Concept of a molecular charge storage dielectric layer for organic thin-film memory transistors

Advanced Materials

Volumn 22, Issue 23, 2010, Pages 2525-2528

  Burkhardt, Martin ^a   Jedaa, Abdesselam ^a   Novak, Michael ^a   Ebel, Alexander ^a   Voïtchovsky, Kislon ^b,c   Stellacci, Francesco ^b,c   Hirsch, Andreas ^a   Halik, Marcus ^a  

^a UNIVERSITY OF ERLANGEN NUREMBERG   (Germany)

^b Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

^c EPFL   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON-ACCEPTING; ELECTRONIC MEMORIES; LOW SUPPLY VOLTAGES; MEMORY TRANSISTORS; MIXED SELF ASSEMBLED MONOLAYERS; MOLECULAR CHARGE; MOLECULAR GATES; NON-VOLATILE; ORGANIC THIN FILMS; ORGANIC TRANSISTOR; ULTRA-THIN;

GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); MONOLAYERS; STOICHIOMETRY;

ORGANIC POLYMERS;

ORGANIC COMPOUND;

ARTICLE; CHEMISTRY; DATA STORAGE DEVICE; IMPEDANCE; SEMICONDUCTOR;

COMPUTER STORAGE DEVICES; ELECTRIC IMPEDANCE; ORGANIC CHEMICALS; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 77954255626     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201000030     Document Type: Article

References (32)

1. D. Braga, G. Horowitz, Adv. Mater. 2009, 21, 1473.
2. H. Yan, Z. Chen, Y. Zheng, C. Newman, J. R. Quinn, F. Dötz, M. Kastler, A. Facchetti, Nature 2009, 457, 679.
3. J. E. Anthony, Angew. Chem. 2008, 47, 452.
4. A. R. Murphy, J. M. J. Fréchet, Chem. Rev. 2007, 107, 1066.
5. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, M. Schutz, S. Maisch, F. Effenberger, M. Brunnbauer, F. Stellacci, Nature 2004, 431, 963.
6. H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum, M. Halik, Nature 2007, 445, 745.
7. A. Facchetti, M.-H. Yoon, T. J. Marks, Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
8. L. Herlogsson, X. Crispin, N. D. Robinson, M. Sandberg, O.-J. Hagel, G. Gustafsson, M. Berggren, Adv. Mater. 2007, 19, 97.
9. T. Sekitani, Y. Noguchi, U. Zschieschang, H. Klauk, T. Someya, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2008, 105, 4976.
10. E. C. P. Smits, S. G. J. Mathijssen, P. A. van Hal, S. Setayesh, T. C. T. Geuns, K. A. H. A. Mutsaers, E. Cantatore, H. J. Wondergem, O. Werzer, R. Resel, M. Kemerink, S. Kirchmeyer, A. M. Muzafarov, S. A. Ponomarenko, B. de Boer, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Nature 2008, 455, 956.
11. A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, M. M. Ling, S. Liu, R. J. Tseng, C. Reese, M. E. Roberts, Y. Yang, F. Wudl, Z. Bao, Nature 2006, 444, 913.
12. S. Liu, H. A. Becerril, M. C. LeMieux, W. M. Wang, J. H. Oh, Z. Bao, Adv. Mater. 2009, 21, 1266.
13. L. Zhou, A. Wanga, S.-C. Wu, J. Sun, S. Park, T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 083502.
14. G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. V. Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. Van Der Putten, T. C. T. Genus, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. Van Rens, D. M. De Leeuw, Nat. Mater. 2004, 3, 106.
15. T. Someya, T. Sekitani, S. Iba, Y. Kato, H. Kawaguchi, T. Sakurai, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2004, 101, 9966.
16. P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase, T. W. Kelley, D. V. Muyres, S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3964.
17. Q.-D. Ling, D.-J. Liaw, C. Zhu, D. S.-H. Chan, E.-T. Kang, K.-G. Neoh, Prog. Polym. Sci. 2008, 33, 917.
18. R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli, A. Visconti, Proc. IEEE 2003, 91, 489.
19. T. Sekitani, T. Yokota, U. Zschieschang, H. Klauk, S. Bauer, K. Taeuchi, M. Takamiya, T. Sakurai, T. Someya, Science 2009, 326, 1516.
20. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, S. Ponomarenko, S. Kirchmeyer, W. Weber, Adv. Mater. 2003, 15, 917.
21. a) P. Gupta, A. Ulman, S. Fanfan, A. Korniakov, K. J. Loos, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 4.
22. b) J. J. Kuna, K. Voïtchovsky, C. Singh, H. Jiang, S. Mwenifumbo, P. K.Chorai, M. M. Stevens, S. C. Gloher, F. Stellacci, Nat. Mater 2009, 8, 837.
23. J. Melcher, C. Carrasco, X. Xu, J. L. Carrascosa, J. Gomez-Herrero, P. J. de Pablo, A. Raman, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2009, 106, 13655.
24. B. Park, P. Paoprasert, I. In, J. Zwickey, P. E. Colavita, R. J. Hamers, P. Gopalan, P. G. Evans, Adv. Mater. 2007, 19, 4353.
25. S. Kobayashi, T. Nishikawa, T. Takenobu, S. Mori, T. Shimoda, T. Mitani, H. Shimotani, N. Yoshimoto, S. Ogawa, Y. Iwasa, Nat, Mater. 2004, 3, 317.
26. K. P. Pernstich, S. Haas, D. Oberhoff, C. Goldmann, D. J. Gundlach, B. Batlogg, J. Appl. Phys. 2004, 96, 6431.
27. A. Jedaa, M. Halik, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 103309.
28. X.-H. Zhang, S. P. Tiwari, B. Kippelen, Org. Electron. 2009, 10, 1133.
29. U. Zschieschang, R. T. Weitz, K. Kern, H. Klauk, Appl. Phys. A 2009, 95, 139.
30. J. De Blauwe, IEEE Trans. Nanotechnol. 2002, 1, 72.
31. K. H. Kuesters, M. F. Beug, U. Schroeder, N. Nagel, U. Bewersdorff, G. Dallmann, S. Jakschik, R. Knoefler, S. Kudelka, C. Ludwig, D. Manger, W. Mueller, A. Tilke, Adv. Eng. Mater. 2009, 11, 241.
32. Q. Xia, M. Burkhardt, M. Halik, Org. Electron. 2008, 9, 1061.