Performance and stability of amorphous InGaZnO thin film transistors with a designed device structure

Journal of Applied Physics

Volumn 110, Issue 8, 2011, Pages

  Zhang, J ^a   Li, X F ^a,b   Lu, J G ^a,b   Ye, Z Z ^a   Gong, L ^a,c   Wu, P ^a   Huang, J ^a   Zhang, Y Z ^a   Chen, L X ^a   Zhao, B H ^a  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

^b SHANGHAI UNIVERSITY   (China)

^c CHANGSHA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE CHANNEL LAYERS; ANNEALING TREATMENTS; CHANNEL WIDTHS; DENSE STRUCTURES; DEVICE STABILITY; DEVICE STRUCTURES; ELECTRICAL PERFORMANCE; GATE ELECTRODES; SHALLOW TRAPS; SOURCE/DRAIN ELECTRODES; THRESHOLD VOLTAGE SHIFTS; XPS DATA;

GALLIUM; INDIUM; OXIDE FILMS; THIN FILM DEVICES; THIN FILM TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE;

AMORPHOUS FILMS;

EID: 80655141527     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3656444     Document Type: Article

References (25)

1. J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, T. S. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, B. W. Yoo, J. W. Kim, Y. G. Lee, K. C. Park, S. Y. Lee, and J. M. Kim, IEEE Electron Device Lett. 29, 1309 (2008). 10.1109/LED.2008.2006637
2. J. S. Park, T. W. Kim, D. Stryakhilev, J. S. Lee, S. G. An, Y. S. Pyo, D. B. Lee, Y. G. Mo, D. U. Jin, and H. K. Chung, Appl. Phys. Lett. 95, 013503 (2009). 10.1063/1.3159832
3. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004). 10.1038/nature03090
4. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006). 10.1063/1.2353811
5. R. Hayashi, M. Ofuji, N. Kaji, K. Takahashi, K. Abe, H. Yabuta, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, J. Soc. Inf. Disp. 15, 915 (2007). 10.1889/1.2812992
6. W. Lim, E. A. Douglas, S. H. Kim, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, H. Shen, and W. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 93, 252103 (2008). 10.1063/1.3054167
7. P. Barquinha, L. Pereira, G. Goncalves, R. Martins, and E. Fortunato, J. Electrochem. Soc. 156, H161 (2009). 10.1149/1.3049819
8. J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 93, 123508 (2008). 10.1063/1.2990657
9. K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 95, 013502 (2009). 10.1063/1.3159831
10. H. Oh, S. M. Yoon, M. K. Ryu, C. S. Hwang, S. Yang, and S. H. K. Park, Appl. Phys. Lett. 97, 183502 (2010). 10.1063/1.3510471
11. J. C. Park, S. Kim, S. Kim, C. Kim, I. Song, Y. Park, U. I. Jung, D. H. Kim, and J. S. Lee, Adv. Mater. 22, 5512 (2010). 10.1002/adma.201002397
12. P. Barquinha, A. M. Vila, G. Goncalves, R. Martins, J. R. Morante, E. Fortunato, and L. Pereira, IEEE Trans. Electron Devices 55, 954 (2008). 10.1109/TED.2008.916717
13. Y. Shimura, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 516, 5899 (2008). 10.1016/j.tsf.2007.10.051
14. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and S. I. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 (2007). 10.1063/1.2753107
15. J. Park, I. Song, S. Kim, S. Kim, C. Kim, J. Lee, H. Lee, E. Lee, H. Yin, K. K. Kim, K. W. Kwon, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 053501 (2008). 10.1063/1.2966145
16. A. Sato, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 94, 133502 (2009). 10.1063/1.3112566
17. T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, Sci. Technol. Adv. Mat. 11, 044305 (2010). 10.1088/1468-6996/11/4/044305
18. M. Kimura, T. Nakanishi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 92, 133512 (2008). 10.1063/1.2904704
19. R. B. M. Cross and M. M. De Souza, Appl. Phys. Lett. 89, 263513 (2006). 10.1063/1.2425020
20. A. Suresh and J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 92, 033502 (2008). 10.1063/1.2824758
21. J. M. Lee, I. T. Cho, J. H. Lee, and H. I. Kwon, Appl. Phys. Lett. 93, 093504 (2008). 10.1063/1.2977865
22. F. R. Libsch and J. Kanicki, Appl. Phys. Lett. 62, 1286 (1993). 10.1063/1.108709
23. S. Y. Sung, J. H. Choi, U. B. Han, K. C. Lee, J. H. Lee, J. J. Kim, W. Lim, S. J. Pearton, D. P. Norton, and Y. W. Heo, Appl. Phys. Lett. 96, 102107 (2010). 10.1063/1.3357431
24. J. S. Park, J. Lee, Y. S. Pyo, D. B. Lee, E. H. Kim, D. Stryakhilev, T. W. Kim, D. U. Jin, and Y. G. Mo, Appl. Phys. Lett. 95, 123502 (2009). 10.1063/1.3232179
25. K. H. Ji, J. I. Kim, Y. G. Mo, J. H. Jeong, S. Yang, C. S. Hwang, S. H. K. Park, M. K. Ryu, S. Y. Lee, and J. K. Jeong, IEEE Electron Device Lett. 31, 1404 (2010). 10.1109/LED.2010.2073439