergeard, M. G. Silly, D. Krizmancic, C. Chauvet, M. Guzzo, J. P. Ricaud, M. Izquierdo, L. Stebel, P. Pittana, J. Synchrotron Radiat. 18 (2), 245-250 (2011). 10.1107/S0909049510052301
18. A. Ouerghi, M. G. Silly, M. Marangolo, C. Mathieu, M. Eddrief, M. Picher, F. Sirotti, S. El. Moussaoui, and R. Belkhou, ACS Nano 6, 6075 (2012). 10.1021/nn301152p
19. H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi, Phys. Rev. B 77, 075413 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.075413
20. N. Gogneau, A. Balan, M. Ridene, A. Shukla, and A. Ouerghi, Surf. Sci. 606, 217 (2012). 10.1016/j.susc.2011.09.021
21. A. N. Chaika, O. V. Molodtsova, A. A. Zakharov, D. Marchenko, J. Sánchez-Barriga, A. Varykhalov, I. V. Shvets, and V. Yu. Aristov, Nano Research 6 (8), 562-570 (2013). 10.1007/s12274-013-0331-9
22. A. Ouerghi, M. Marangolo, R. Belkhou, S. El Moussaoui, M. G. Silly, M. Eddrief, L. Largeau, M. Portail, B. Fain, and F. Sirotti, Phys. Rev. B 82, 125445 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.125445
23. E. Velez-Fort, C. Mathieu, E. Pallecchi, M. Pigneur, M. G. Silly, R. Belkhou, M. Marangolo, A. Shukla, F. Sirotti, and A. Ouerghi, ACS Nano 6, 10893 (2012). 10.1021/nn304315z
24. Z. H. Ni, W. Chen, X. F. Fan, J. L. Kuo, T. Yu, A. T. S. Wee, and Z. X. Shen, Phys. Rev. B 77, 115416 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.115416
25. M. A. Pimenta, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, L. G. Cancado, A. Jorio, and R. Saito, Phys. Chem. Chem. Phys. 9, 1276 (2007). 10.1039/b613962k
26. J. A. Brandesa, G. D. Codyb, D. Rumbleb, P. Haberstrohc, S. Wirickd, and Y. Gelinase, Carbon 46, 1424 (2008). 10.1016/j.carbon.2008.06.020
27. S. Entani, S. Ikeda, M. Kiguchi, K. Saiki, G. Yoshikawa, I. Nakai, H. Kondoh, and T. Ohta, Appl. Phys. Lett. 88, 153126 (2006). 10.1063/1.2194867
28. V. L. J. Joly, M. Kiguchi, S.-J. Hao, K. Takai, T. Enoki, R. Sumii, K. Amemiya, H. Muramatsu, T. Hayashi, Phys. Rev. B 81, 245428 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.245428