Dynamic processes of resistive switching in metallic filament-based organic memory devices

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 33, 2012, Pages 17955-17959

  Gao, Shuang ^a   Song, Cheng ^a   Chen, Chao ^a   Zeng, Fei ^a   Pan, Feng ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CURVE; DYNAMIC PROCESS; ENERGY-BAND DIAGRAM; HIGH-RESISTANCE STATE; LOW-RESISTANCE STATE; METALLIC FILAMENTS; METHYL ESTERS; ORGANIC MEMORY DEVICES; ORGANICS; RESISTANCE STATE; RESISTIVE MEMORIES; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MECHANISMS;

OPEN CIRCUIT VOLTAGE; SOLID ELECTROLYTES; SWITCHING SYSTEMS; TIN; TIN OXIDES;

INTERFACE STATES;

EID: 84868563009     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp305482c     Document Type: Article

References (27)

1. Cho, B.; Yun, J. M.; Song, S.; Ji, Y.; Kim, D. Y.; Lee, T. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 3976-3981.
2. Wang, Z. S.; Zeng, F.; Yang, J.; Chen, C.; Pan, F. ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 447-453.
3. Son, D. I.; Park, D. H.; Kim, J. B.; Chio, J. W.; Kim, T. W.; Angadi, B.; Yi, Y. J.; Chio, W. K. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 2341-2348.
4. Yang, Y. C.; Pan, F.; Liu, Q.; Liu, M.; Zeng, F. Nano Lett. 2009, 9, 1636-1643.
5. Peng, S. S.; Zhuge, F.; Chen, X. X.; Zhu, X. J.; Hu, B. L.; Pan, L.; Chen, B.; Li, R. W. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 072101.
6. Yang, Y. C.; Gao, P.; Gaba, S.; Chang, T.; Pan, X. Q.; Lu, W. Nat. Commun. 2012, 3, 732.
7. Ghosh, B.; Pal, A. J. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 18391-18395.
8. Fujii, T.; Arita, M.; Takahashi, Y.; Fujiwara, I. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 212104.
9. Choi, S. J.; Gyeong-Su Park, G. S.; Kim, K. H.; Cho, S.; Yang, W. Y.; Li, X. S.; Moon, J. H.; Lee, K. J.; Kim, K. Adv. Mater. 2011, 23, 3272-3277.
10. Jo, S. H.; Lu, W. Nano Lett. 2008, 8, 392-397.
11. Yang, J. J.; Pickett, M. D.; Li, X.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429-433.
12. Kund, M.; Beitel, G.; Pinnow, C. U.; Röhr, T.; Schumann, J.; Symanczyk, R.; Ufert, K. D.; Müller, G. Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 754-757.
13. Liu, Q.; Sun, J.; Lv, H. B.; Long, S. B.; Yin, K. B.; Wan, N.; Li, Y. T.; Sun, L. T.; Liu, M. Adv. Mater. 2012, 24, 1844-1849.
14. Li, G.; Zhu, R.; Yang, Y. Nat. Photonics 2012, 6, 153-161.
15. Liu, J. Q.; Yin, Z. Y.; Cao, X. H.; Zhao, F.; Lin, A. P.; Xie, L. H.; Fan, Q. L.; Boey, F.; Zhang, H.; Huang, W. ACS Nano 2010, 4, 3987-3992.
16. Lai, Y. C.; Ohshimizu, K.; Lee, W. Y.; Hsu, J. C.; Higashihara, T.; Ueda, M.; Chen, W. C. J. Mater. Chem. 2011, 21, 14502-14508.
17. Joo, W. J.; Choi, T. L.; Lee, J.; Lee, S. K.; Jung, M. S.; Kim, N.; Kim, J. M. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 23812-23816.
18. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.
19. Lee, C. B.; Kang, B. S.; Benayad, A.; Lee, M. J.; Ahn, S. E.; Kim, K. H.; Stefanovich, G.; Park, Y.; Yoo, I. K. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 042115.
20. Kim, J. Y.; Lee, K.; Coates, N. E.; Moses, D.; Nguyen, T. Q.; Dante, M.; Heeger, A. J. Science 2007, 317, 222-225.
21. Guan, W. H.; Liu, M.; Long, S. B.; Liu, Q.; Wang, W. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 223506.
22. Huang, Q. J.; Lilley, C. M.; Bode, M.; Divan, R. S. IEEE Conf. Nanotechnol., 8th 2008, 549-552.
23. Bid, A.; Bora, A.; Raychaudhuri, A. K. Phys. Rev. B 2006, 74, 035426.
24. Wu, X. S.; Sprinkle, M.; Li, X. B.; Ming, F.; Berger, C.; de Heer, W. A. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 026801.
25. Banno, N.; Sakamoto, T.; Iguchi, N.; Sunamura, H.; Terabe, K.; Hasegawa, T.; Aono, M. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 3283-3287.
26. Faupel, F.; Willecke, R.; Thran, A. Mater. Sci. Eng., R 1998, 22, 1-55.
27. Liu, Q.; Dou, C. M.; Wang, Y.; Long, S. B.; Wang, W.; Liu, M.; Zhang, M. H.; Chen, J. N. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 023501.