Continuous-flow MOVPE of Ga-polar GaN column arrays and core-shell LED structures

Crystal Growth and Design

Volumn 13, Issue 8, 2013, Pages 3475-3480

  Wang, Xue ^a   Li, Shunfeng ^a,b   Mohajerani, Matin Sadat ^a   Ledig, Johannes ^a   Wehmann, Hergo Heinrich ^a   Mandl, Martin ^a,c   Strassburg, Martin ^c   Steegmüller, Ulrich ^c   Jahn, Uwe ^d   Lähnemann, Jonas ^d   Riechert, Henning ^d   Griffiths, Ian ^e   Cherns, David ^e   Waag, Andreas ^a  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

^c OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH   (Germany)

^d PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^e UNIVERSITY OF BRISTOL   (United Kingdom)

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CONTINUOUS-FLOW; DISLOCATION FREE; HIGH ASPECT RATIO; INGAN/GAN MULTI-QUANTUM WELL; INNER STRUCTURE; METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHYSICAL PRINCIPLES; VERTICAL GROWTH;

ASPECT RATIO; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SHELLS (STRUCTURES);

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84881392250     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg4003737     Document Type: Article

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