Integration of low-k dielectric liner in through silicon via and thermomechanical stress relief

Applied Physics Express

Volumn 5, Issue 12, 2012, Pages

  Ghosh, Kaushik ^a   Zhang, Jiye ^a,b   Dong, Yuanwei ^c   Li, Hongyu ^b   Tan, Cher Ming ^a   Xia, Guangrui ^c   Tan, Chuan Seng ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

^c UNIVERSITY OF BRITISH COLUMBIA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIAXIAL STRESS; DIELECTRIC LINERS; LOW K DIELECTRICS; MECHANICAL RELIABILITY; RAMAN ANALYSIS; THERMO-MECHANICAL STRESS; THROUGH-SILICON-VIA;

SILICA;

STRESSES;

EID: 84871272358     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.5.126601     Document Type: Article

References (18)

1. J.-Q. Lu: Proc. IEEE 97 (2009) 18.
2. J. U. Knickerbocker, P. S. Andry, B. Dang, R. R. Horton, M. J. Interrante, C. S. Patel, R. J. Polastre, K. Sakuma, R. Sirdeshmukh, E. J. Sprogis, S. M. Sri-Jayantha, A. M. Stephens, A. W. Topol, C. K. Tsang, B. C. Webb, and S. L. Wright: IBM J. Res. Dev. 52 (2008) 553.
3. G. Van der Plas, P. Limaye, I. Loi, A. Mercha, H. Oprins, C. Torregiani, S. Thijs, D. Linten, M. Stucchi, G. Katti, D. Velenis, V. Cherman, B. Vandevelde, V. Simons, I. De Wolf, R. Labie, D. Perry, S. Bronckers, N. Minas, M. Cupac, W. Ruythooren, J. Van Olmen, A. Phommahaxay, M. de Potter de ten Broeck, A. Opdebeeck, M. Rakowski, B. De Wachter, M. Dehan, M. Nelis, R. Agarwal, A. Pullini, F. Angiolini, L. Benini, W. Dehaene, Y. Travaly, E. Beyne, and P. Marchal: IEEE J. Solid-State Circuits 46 (2011) 293.
4. S. E. Thompson, G. Sun, Y. S. Choi, and T. Nishida: IEEE Trans. Electron Devices 53 (2006) 1010.
5. K. Ghosh, J. Zhang, L. Zhang, Y. Dong, H. Y. Li, C. M. Tan, G. Xia, and C. S. Tan: submitted to IMPACT, 2012.
6. A. D. Trigg, L. H. Yu, C. K. Cheng, R. Kumar, D. L. Kwong, T. Ueda, T. Ishigaki, K. Kang, and W. S. Yoo: Appl. Phys. Express 3 (2010) 086601.
7. E. S. Ege and Y. L. Shen: J. Electron. Mater. 32 (2003) 1000.
8. Y. L. Shen and E. S. Ege: MRS Proc. 812 (2004) F6.26.
9. W. Kang, M. Zhang, Y. Zhu, S. Ma, M. Miao, and Y. Jin: 11th ICEPTHDP, 2010, p. 98.
10. Y. L. Shen: Microelectron. Eng. 83 (2006) 446.
11. S. S. Hwang, H. C. Lee, H. W. Ro, D. Y. Yoon, and Y. C. Joe: Proc. IRPS, 2005, p. 474.
12. H. J. Lee, C. L. Soles, D. W. Liu, B. J. Bauer, E. K. Lin, and W. Wu: Proc. IITC, 2003, p. 103.
13. C. J. Wilson, C. Zhao, L. Zhao, Zs. Tokei, K. Croes, M. Pantouvaki, G. P. Beyer, A. B. Horsfall, and A. G. O'Neill: Proc. IITC, 2009, p. 72.
14. S. K. Ryu, T. Jiang, K. H. Lu, J. Im, H. Y. Son, K. Y. Byun, R. Huang, and P. S. Ho: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 041901.
15. K. Kimoto, K. Usami, H. Sakata, and M. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L211.
16. W. S. Kwon, D. T. Alastair, K. H. Teo, S. Gao, T. Ueda, T. Ishigaki, K. T. Kang, and W. S. Yoo: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 232106.
17. L. Zhang, D. F. Lim, H. Y. Li, S. Gao, and C. S. Tan: Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 04DB03.
18. B. P. Asthana and W. Kiefer: Appl. Spectrosc. 36 (1982) 250.