The relationship between threshold voltage and dipolar character of self-assembled monolayers in organic thin-film transistors

Journal of the American Chemical Society

Volumn 134, Issue 30, 2012, Pages 12648-12652

  Salinas, Michael ^a   Jäger, Christof M ^a   Amin, Atefeh Y ^a   Dral, Pavlo O ^a   Meyer Friedrichsen, Timo ^b   Hirsch, Andreas ^a   Clark, Timothy ^a   Halik, Marcus ^a  

^a UNIVERSITY OF ERLANGEN NUREMBERG   (Germany)

^b Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LOW-VOLTAGE; ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS; PENTACENES; QUANTITATIVE STUDY; SELF-ASSEMBLED; THRESHOLD VOLTAGE SHIFTS;

MOLECULES; ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS; SELF ASSEMBLED MONOLAYERS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; THIN FILM TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE;

ORGANIC POLYMERS;

FULLERENE; SELF ASSEMBLED MONOLAYER;

ARTICLE; CHEMICAL STRUCTURE; CONTROLLED STUDY; CORRELATION ANALYSIS; DIELECTRIC CONSTANT; DIPOLE; FIELD EFFECT TRANSISTOR; MEMBRANE POTENTIAL; QUANTITATIVE STUDY;

EID: 84864488083     PISSN: 00027863     EISSN: 15205126     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja303807u     Document Type: Article

References (39)

