Structural and magnetic studies on iron oxide and iron-magnesium oxide thin films deposited using ferrocene and (Dimethylaminomethyl)ferrocene precursors

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 2, Issue 3, 2013, Pages

  Kukli, Kaupo ^a,b   Dimri, Mukesh Chandra ^c   Tamm, Aile ^b   Kemell, Marianna ^a   Käämbre, Tanel ^b   Vehkamäki, Marko ^a   Puttaswamy, Manjunath ^a   Stern, Raivo ^c   Kuusik, Ivar ^b   Kikas, Arvo ^b   Tallarida, Massimo ^d   Schmeißer, Dieter ^d   Ritala, Mikko ^a   Leskelä, Markku ^a  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

^c NATIONAL INSTITUTE OF CHEMICAL PHYSICS AND BIOPHYSICS   (Estonia)

^d BRANDENBURG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84874824932     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.004303jss     Document Type: Article

References (62)

1. B. M. Klahr, A. B. F. Martinson, and T. W. Hamann, Langmuir, 27, 461 (2011).
2. M. Aronniemi, J. Saino, and J. Lahtinen, Thin Solid Films, 516, 6110 (2008).
3. M. de Ridder, P. C. van de Ven, R. G. van Welzenis, H. H. Brongersma, S. Helfensteyn, C. Creemers, P. Van Der Voort, M. Baltes, M. Mathieu, and E. F. Vansant, J. Phys. Chem., B, 106, 13146 (2002).
4. M. B. Yazdi, M.-L. Goyallon, T. Bitsch, A. Kastner, M. Schlott, and L. Alff, Thin Solid Films, 519, 2531 (2011).
5. S. Jain, A. O. Adeyey, and D. Y. Dai, J. Appl. Phys., 95, 7237 (2004).
6. C. Park, Y. Peng, J.-G. Zhu, D. E. Laughlin, and R. M. White, J. Appl. Phys., 97, 10C303 (2005).
7. T. Tepper, F. Ilievski, C. A. Rossa, T. R. Zaman, R. J. Ram, S. Y. Sung, and B. J. H. Stadler, J. Appl. Phys., 93, 6948 (2003).
8. J. Ma, J. Hu, Z. Li, and C.-W. Nan, Adv. Mater., 23, 1062 (2011).
9. P. J. van der Zaag, P. J. H. Bloemen, J. M. Gaines, R. M. Wolf, P. A. A. van der Heijden, R. J. M. van de Veerdonk, and W. J. M. de Jonge, J. Magn. Magn. Mater., 211, 301 (2000).
10. J. Orna, L. Morellon, P. A. Algarabel, J. A. Pardo, S. Sangiao, C. Magen, E. Snoeck, J. M. De Teresa, and M. R. Ibarra, IEEE Transact Magn., 44, 2862 (2008).
11. R. Arras, L. Calmels, and B.Warot-Fonrose, J. Phys.: Conf. Ser., 200, 072008 (2010).
12. P. Li, E. Y. Jiang, and H. L. Bai, J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 075003 (2011).
13. A. Zolotaryov, J. Bachmann, J. M. Montero-Moreno, K. Pitzschel, and K. Nielsch, Precision Eng., 35, 496 (2011).
14. W. B. Ingler Jr. and S. U. M. Khan, Thin Solid Films 461, 301 (2004).
15. R. K. Kotnala, J. Shah, M. C. Mathpal, K. C. Verma, S. Singh, and S. Lovkush, Thin Solid Films, 519, 6135 (2011).
16. G. Pullaiah, E. Irving, K. L. Buchan, and D. J. Dunlop, Earth Planet. Sci. Lett., 28, 133 (1975).
17. E. Darezereshki, Mater. Lett., 65, 642 (2011).
18. X. Tang, H. Zhang, H. Su, Z. Zhong, and Y. Jing, Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 16, s249 (2006).
19. T. Tepper and C. A. Ross, J. Appl. Phys., 91, 4453 (2002).
20. R. J. Willey, S. A. Oliver, G. Oliveri, and G. Busca, J. Mater. Res., 8, 1418 (1996).
21. S. Da Dalt, A. S. Takimi, V. C. Sousa, and C. P. Bergmann, Particulate Sci. Tech.: Int. J., 27, 519 (2009).
22. R. J. Harrison and A. Putnis, Surv. Geophys., 19, 461 (1999).
23. A. Sundaresan and C. N. R. Rao, Nano Today, 4, 96 (2009).
24. M. Tadíc, D. Markovíc, V. Spasojevíc, V. Kusigerski, M. Rem?skar, J. Pirnat, and Z. Jagličíc, J. Alloys Compd., 441, 291 (2007).
25. D. T. Margulies, F. T. Parker, F. E. Spada, R. S. Goldman, J. Li, R. Sinclair, and A. E. Berkowitz, Phys. Rev., B, 53, 9175 (1996).
26. M. L. Paramês, J. Mariano, Z. Viskadourakis, N. Popovici, M. S. Rogalski, J. Giapintzakis, and O. Conde, Appl. Surf. Sci., 252, 4610 (2006).
27. S. Thevuthasan, D. E. McCready, W. Jiang, S. I. Yi, S. Maheswaran, K. D. Keefer, and S. A. Chambers, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., B, 161-163, 510 (2000).
28. D. Tripathy, A. O. Adeyeye, and C. B. Boothroyd, J. Appl. Phys., 99, 081105 (2006).
