Influence of oxide semiconductor thickness on thin-film transistor characteristics

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 52, Issue 3 PART 2, 2013, Pages

  Nakata, Mitsuru ^a   Tsuji, Hiroshi ^a   Sato, Hiroto ^a   Nakajima, Yoshiki ^a   Fujisaki, Yoshihide ^a   Takei, Tatsuya ^a   Yamamoto, Toshihiro ^a   Fujikake, Hideo ^a  

^a NHK SCIENCE AND TECHNICAL RESEARCH LABORATORIES   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

C. THIN FILM TRANSISTOR (TFT); CALCULATION RESULTS; HIGH-ELECTRON-DENSITY; NEGATIVE GATE VOLTAGES; OXIDE SEMICONDUCTOR; THICKNESS VARIATION; THRESHOLD VOLTAGE VARIATION; TRANSFER CHARACTERISTICS;

AMORPHOUS FILMS; DISPLAY DEVICES; THRESHOLD VOLTAGE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84877269648     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.52.03BB04     Document Type: Article

References (32)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
2. H. Hosono: J. Non-Cryst. Solids 352 (2006) 851.
3. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 4303.
4. M. Ito, M. Kon, T. Okubo, M. Ishizaki, and N. Sekine: Proc. 12th Int. Display Workshops in conjunction with Asia Display, 2005, p. 845.
5. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, and H. Kumomi: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 112123.
6. K. Abe, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Proc. 14th Int. Display Workshops, 2007, p. 1779.
7. T. Tanabe, S. Amano, H. Miyake, A. Suzuki, R. Komatsu, J. Koyama, S. Yamazaki, K. Okazaki, M. Katayama, H. Matsukizono, Y. Kanzaki, and T. Matsuo: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 43 (2012) 88.
8. N. Morosawa, Y. Ohshima, M. Morooka, T. Arai, and T. Sasaoka: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 479.
9. Y. G. Mo, M. Kim, C. K. Kang, J. H. Jeong, Y. S. Park, C. G. Choi, H. D. Kim, and S. S. Kim: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 41 (2010) 1037.
10. T. H. Shih, T. T. Tsai, K. C. Chen, Y. C. Lee, S. W. Fang, J. Y. Lee, W. J. Hsieh, S. H. Tseng, Y. M. Chiang, W. H. Wu, S. C. Wang, H. H. Lu, L. H. Chang, L. Tsai, C. Y. Chen, and Y. H. Lin: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 43 (2012) 92.
11. K. Hatano, A. Chida, T. Okano, N. Sugisawa, T. Nagata, T. Inoue, S. Seo, K. Suzuki, M. Aizawa, S. Yoshitomi, M. Hayakawa, H. Miyake, J. Koyama, S. Yamazaki, Y. Monma, S. Obana, S. Eguchi, H. Adachi, M. Katayama, K. Okazaki, and M. Sakakura: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 498.
12. H. Yamaguchi, T. Ueda, K. Miura, N. Saito, S. Nakano, T. Sakano, K. Sugi, I. Amemiya, M. Hiramatsu, and A. Ishida: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 1002.
13. M. Noda, K. Teramoto, E. Fukumoto, T. Fukuda, K. Shimokawa, T. Saito, T. Tanikawa, M. Suzuki, G. Izumi, S. Kumon, T. Arai, T. Kamei, M. Kodate, S. No, T. Sasaoka, and K. Nomoto: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 43 (2012) 998.
14. M. Nakata, H. Sato, Y. Nakajima, Y. Fujisaki, T. Takei, T. Shimizu, M. Suzuki, H. Fukagawa, G. Motomura, T. Yamamoto, and H. Fujikake: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 202.
15. M. Nakata, H. Sato, Y. Nakajima, H. Tsuji, Y. Fujisaki, T. Takei, T. Yamamoto, and H. Fujikake: Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 044105.
16. Y. Nakajima, M. Nakata, T. Takei, H. Sato, H. Tsuji, Y. Fujisaki, T. Shimizu, G. Motomura, H. Fukagawa, T. Yamamoto, and H. Fujikake: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 43 (2012) 271.
17. T. Kawamura, H. Uchiyama, S. Saito, H. Wakana, T. Mine, M. Hatano, K. Torii, and T. Onai: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 77.
18. J. S. Park, J. K. Jeong, H. J. Chung, Y. G. Mo, and H. D. Kim: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 072104.
19. J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 123508.
20. C. K. Kang, Y. S. Park, S. I. Park, Y. G. Mo, B. H. Kim, and S. S. Kim: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 25.
21. H. Tsuji, M. Nakata, H. Sato, Y. Nakajima, Y. Fujisaki, T. Takei, T. Yamamoto, and H. Fujikake: Proc. IEEE Industry Applications Society Annu. Meet., 2012, p. 1.
22. M. Nakata, K. Takechi, T. Eguchi, E. Tokumitsu, H. Yamaguchi, and S. Kaneko: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 081607.
23. K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 192107.
24. Y. Kikuchi, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Thin Solid Films 518 (2010) 3017.
25. K. Ide, Y. Kikuchi, K. Nomura, M. Kimura, T. Kamiya, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 093507.
26. J. Park, S. Kim, C. Kim, S. Kim, I. Song, H. Yin, K. K. Kim, S. Lee, K. Hong, J. Lee, J. Jung, E. Lee, K. W. Kwon, and Y. Park: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 053505.
27. S. E. Liu, M. J. Yu, C. Y. Lin, G. T. Ho, C. C. Cheng, C. M. Lai, C. J. Lin, Y. C. King, and Y. H. Yeh: IEEE Trans. Electron Devices 32 (2011) 161.
28. W. T. Chen, S. Y. Lo, S. C. Kao, H. W. Zan, C. C. Tsai, J. H. Lin, C. H. Fang, and C. C. Lee: IEEE Trans. Electron Devices 32 (2011) 1552.
29. S. H. Choi, J. H. Jang, J. J. Kim, and M. K. Han: IEEE Trans. Electron Devices 33 (2012) 381.
30. S. H. Choi and M. K. Han: IEEE Trans. Electron Devices 33 (2012) 396.
31. S. M. Lee, C. I. Ryoo, J. W. Park, J. Han, D. W. Kim, Y. Y. Kim, I. K. Kang, K. H. Seo, Y. J. Koh, D. M. Han, Y. H. Choi, H. S. Seo, B. C. Kim, S. Y. Cha, J. U. Bae, C. D. Kim, M. Jun, and Y. K. Hwang: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 104.
32. H. Ohara, T. Sasaki, K. Noda, S. Ito, M. Sasaki, Y. Endo, S. Yoshitomi, J. Sakata, T. Serikawa, and S. Yamazaki: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 03CD02.