Epitaxial graphene on single domain 3C-SiC(100) thin films grown on off-axis Si(100)

Applied Physics Letters

Volumn 101, Issue 2, 2012, Pages

  Ouerghi, A ^a   Balan, A ^b   Castelli, C ^b   Picher, M ^a   Belkhou, R ^c   Eddrief, M ^d   Silly, M G ^c   Marangolo, M ^d   Shukla, A ^b   Sirotti, F ^c  

^a UNIV PARIS SUD   (France)

^b SORBONNE UNIVERSITÉ   (France)

^c SYNCHROTRON SOLEIL   (France)

^d INSTITUT DES NANOSCIENCES DE PARIS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

3C-SIC FILMS; EPITAXIAL GRAPHENE; GRAPHENE LAYERS; NEAR EDGE X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURES; OFF-AXIS; PLANAR DOMAIN; SI(1 0 0); SINGLE DOMAINS; SUBSTRATE SURFACE;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DECOMPOSITION; ELECTRONIC PROPERTIES; EPITAXIAL FILMS; GRAPHENE; PHOTOELECTRONS; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON; SILICON CARBIDE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 84863888233     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4734396     Document Type: Article

References (24)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature (London) 438, 197 (2005). 10.1038/nature04233
2. K. S. Novoselov, Z. Jiang, Y. Zhang, S. V. Morozov, H. L. Stormer; U. Zeitler, J. C. Maan, G. S. Boebinger, P. Kim, and A. K. Geim, Science 315, 1379 (2007). 10.1126/science.1137201
3. K. V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G. L. Kellogg, L. Ley, J. L. McChesney, T. Ohta, S. A. Reshanov, J. Röhrl, E. Rotenberg, A. K. Schmid, D. Waldmann, H. B. Weber, and T. Seyller, Nat. Mater. 8, 203 (2009). 10.1038/nmat2382
4. A. Ouerghi, M. G. Silly, M. Marangolo, C. Mathieu, M. Eddrief, M. Picher, F. Sirotti, S. El Moussaoui, and R. Belkhou, ACS Nano (to be published). 10.1021/nn301152p
5. A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, and J. Kong, Nano Lett. 9, 30 (2009). 10.1021/nl801827v
6. C. Berger, Z. M. Song, X. B. Li, X. S. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayo, T. B. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. de Heer, Science 312, 1191 (2006). 10.1126/science.1125925
7. A. Ouerghi, R. Belkhou, M. Marangolo, M. G. Silly, S. El Moussaoui, M. Eddrief, L. Largeau, M. Portail, and F. Sirotti, Appl. Phys. Lett. 97, 161905 (2010). 10.1063/1.3497287
8. A. Ouerghi, M. Marangolo, R. Belkhou, S. El Moussaoui, M. G. Silly, M. Eddrief, L. Largeau, M. Portail, B. Fain, and F. Sirotti, Phys. Rev. B 82, 125445 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.125445
9. M. Suemitsu and H. Fukidome, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 374012 (2010). 10.1088/0022-3727/43/37/374012
10. H. P. Liaw and R. F. Davis, J. Electrochem. Soc. 132, 642 (1985). 10.1149/1.2113921
11. C. Coletti, K. V. Emtsev, A. A. Zakharov, T. Ouisse, D. Chaussende, and U. Starke, Appl. Phys. Lett. 99, 081904 (2011). 10.1063/1.3618674
12. V. Y. Aristov, G. Urbanik, K. Kummer, D. V. Vyalikh, O. V. Molodtsova, A. B. Preobrajenski, A. A. Zakharov, C. Hess, T. Hänke, B. Büchner, I. Vobornik, J. Fujii, G. Panaccione, Y. A. Ossipyan, and M. Knupfer, Nano Lett. 10, 992 (2010). 10.1021/nl904115h
13. A. Ouerghi, M. Ridene, A. Balan, R. Belkhou, A. Barbier, N. Gogneau, M. Portail, A. Michon, S. Latil, P. Jegou, and A. Shukla, Phys. Rev. B 83, 205429 (2011). 10.1103/PhysRevB.83.205429
14. A. Powell, L. G. Matus, and M. A. Kuczmarski, C. M. Chorey, T. T. Cheng, and P. Pirouz, Appl. Phys. Lett. 51, 823 (1987). 10.1063/1.98824
15. M. Portail, A. Michon, S. Vezian, D. Lefebvre, S. Chenot, E. Roudon, M. Zielinski, T. Chassagne, A. Tiberj, J. Camassel, and Y. Cordier, J. Cryst. Growth 349, 27-35 (2012). 10.1016/j.jcrysgro.2012.04.004
16. Z. H. Ni, W. Chen, X. F. Fan, J. L. Kuo, T. Yu, A. T. S. Wee, and Z. X. Shen, Phys. Rev. B 77, 115416 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.115416
17. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, and A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 3, 210 (2008). 10.1038/nnano.2008.67
18. N. Ferralis, R. Maboudian, and C. Carraro, Phys. Rev. Lett. 101, 156801 (2008). 10.1103/PhysRevLett.101.156801
19. A. Ouerghi, A. Kahouli, D. Lucot, M. Portail, L. Travers, J. Gierak, J. Penuelas, P. Jegou, A. Shukla, T. Chassagne, and M. Zielinski, Appl. Phys. Lett. 96, 191910 (2010). 10.1063/1.3427406
20. D. A. Fischer, R. M. Wentzcovitch, R. G. Carr, A. Continenza, and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 44, 1427 (1991). 10.1103/PhysRevB.44.1427
21. M. Pedio, A. Giglia, N. Mahne, S. Nannarone, S. Giovannini, C. Cepek, F. Boscherini, R. Carboni, M. Benfatto, and S. D. Longa, Phys. Scr. T115, 308 (2005). 10.1238/Physica.Topical.115a00308
22. J. A. Brandesa, G. D. Codyb, D. Rumbleb, P. Haberstrohc, S. Wirickd, and Y. Gelinase, Carbon 46, 1424 (2008). 10.1016/j.carbon.2008.06.020
23. R. A. Rosenberg, P. J. Love, and V. Rehn, Phys. Rev. B 33, 4034 (1986). 10.1103/PhysRevB.33.4034
24. H.-K. Jeong, H. J. Noh, J. Y. Kim, L. Colakerol, P. A. Glans, M. H. Jin, K. E. Smith, and Y. H. Lee, Phys. Rev. Lett. 102, 099701 (2009). 10.1103/PhysRevLett.102.099701