Robust low resistivity p-type ZnO:Na films after ultraviolet illumination: The elimination of grain boundaries

Applied Physics Letters

Volumn 101, Issue 12, 2012, Pages

  Lin, S S ^a,b,c  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

^b ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

^c ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FILM RESISTIVITY; LOW RESISTIVITY; NA-DOPED ZNO; OXYGEN SPECIES; P TYPE ZNO; P-TYPE; P-TYPE BEHAVIORS; P-TYPE CONDUCTION; P-TYPE ZNO FILM; SINGLE-CRYSTALLINE; ULTRAVIOLET ILLUMINATION; ZNO LIGHT-EMITTING DIODES;

GRAIN BOUNDARIES; LIGHT EMITTING DIODES; METALLIC FILMS; OXYGEN; SODIUM;

ZINC OXIDE;

EID: 84866885059     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4754003     Document Type: Article

References (34)

1. D. C. Look and B. Claflin, Phys. Stat. Sol. B 241, 624 (2004). 10.1002/pssb.200304271
2. K. Minegishi, Y. Koiwai, and Y. Kikuchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1453 (1997). 10.1143/JJAP.36.L1453
3. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, 1997).
4. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002). 10.1063/1.1504875
5. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005). 10.1038/nmat1284
6. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 173506 (2006). 10.1063/1.2199588
7. Z. Z. Ye. J. G. Lu, Y. Z. Zhang, Y. J. Zeng, L. L. Chen, F. Zhuge, G. D. Yuan, H. P. He, L. P. Zhu, J. Y. Huang, and B. H. Zhao, Appl. Phys. Lett. 91, 113503 (2007). 10.1063/1.2783262
8. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000). 10.1063/1.126599
9. J.-H. Lim, C.-K. Kang, K.-K. Kim, I.-K. Park, D.-K. Hwang, and S.-J. Park, Adv. Mater. 18, 2720 (2006). 10.1002/adma.200502633
10. H.-S. Kim, F. Lugo, S. J. Pearton, D. P. Norton, Y. -Lin. Wang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 92, 112108 (2008). 10.1063/1.2900711
11. Y. R. Ryu, J. A. Lubguban, T. S. Lee, H. W. White, T. S. Jeong, C. J. Youn, and B. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 131115 (2007). 10.1063/1.2718516
12. S. Chu, J. H. Lim, L. J. Mandalapu, Z. Yang, L. Li, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 92, 152103 (2008). 10.1063/1.2908968
13. E. C. Lee and K. J. Chang, Phys. Rev. B 70, 115210 (2004). 10.1103/PhysRevB.70.115210
14. S. S. Lin, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, X. Q. Gu, L. X. Chen, J. Y. Huang, and B. H. Zhao, Solid State Commun. 148, 25 (2008). 10.1016/j.ssc.2008. 07.028
15. S. S. Lin, Z. Z. Ye, J. G. Lu, H. P. He, L. X. Chen, X. Q. Gu, J. Y. Huang, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 155114 (2008). 10.1088/0022-3727/41/15/155114
16. S. S. Lin, H. P. He, Y. F. Lu, and Z. Z. Ye, J. Appl. Phys. 106, 093508 (2009). 10.1063/1.3254221
17. H. P. He, S. S. Lin, G. D. Yuan, L. Q. Zhang, W. F. Zhang, L. B. Luo, Y. L. Cao, Z. Z. Ye, and S. T. Lee, J. Phys. Chem. C 115, 19018 (2011). 10.1021/jp205807g
18. W. Liu, F. X. Xiu, K. Sun, Y. Xie, K. L. Wang, Y. Wang, J. Zou, Z. Yang, and J. L. Liu, J. Am. Chem. Soc. 132, 2498 (2010). 10.1021/ja908521s
19. B. Xiang, P. W. Wang, X. Z. Zhang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, C. Soci, D. P. Yu, and D. L. Wang, Nano Lett. 7, 323 (2007). 10.1021/nl062410c
20. G. D. Yuan, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. Fan, J. A. Zapien, Y. H. Leung, L. B. Luo, P. F. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Nano Lett. 8, 2591 (2008). 10.1021/nl073022t
21. S. S. Lin, J. H. Song, Y. F. Lu, and Z. L. Wang, Nanotechnol. 20, 365703 (2009). 10.1088/0957-4484/20/36/365703
22. S. S. Lin, J. I. Hong, J. H. Song, Y. Zhu, H. P. He, Z. Xu, Y. G. Wei, Y. Ding, R. L. Snyder, and Z. L. Wang, Nano Lett. 9, 3877 (2009). 10.1021/nl902067a
23. F. Stucki and F. Greuter, Appl. Phys. Lett. 57, 446 (1990). 10.1063/1.103661
24. P. R. Bueno, E. R. Leite, M. M. Oliveira, M. O. Orlandi, and E. Longo, Appl. Phys. Lett. 79, 48 (2001). 10.1063/1.1378051
25. Q. H. Li, T. Gao, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 123117 (2005). 10.1063/1.1883711
26. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, and D. Wang, Nano Lett. 7, 1003 (2007). 10.1021/nl070111x
27. Y. Cheng, P. Xiong, L. Fields, J. P. Zheng, R. S. Yang, and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 093114 (2006). 10.1063/1.2338754
28. B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Gantwell, J. Cryst. Growth 287, 16 (2006). 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.035
29. Y. Shapira, R. B. McQuistan, and D. Lichtman, Phys. Rev. B 15, 2163 (1977). 10.1103/PhysRevB.15.2163
30. Y. Jin, J. Wang, B. Sun, J. C. Blakesley, and N. C. Greenham, Nano Lett. 8, 1649 (2008). 10.1021/nl0803702
31. A. Krtschil, A. Dadgar, N. Oleynik, J. Bläsing, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 87, 262105 (2005). 10.1063/1.2149171
32. R. H. Bude, Appl. Phys. Lett. 13, 136 (1968); 10.1063/1.1652542
33. J. Heleskivi and T. Salo, J. Appl. Phys. 43, 740 (1972). 10.1063/1.1661193
34. D. C. Look, Semicond. Sci. Technol. 20, S55 (2005). 10.1088/0268-1242/20/ 4/007