29. X. Hu, J. C. Yu, J. Gong, Q. Li, and G. Li, Adv. Mater., 19, 2324 (2007).
30. S.-W. Cao, Y.-J. Zhu, and Y.-P. Zeng, J. Magn. Magn. Mater., 321, 3057 (2009).
31. S. Dhar, K. Shalini, and S. A. Shivashankar, Bull. Mater. Sci., 31, 723 (2008).
32. R. N. Goyal, D. Kaurb, and A. K. Pandey, Mater. Chem. Phys., 116, 638 (2009).
33. J. Escrig, J. Bachmann, J. Jing, M. Daub, D. Altbir, and K. Nielsch, Phys. Rev., B, 77, 214421 (2008).
34. J. Bachmann, J. Escrig, K. Pitzschel, J. M. M. Moreno, J. Jing, D. Görlitz, D. Altbir, and K. Nielsch, J. Appl. Phys., 105, 07B521 (2009).
35. A. B. F. Martinson, M. J. DeVries, J. A. Libera, S. T. Christensen, J. T. Hupp, M. J. Pellin, and J. W. Elam, J. Phys. Chem., C, 115, 4333 (2011).
36. R. Zierold, Z. Y.Wu, J. Biskupek, U. Kaiser, J. Bachmann, C. E.Krill, and K. Nielsch, Adv. Funct. Mater., 21, 226 (2011).
37. J. Gemmer, Y. Hinrichsen, A. Abel, and J. Bachmann, J. Catalysis, 290, 220 (2012).
38. M. Rooth, A. Johansson, K. Kukli, J. Aarik, M. Boman, and A. Hårsta, Chem. Vap. Deposition, 14, 67 (2008).
39. J. R. Scheffe, A. Francés, D. M. King, X. Liang, B. A. Branch, A. S. Cavanagh, S. M. George, and A. W. Weimer, Thin Solid Films, 517, 1874 (2009).
40. J. R. Scheffe, M. D. Allendorf, E. N. Coker, B. W. Jacobs, A. H. McDaniel, and A. W. Weimer, Chem. Mater., 23, 2030 (2011).
41. X. Meng, M. Ionescu, M. N. Banis, Y. Zhong, H. Liu, Y. Zhang, S. Sun, R. Li, and X. Sun, J. Nanopart. Res., 13, 1207 (2011).
42. J. Bachmann, J. Jing, M. Knez, S. Barth, H. Shen, S. Mathur, U. Gösele, and K. Nielsch, J. Am. Chem. Soc., 129, 9554 (2007).
43. K. Pitzschel, J. M. M. Moreno, J. Escrig, O. Albrecht, K. Nielsch, and J. Bachmann, ACS Nano, 3, 3463 (2009).
44. O. Nilsen, M. Lie, S. Foss, H. Fjellvåg, and A. Kjekshus, Appl. Surf. Sci., 227, 40 (2004).
45. M. Lie, H. Fjellvåg, and A. Kjekshus, Thin Solid Films., 488, 74 (2005).
46. R. Mantovan, M. Georgieva,M. Perego, H. L. Lu, S. Cocco, A. Zenkevich, G. Scarel, and M. Fanciulli, Act. Phys. Pol., A, 112, 1271 (2007).
47. T. Suntola, Thin Solid Films, 216, 84 (1992).
48. M. Putkonen, L.-S. Johansson, E. Rauhala, and L. Niinistö, J. Mater. Chem., 9, 2449 (1999).
49. R. A. Waldo, Microbeam Analysis, San Francisco Press, San Francisco, CA, p. 310 (1988).
50. D. Schmeisser, P. Hoffmann, and G. Beuckert, Materials for Information Technology, Devices, Interconnects and Packaging, Engineering Materials and Processes; Springer: New York, 2005.
51. M. Tallarida and D. Schmeisser, Semicond. Sci. Technol., 27, 074010 (2012).
52. A. Tamm, M. C. Dimri, J. Kozlova, A. Aidla, T. Tätte, T. Arroval, U. Mäeorg, H. Mändar, R. Stern, and K. Kukli, J. Cryst. Growth, 343, 21 (2012).
53. Y. Peng, C. Park, and D. E. Laughlin, J. Appl. Phys., 93, 7957 (2003).
54. J. S. Salazar, L. Perez, O. de Abril, L. T. Phuoc, D. Ihiawakrim, M. Vazquez, J.-M. Greneche, S. Begin-Colin, and G. Pourroy, Chem. Mater., 23, 1379 (2011).
55. J. Wang, T. Deng, and Y. Dai, J. Alloys Compd., 390, 127 (2005).
56. M. Aronniemi, J. Lahtinen, and P. Hautojärvi, Surf. Interface Anal., 36, 1004 (2004).
57. R. S. de Biasi, L. H. G. Cardoso, J. B. De Campos, D. R. Sanchez, and J. B. M. da Cunha, Mater. Res., 12, 225 (2009).
58. O. N. Shebanova and P. Lazor, J. Solid State Chem., 174, 424 (2003).
59. A. M. Jubb and H. C. Allen, Appl. Mater. Interfaces, 2, 2804 (2010).
60. E. P. Domashevskaya, S. A. Storozhilov, S. Yu, V. M. Turishchev, V. A. Kashkarov, O. V. Terekhov, Yu. Stognei, E. Kalinin, A. V. Sitnikov, and S. L. Molodtsov, Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys., 72, 448 (2008).
61. A. Yamasaki, H. Kobori, H. Osawa, T. Nakamura, and A. Sugimura, J. Phys., 150, 042235 (2009).
62. C. K. Yang, J. W. Chiou, H. M. Tsai, C. W. Pao, J. C. Jan, S. C. Ray, C. L. Yeh, K. C. Huang,H. C. Hsueh,W. F. Ponga, M.-H. Tsai, H. H. Hsieh, H. J. Lin, T. Y. Hou, and J. H. Hsu, Appl. Phys. Lett., 86, 062504 (2005).