Tunnel injection and power efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes

Semiconductors

Volumn 47, Issue 1, 2013, Pages 127-134

  Bochkareva, N I ^a   Voronenkov, V V ^b   Gorbunov, R I ^a   Latyshev, P E ^c   Lelikov, Yu S ^a   Rebane, Yu T ^a   Tsyuk, A I ^a   Shreter, Yu G ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b PETER THE GREAT ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Russian Federation)

^c ST PETERSBURG STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84872037426     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/S1063782613010089     Document Type: Article

References (30)

1. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
2. P. Perlin, V. Iota, B. A. Weinstein, P. Wisniewski, T. Suski, P. G. Eliseev, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 70, 2993 (1997).
3. Y. Narukava, Y. Kavakami, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10283 (1999).
4. N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, Yu. S. Lelikov, F. E. Latyshev, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 44, 794 (2010).
5. Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 354002 (2010).
6. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
7. T. Mukai, K. Takekava, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L839 (1996).
8. N. I. Bochkareva, E. A. Zhirnov, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, D. A. Lavrinovich, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 39, 795 (2005).
9. G. Meneghesso, S. Levada, E. Zanoni, S. Podda, G. Mura, M. Vanzi, A. Cavallini, A. Castaldini, S. Du, and I. Eliashevich, Phys. Status Solidi A 194, 389 (2002).
10. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. Kim, B. Luo, R. Mehandru, F. Ren, K. P. Lee, S. J. Pearton, A. V. Osinsky, and P. E. Norris, J. Appl. Phys. 91, 5203 (2002).
11. J. Hu, L. Yang, L. Kim, and M. W. Shin, Semicond. Sci. Technol. 22, 1249 (2007).
12. N. I. Bochkareva, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 40, 118 (2006).
13. H. C. Casey, Jr., J. Muth, S. Krishnankutty, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 68, 2867 (1996).
14. P. Perlin, M. Osinski, P. G. Eliseev, V. A. Smagley, J. Mu, M. Banas, and P. Sartori, Appl. Phys. Lett. 69, 1680 (1996).
15. V. E. Kudryashov, A. N. Turkin, A. E. Yunovich, A. N. Kovalev, and F. I. Manyakhin, Semiconductors 33, 429 (1999).
16. C. H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M. W. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 66, 2712 (1995).
17. L. Balagurov and P. J. Chong, Appl. Phys. Lett. 68, 43 (1996).
18. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
19. N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, F. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 46, 1032 (2012).
20. D. V. Lang, J. D. Cohen, and J. P. Harbison, Phys. Rev. B 25, 5285 (1982).
21. J. D. Cohen and D. V. Lang, Phys. Rev. B 25, 5321 (1982).
22. J. C. Dyre, J. Appl. Phys. 64, 2456 (1988).
23. Don Monroe, Phys. Rev. Lett. 54, 146 (1985).
24. P. Viktorovich and G. Model, J. Appl. Phys. 51, 4847 (1980).
25. R. J. Molnar, T. Lei, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 72 (1993).
26. S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike, K. Manabe, T. Tanaka, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 66, 1112 (1995).
27. H. Katayama-Yoshida, T. Nishimatsu, T. Yamamoto, and N. Orita, J. Phys.: Condens. Matter 13, 8901 (2001).
28. M. Toth, K. Fleischer, and M. R. Phillips, Phys. Rev. B 59, 1575 (1999).
29. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, 1998), p. 343.
30. P. P. Paskov, R. Schifano, B. Monemar, T. Paskova, S. Figger, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 98, 093519 (2005).