ZnO light-emitting diodes fabricated on Si substrates with homobuffer layers

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 11, 2007, Pages

  Ye, Z Z ^a   Lu, J G ^a   Zhang, Y Z ^a   Zeng, Y J ^a   Chen, L L ^a   Zhuge, F ^a   Yuan, G D ^a   He, H P ^a   Zhu, L P ^a   Huang, J Y ^a   Zhao, B H ^a  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BUFFER LAYERS; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DOPING (ADDITIVES); ELECTROLUMINESCENCE; SUBSTRATES; ZINC OXIDE;

DONOR-ACCEPTOR PAIRS; HOMOBUFFER LAYERS; HOMOJUNCTION LIGHT EMITTING DIODES;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 34548685882     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2783262     Document Type: Article

References (20)

1. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
2. D. C. Look and B. Claflin, Phys. Status Solidi B 241, 624 (2004), and references therein.
3. J. G. Lu, Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, L. P. Zhu, L. Wang, B. H. Zhao, and Q. L. Liang, Appl. Phys. Lett. 88, 222114 (2006).
4. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
5. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 173506 (2006).
6. W. Liu, S. L. Gu, J. D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Y. Hang, and C. L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 092101 (2006).
7. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
8. G. T. Du, W. F. Liu, J. M. Bian, L. Z. Hu, H. W. Liang, X. S. Wang, A. M. Liu, and T. P. Yang, Appl. Phys. Lett. 89, 052113 (2006).
9. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 2720 (2006).
10. Z. P. Wei, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Z. Z. Zhang, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, X. W. Fan, and Z. K. Tang, Appl. Phys. Lett. 90, 042113 (2007).
11. J. G. Lu, Z. Z. Ye, F. Zhuge, Y. J. Zeng, B. H. Zhao, and L. P. Zhu, Appl. Phys. Lett. 85, 3134 (2004).
12. J. G. Lu, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, F. Zhuge, B. H. Zhao, and D. W. Ma, J. Cryst. Growth 274, 425 (2005).
13. J. G. Lu, Z. Z. Ye, G. D. Yuan, Y. J. Zeng, F. Zhuge, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 89, 053501 (2006).
14. T. Yamamoto and H. K. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
15. L. G. Wang and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 90, 256401 (2003).
16. Y. F. Yan, J. B. Li, S. H. Wei, and M. M. Al-Jassim, Phys. Rev. Lett. 98, 135506 (2007).
17. J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, L. Wang, J. Yuan, B. H. Zhao, and Q. L. Liang, J. Appl. Phys. 100, 073714 (2006).
18. J. G. Lu, Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, H. P. He, L. P. Zhu, J. Y. Huang, L. Wang, J. Yuan, B. H. Zhao, and X. H. Li, Appl. Phys. Lett. 89, 112113 (2006).
19. J. G. Lu, Q. Liang, Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, and S. Fujita, J. Phys. D 40, 3177 (2007).
20. B. Guo, Z. R. Qiu, and K. S. Wong, Appl. Phys. Lett. 82, 2290 (2003).