1. Klauk, H.; Zschieschang, U.; Pflaum, J.; Halik, M. Nature 2007, 445, 745-748
2. Zschieschang, U.; Ante, F.; Schlorholz, M.; Schmidt, M.; Kern, K.; Klauk, H. Adv. Mater. 2010, 22, 4489-4493
3. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices, 3 rd ed.; John Wiley & Sons, Inc.: New York, 2007.
4. Halik, M.; Klauk, H.; Zschieschang, U.; Schmid, G.; Dehm, C.; Schutz, M.; Maisch, S.; Effenberger, F.; Brunnbauer, M.; Stellacci, F. Nature 2004, 431, 963-966
5. Chung, Y.; Verploegen, E.; Vailionis, A.; Sun, Y.; Nishi, Y.; Murmann, B.; Bao, Z. Nano Lett. 2011, 11, 1161-1165
6. Bruening, M.; Cohen, R.; Guillemoles, J. F.; Moav, T.; Libman, J.; Shanzer, A.; Cahen, D. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 5720-5728
7. Ashkenasy, G.; Cahen, D.; Cohen, R.; Shanzer, A.; Vilan, A. Acc. Chem. Res. 2002, 35, 121-128
8. Cahen, D.; Naaman, R.; Vager, Z. Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1571-1578
9. Kobayashi, S.; Nishikawa, T.; Takenobu, T.; Mori, S.; Shimoda, T.; Mitani, T.; Shimotani, H.; Yoshimoto, N.; Ogawa, S.; Iwasa, Y. Nat. Mater. 2004, 3, 317-22
10. Pernstich, K. P.; Haas, S.; Oberhoff, D.; Goldmann, C.; Gundlach, D. J.; Batlogg, B.; Rashid, A. N.; Schitter, G. J. Appl. Phys. 2004, 96, 6431
11. Huang, C.; Katz, H. E.; West, J. E. Langmuir 2007, 23, 13223-13231
12. Fleischli, F. D.; Suarez, S.; Schaer, M.; Zuppiroli, L. Langmuir 2010, 26, 15044-15949
13. Ma, H.; Acton, O.; Ting, G.; Ka, J. W.; Yip, H.-L.; Tucker, N.; Schofield, R.; Jen, A. K. Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 113303
14. Novak, M.; Ebel, A.; Meyer-Friedrichsen, T.; Jedaa, A.; Vieweg, B. F.; Yang, G.; Voitchovsky, K.; Stellacci, F.; Spiecker, E.; Hirsch, A.; Halik, M. Nano Lett. 2011, 11, 156-159
15. Meyer-Friedrichsen, T.; Reuter, K.; Elschner, A.; Halik, M. WIPO International Patent 2011, WO 2012/010292 A1.
16. Burkhardt, M.; Jedaa, A.; Novak, M.; Ebel, A.; Voitchovsky, K.; Stellacci, F.; Hirsch, A.; Halik, M. Adv. Mater. 2010, 22, 2525-2528
17. Jedaa, A.; Halik, M. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 103309
18. Zschieschang, U.; Weitz, R. T.; Kern, K.; Klauk, H. Appl. Phys. A, Mater. 2009, 95, 139-145
19. Perdew, J. P.; Burke, K.; Ernzerhof, M. Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3865-3868
20. Schafer, A.; Horn, H.; Ahlrichs, R. J. Chem. Phys. 1992, 97, 2571-2577
21. Eichkorn, K.; Treutler, O.; Ohm, H.; Haser, M.; Ahlrichs, R. Chem. Phys. Lett. 1995, 242, 652-660
22. Dral, P. O.; Clark, T. J. Phys. Chem. A 2011, 115, 11303-11312
23. Dewar, M. J. S.; Thiel, W. J. Am. Chem. Soc. 1977, 99, 4899-4907
24. Dewar, M. J. S.; McKee, M. L.; Rzepa, H. S. J. Am. Chem. Soc. 1978, 100, 3607-3607
25. Dewar, M. J. S.; Zoebisch, E. G.; Healy, E. F.; Stewart, J. J. P. J. Am. Chem. Soc. 1985, 107, 3902-3909
26. Dewar, M. J. S.; Reynolds, C. H. J. Mol. Struct.: THEOCHEM 1986, 136, 209-214
27. Davis, L. P.; Guidry, R. M.; Williams, J. R.; Dewar, M. J. S.; Rzepa, H. S. J. Comput. Chem. 1981, 2, 433-445
28. Clark, T.; Alex, A.; Beck, B.; Burkhardt, F.; Chandrasekhar, J.; Gedeck, P.; Horn, A.; Hutter, M.; Martin, B.; Dral, P. O.; Rauhut, G.; Sauer, W.; Schindler, T.; Steinke, T. VAMP 11.0; University of Erlangen: Germany, 2011.
29. Frisch, M. J. T.; G., W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Scalmani, G.; Barone, V.; Mennucci, B.; Petersson, G. A.; Nakatsuji, H.; Caricato, M.; Li, X.; Hratchian, H. P.; Izmaylov, A. F.; Bloino, J.; Zheng, G.; Sonnenberg, J. L.; Hada, M.; Ehara, M.; Toyota, K.; Fukuda, R.; Hasegawa, J.; Ishida, M.; Nakajima, T.; Honda, Y.; Kitao, O.; Nakai, H.; Vreven, T.; Montgomery, Jr., J. A.; Peralta, J. E.; Ogliaro, F.; Bearpark, M.; Heyd, J. J.; Brothers, E.; Kudin, K. N.; Staroverov, V. N.; Kobayashi, R.; Normand, J.; Raghavachari, K.; Rendell, A.; Burant, J. C.; Iyengar, S. S.; Tomasi, J.; Cossi, M.; Rega, N.; Millam, N. J.; Klene, M.; Knox, J. E.; Cross, J. B.; Bakken, V.; Adamo, C.; Jaramillo, J.; Gomperts, R.; Stratmann, R. E.; Yazyev, O.; Austin, A. J.; Cammi, R.; Pomelli, C.; Ochterski, J. W.; Martin, R. L.; Morokuma, K.; Zakrzewski, V. G.; Voth, G. A.; Salvador, P.; Dannenberg, J. J.; Dapprich, S.; Daniels, A. D.; Farkas, Ö.; Foresman, J. B.; Ortiz, J. V.; Cioslowski, J.; Fox, D. J. Gaussian 09, revision A.02; Gaussian, Inc.: Wallingford, CT, 2009.
30. Knipp, D.; Street, R. A.; Völkel, A.; Ho, J. J. Appl. Phys. 2003, 93, 347
31. Novak, M.; Schmaltz, T.; Faber, H.; Halik, M. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 093302
32. Luschtinetz, R.; Oliveira, Augusto F.; Duarte, Hélio A.; Seifert, G. Z. Anorg. Allg. Chem. 2010, 636, 1506-1512
33. Rumpel, A.; Novak, M.; Walter, J.; Braunschweig, B.; Halik, M.; Peukert, W. Langmuir 2011, 27, 15016-15023
34. Jedaa, A.; Burkhardt, M.; Zschieschang, U.; Klauk, H.; Habich, D.; Schmid, G.; Halik, M. Org. Electron. 2009, 10, 1442-1447
35. Possanner, S. K.; Zojer, K.; Pacher, P.; Zojer, E.; Schürrer, F. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 958-967
36. Gholamrezaie, F.; Andringa, A. M.; Roelofs, W. S.; Neuhold, A.; Kemerink, M.; Blom, P. W.; de Leeuw, D. M. Small 2011, 8
37. Horowitz, G.; Hajlaoui, R.; Bouchriha, H.; Bourguiga, R.; Hajlaoui, M. Adv. Mater. 1998, 10, 923
38. Amy, F.; Chan, C.; Kahn, A. Org. Electron. 2005, 6, 85-91
39. Dhar, B. M.; Özgün, R.; Dawidczyk, T.; Andreou, A.; Katz, H. E. Mater. Sci. Eng. R 2011, 72, 49-80