Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density

Semiconductors

Volumn 46, Issue 8, 2012, Pages 1032-1039

  Bochkareva, N I ^a   Voronenkov, V V ^b   Gorbunov, R I ^a   Zubrilov, A S ^a   Latyshev, P E ^c   Lelikov, Yu S ^a   Rebane, Yu T ^a   Tsyuk, A I ^a   Shreter, Yu G ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b PETER THE GREAT ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Russian Federation)

^c ST PETERSBURG STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84865478366     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/S1063782612080039     Document Type: Article

References (27)

1. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. App. Phys., pt. I 38, 3976 (1999).
2. P. G. Eliseev, M. Osinski, H. Li, and I. V. Akimova, Appl. Phys. Lett. 75, 3838 (1999).
3. B. Monemar and B. E. Sernelius, Appl. Phys. Lett. 91, 181103 (2007).
4. A. Hori, D. Yasunaga, A. Satake, and K. Fujiwara, Appl. Phys. Lett. 79, 3723 (2001).
5. I. A. Pope, P. M. Smowton, P. Blood, J. D. Thomson, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 82, 2755 (2003).
6. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
7. Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
8. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
9. P. Perlin, V. Iota, B. A. Weinstein, P. Wisniewski, T. Suski, P. G. Eliseev, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 70, 2993 (1997).
10. Y. Narukava, Y. Kavakami, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10283 (1999).
11. N. I. Bochkareva, D. V. Tarkhin, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, Yu. S. Lelikov, I. A. Martynov, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 41, 87 (2007).
12. N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, Y. S. Lelikov, P. E. Latyshev, Y. T. Rebane, A. I. Tsyuk, and Y. G. Shreter, Appl. Phys. Lett. 96, 133502 (2010).
13. Y. H. Cho, T. J. Schmidt, S. Bidnyk, G. H. Gainer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. Den Baars, Phys. Rev. B 61, 7571 (2000).
14. R. F. Street, Phys. Rev. B 23, 861 (1981).
15. W. Fuhs, J. Optoelectron. Adv. Mater. 7, 1889 (2005).
16. S. T. Lai and M. V. Klein, Phys. Rev. B 29, 3217 (1984).
17. M. Oueslati, M. Zouaghi, M. E. Pistol, L. Samuelson, H. G. Grimmeiss, and M. Balkanski, Phys. Rev. B 32, 8220 (1985).
18. R. W. Martin, P. G. Middleton, E. P. O'Donnel, and W. van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
19. H. C. Casey, Jr., J. Muth, S. Krishnankutty, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 68, 2867 (1996).
20. V. E. Kudryashov, A. N. Turkin, A. E. Yunovich, A. N. Kovalev, and F. I. Manyakhin, Semiconductors 33, 429 (1999).
21. P. Perlin, M. Osinski, P. G. Eliseev, V. A. Smagley, J. Mu, M. Banas, and P. Sartori, Appl. Phys. Lett. 69, 1680 (1996).
22. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
23. S. F. Chichibu, H. Marchand, M. S. Minsky, S. Keller, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. B. Fleischer, J. S. Speck, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, T. Deguchi, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 74, 1460 (1999).
24. Y. Narukava, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
25. C. Gourdon and P. Lavallard, Phys. Status Solidi B 153, 641 (1989).
26. Don Monroe, Phys. Rev. Lett. 54, 146 (1985).
27. Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 354002 (2010).