Analysis of the influence of sputtering damage to polymer gate insulators in amorphous InGaZnO 4 thin-film transistors

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 4 PART 1, 2012, Pages

  Nakata, Mitsuru ^a   Sato, Hiroto ^a   Nakajima, Yoshiki ^a   Tsuji, Hiroshi ^a   Fujisaki, Yoshihide ^a   Takei, Tatsuya ^a   Yamamoto, Toshihiro ^a   Fujikake, Hideo ^a  

^a NHK SCIENCE AND TECHNICAL RESEARCH LABORATORIES   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS INGAZNO; FIXED CHARGES; POLYMER GATE INSULATOR; POLYMER INSULATOR; SWITCHING PERFORMANCE; THIN FILM TRANSISTORS (TFT); THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS); TRANSFER CHARACTERISTICS;

METAL IONS; OLEFINS; POLYMERS;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84860468143     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.044105     Document Type: Article

References (22)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
2. H. Hosono: J. Non-Cryst. Solids 352 (2006) 851.
3. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 4303.
4. M. Ito, M. Kon, T. Okubo, M. Ishizaki, and N. Sekine: Proc. 12th Int. Display Workshops in conjunction with Asia Display, 2005, p. 845.
5. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, and H. Kumomi: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 112123.
6. K. Abe, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Proc. 14th Int. Display Workshops, 2007, p. 1779.
7. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 733.
8. H. S. Bae and S. Im: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 1191.
9. Y. G. Mo, M. Kim, C. K. Kang, J. H. Jeong, Y. S. Park, C. G. Choi, H. D. Kim, and S. S. Kim: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 41 (2010) 1037.
10. H. H. Lu, H. C. Ting, T. H. Shih, C. Y. Chen, C. S. Chuang, and Y. Lin: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 40 (2009) 284.
11. H. Ohara, T. Sasaki, K. Noda, S. Ito, M. Sasaki, Y. Toyosumi, Y. Endo, S. Yoshitomi, J. Sakata, T. Serikawa, and S. Yamazaki: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 40 (2009) 284.
12. M. Furuta, T. Matsuda, T. Hiramatsu, H. Furuta, T. Hirano, M. Yoshida, H. Hokari, H. Ishii, and M. Kakegawa: Proc. 13th Int. Display Workshops, 2006, p. 677.
13. K. Lee, J. H. Kim, and S. Im: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 023504.
14. K. Lee, J. H. Kim, S. Im, C. S. Kim, and H. K. Baik: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 133507.
15. J. H. Noh, C. S. Kim, S. Y. Ryu, and S. J. Jo: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 4096.
16. R. Takahashi, M. Itagaki, N. Miura, R. Iijima, and Y. Shinkai: Proc. 15th Int. Display Workshops, 2008, p. 1631.
17. S. Yang, J. Lee, S. K. Park, W. Cheong, D. Cho, S. Yoon, C. Byun, C. Hwang, H. Chu, K. Cho, T. Ahn, Y. Choi, M. H. Yi, and J. Jang: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 446.
18. Y. Fujisaki, Y. Nakajima, D. Kumaki, T. Yamamoto, S. Tokito, T. Kono, J. Nishida, and Y. Yamashita: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 133303.
19. Y. Nakajima, Y. Fujisaki, T. Takei, H. Sato, M. Nakata, M. Suzuki, H. Fukagawa, G. Motomura, T. Shimizu, K. Sugitani, Y. Isogai, T. Katoh, T. Yamamoto, H. Fujikake, and S. Tokito: MRS Proc. 1287 (2011) mrsf10-1287-f09-09.
20. M. Suzuki, H. Fukagawa, G. Motomura, Y. Nakajima, M. Nakata, H. Sato, T. Shimizu, Y. Fujisaki, T. Takei, S. Tokito, T. Yamamoto, and H. Fujikake: Proc. 17th Int. Display Workshops, 2010, p. 1676.
21. M. Nakata, H. Sato, Y. Nakajima, Y. Fujisaki, T. Takei, T. Shimizu, M. Suzuki, H. Fukagawa, G. Motomura, T. Yamamoto, and H. Fujikake: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 202.
22. M. Nakata, K. Takechi, T. Eguchi, E. Tokumitsu, H. Yamaguchi, and S. Kaneko: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 081607.