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Volumn 2, Issue 6, 2013, Pages

Effects of passivation layer and post-annealing on Ga-doped ZnO films grown by ALD

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EID: 84879968591     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.005306jss     Document Type: Article
Times cited : (11)

References (22)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.